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Power Integrations交付第一百萬顆基于氮化鎵的InnoSwitch3 IC

      2019年9月30日訊 – 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號:POWI)日前宣布交付采用該公司PowiGaN?氮化鎵技術(shù)的第一百萬顆InnoSwitch?3開關(guān)電源IC。在安克創(chuàng)新深圳總部的活動現(xiàn)場,Power Integrations公司CEO Balu Balakrishnan親手將第一百萬顆氮化鎵IC交到了安克CEO陽萌手中。安克是業(yè)界知名的充電器和適配器生產(chǎn)廠商,致力于為全球零售商提供緊湊、強(qiáng)大的USB PD適配器,以及適用于筆記本電腦、智能移動設(shè)備、機(jī)頂盒、顯示器、家電、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備和游戲產(chǎn)品的各種充電器和適配器。

Power Integrations ANKER 1M InnoSwitch3 GaN Award Presentation PRImage 2100px1500px


      采用PowiGaN技術(shù)的InnoSwitch3恒壓/恒流離線式反激式開關(guān)電源IC在各種負(fù)載條件下均可提供高達(dá)95%的高效性能。PowiGaN初級開關(guān)具有極低的開關(guān)和導(dǎo)通損耗,并且新器件采用節(jié)省空間的InSOP 24D表面貼裝型封裝,在密閉的適配器應(yīng)用中無需使用散熱片即可提供100 W的輸出功率。準(zhǔn)諧振模式的InnoSwitch3-CP、InnoSwitch3-EP和InnoSwitch3-Pro IC在一個表面貼裝封裝內(nèi)集成了初級功率開關(guān)、初級和次級控制電路以及期間相鏈接的安全隔離型高速鏈路(FluxLink?),同時集成了次級SR驅(qū)動器和反饋電路。PowiGaN所具有的卓越開關(guān)性能可大幅提高效率,從而實(shí)現(xiàn)緊湊的適配器設(shè)計。


      Balakrishnan表示:“安克是全球緊湊型充電器設(shè)計領(lǐng)域的知名公司,也是PI第一家大量采購使用PowiGaN技術(shù)的InnoSwitch3產(chǎn)品的客戶。我很高興能感受到安克的企業(yè)遠(yuǎn)見和卓越技術(shù),并感謝陽先生為市場上率先大批量成功使用高壓氮化鎵技術(shù)所作出的重要貢獻(xiàn)。”


      與此同時,陽萌表示:“通過使用基于PowiGaN技術(shù)的InnoSwitch3 IC,我們能夠?yàn)槭袌鎏峁└鼮榫o湊、輕巧的大功率輸出USB PD充電器。我們很高興能利用這一創(chuàng)新的技術(shù),幫助所有用電設(shè)備實(shí)現(xiàn)更快速充電的目標(biāo)。我們相信,這一技術(shù)優(yōu)勢將會讓我們獲得積極的市場反饋和良好的客戶反響?!? 


      Power Integrations全新的InnoSwitch3 IC現(xiàn)已開始供貨,基于10,000片的訂貨量每片單價為4美元。有關(guān)基于PowiGaN的產(chǎn)品的技術(shù)信息,以及五款涵蓋60 W至100 W輸出范圍的全新USB PD充電器參考設(shè)計,請參見Power Integrations網(wǎng)站:www.power.com/PowiGaN。

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2020-02-15 16:56
氮化鎵是不是更碳化硅的效果一樣,減小功耗提高效率。
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k8882002
LV.9
3
2020-02-16 10:41
@ycdy09@163.com
氮化鎵是不是更碳化硅的效果一樣,減小功耗提高效率。
氮化鎵(GaN)超越了硅的基本,與硅開關(guān)相比,GaN HEMT更適合高速開關(guān)。
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2020-02-16 11:00
特別是較高臨界的電場對于具有出色的特定導(dǎo)通電阻和較小的電容的功率半導(dǎo)體器件來說非常有優(yōu)勢。
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2020-05-13 09:04
PI的方案,我司有這方面需求,請加我QQ371622042 ,詳細(xì)溝通
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cmdz002
LV.5
6
2022-03-27 21:46

PowiGaN初級開關(guān)具有極低的開關(guān)和導(dǎo)通損耗,并且新器件采用節(jié)省空間的InSOP 24D表面貼裝型封裝,在密閉的適配器應(yīng)用中無需使用散熱片即可提供100 W的輸出功率

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