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零電壓開關(guān)具體是零電壓開啟還是零電壓關(guān)斷抑或兩者同時滿足?零電流的情況呢?

請大神回答一下在下的疑問,感謝。

由于二極管的續(xù)流作用,管子能零電壓開啟,開啟時開關(guān)損耗比較小,能滿足零電壓開啟;

關(guān)斷的時候管子是導通的,電壓本身就是個導通壓降,完全關(guān)斷后管子電壓又變成高電壓了,完全談不上零電壓關(guān)斷啊。

對比硬開關(guān)效率具體能提高多少個點???

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ghsdwf
LV.6
2
2019-10-14 14:21

零電壓開關(guān)指的是0電壓開啟,效率提升必須是具體問題具體分析,一般500W LLC對比硬開關(guān)半橋,有3~5%的提升,主要有開關(guān)損耗降低,Mos反向恢復損耗沒有,Coss損耗沒有,還有副邊整流管實現(xiàn)ZCS損耗降低。

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hylylx
LV.9
3
2019-10-14 15:15
你忘記了最關(guān)鍵的一個詞。
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hereliu
LV.8
4
2019-10-16 08:58

既然說的是開關(guān),當然是有開有關(guān)。 關(guān)斷以后,電壓當然會上升。只要關(guān)斷過程中,電壓還沒上升或只上升了一點點,那就是零電壓關(guān)斷。 至于效率提升, 要看具體情況。如果開關(guān)頻率本來就不高,開關(guān)損耗所占比例比較低, 使用軟開關(guān),效率自然也沒多少變化。如果頻率很高,比如1MHz,  開關(guān)損耗很大,用軟開關(guān),效率提升就比較明顯。  使用軟開關(guān)除了效率提升外,mosfet的可靠性也會得到提升。

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2019-10-17 15:59
@hereliu
既然說的是開關(guān),當然是有開有關(guān)。關(guān)斷以后,電壓當然會上升。只要關(guān)斷過程中,電壓還沒上升或只上升了一點點,那就是零電壓關(guān)斷。至于效率提升,要看具體情況。如果開關(guān)頻率本來就不高,開關(guān)損耗所占比例比較低,使用軟開關(guān),效率自然也沒多少變化。如果頻率很高,比如1MHz, 開關(guān)損耗很大,用軟開關(guān),效率提升就比較明顯。 使用軟開關(guān)除了效率提升外,mosfet的可靠性也會得到提升。

MOSFET關(guān)斷過程中米勒平臺電壓,管子的漏源之間電壓要從0V上升到相應的高電壓,這期間內(nèi)流過管子的電流只比導通時的電流小一點點,在米勒平臺區(qū)過了,再到柵極電壓下降到Vth閾值電壓期間內(nèi)管子的電流才完全降為零。

您說的(只要關(guān)斷過程中,電壓還沒上升或只上升了一點點)好像和MOSFET的關(guān)斷波形圖有些出入啊。

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2019-10-17 16:05
@hylylx
[圖片]你忘記了最關(guān)鍵的一個詞。
什么詞啊?大神
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2019-10-17 16:13
@ghsdwf
零電壓開關(guān)指的是0電壓開啟,效率提升必須是具體問題具體分析,一般500WLLC對比硬開關(guān)半橋,有3~5%的提升,主要有開關(guān)損耗降低,Mos反向恢復損耗沒有,Coss損耗沒有,還有副邊整流管實現(xiàn)ZCS損耗降低。
零電流開關(guān)就是零電流關(guān)斷了吧
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hereliu
LV.8
8
2019-10-18 09:53
@不由分說
MOSFET關(guān)斷過程中米勒平臺電壓,管子的漏源之間電壓要從0V上升到相應的高電壓,這期間內(nèi)流過管子的電流只比導通時的電流小一點點,在米勒平臺區(qū)過了,再到柵極電壓下降到Vth閾值電壓期間內(nèi)管子的電流才完全降為零。您說的(只要關(guān)斷過程中,電壓還沒上升或只上升了一點點)好像和MOSFET的關(guān)斷波形圖有些出入啊。[圖片]

你這是硬開關(guān)。 ZVS(零電壓開關(guān))軟開關(guān),是看不到米勒平臺的。

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2019-10-18 14:32
@hereliu
你這是硬開關(guān)。ZVS(零電壓開關(guān))軟開關(guān),是看不到米勒平臺的。
好吧,就按師長的意思吧
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