請大神回答一下在下的疑問,感謝。
由于二極管的續(xù)流作用,管子能零電壓開啟,開啟時開關(guān)損耗比較小,能滿足零電壓開啟;
關(guān)斷的時候管子是導通的,電壓本身就是個導通壓降,完全關(guān)斷后管子電壓又變成高電壓了,完全談不上零電壓關(guān)斷啊。
對比硬開關(guān)效率具體能提高多少個點???
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由于二極管的續(xù)流作用,管子能零電壓開啟,開啟時開關(guān)損耗比較小,能滿足零電壓開啟;
關(guān)斷的時候管子是導通的,電壓本身就是個導通壓降,完全關(guān)斷后管子電壓又變成高電壓了,完全談不上零電壓關(guān)斷啊。
對比硬開關(guān)效率具體能提高多少個點???
MOSFET關(guān)斷過程中米勒平臺電壓,管子的漏源之間電壓要從0V上升到相應的高電壓,這期間內(nèi)流過管子的電流只比導通時的電流小一點點,在米勒平臺區(qū)過了,再到柵極電壓下降到Vth閾值電壓期間內(nèi)管子的電流才完全降為零。
您說的(只要關(guān)斷過程中,電壓還沒上升或只上升了一點點)好像和MOSFET的關(guān)斷波形圖有些出入啊。