鋰電池MOS PT8205 金譽(yù)半導(dǎo)體迪浦原廠

金譽(yù)半導(dǎo)體原廠，迪浦電子原廠

PT8205

20 v雙n溝道增強(qiáng)型MOSFET 65 VDS = 20 v 特性先進(jìn)的海溝過程技術(shù) 高密度超單元設(shè)計(jì)低導(dǎo)通電阻高功率和電流處理能力理想的鋰離子電池組的應(yīng)用程序最大的評級和熱特性(TA = 25攝氏度除非另有注明) 參數(shù)符號限制單元漏源極電壓VDS公司20 Gate-Source電壓vg±12 V 連續(xù)漏電流ID 6 脈沖漏極電流1)IDM 20 一個 TA = 25啊 C 1.6 最大功耗 TA = 75 o C Pd 1 W 操作結(jié)和存儲溫度范圍TJ,測試-55 - 150 o C Junction-to-Ambient熱阻(PCB安裝)2)RθJA 78 o C / W 1234 8765 D1 S1 S1 G1 D2 S2 S2 G2 毫米毫米 REF。分鐘。馬克斯。 REF。分鐘。馬克斯。 1.20馬克斯。E1 A2 0.80 1.05 0.45 b C 0.90 - 0.20 D 2.90 - 3.00 。A1 0.05 - 0.15 0.19 - 0.30 6.40 E二元同步通信 4.30 - 4.50 0.65 e二元同步通信 θ0°10° L 0.75 TSSOP-8 筆記脈沖寬度限制最大連接

PT8205 MOS

20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

VDS= 20V

Features

Advanced trench process technology

High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance

High Power and Current handing capability

Ideal for Li ion battery pack applications

Maximum Ratings and Thermal Characteristics (TA = 25oC unless otherwise noted)

Parameter Symbol Limit Unit

Drain-Source Voltage VDS 20

Gate-Source Voltage VGS ±12