PT8205  +DW01A

20 v雙n溝道增強(qiáng)型MOSFET  65  VDS = 20 v  特性  先進(jìn)的海溝過程技術(shù)  高密度超單元設(shè)計(jì)低導(dǎo)通電阻  高功率和電流處理能力  理想的鋰離子電池組的應(yīng)用程序  最大的評(píng)級(jí)和熱特性(TA = 25攝氏度除非另有注明)  參數(shù)符號(hào)限制單元  漏源極電壓VDS公司20  Gate-Source電壓vg±12  V  連續(xù)漏電流ID 6  脈沖漏極電流1)IDM 20  一個(gè)  TA = 25啊  C 1.6  最大功耗  TA = 75 o  C  Pd  1  W  操作結(jié)和存儲(chǔ)溫度范圍TJ,測(cè)試-55 - 150 o  C  Junction-to-Ambient熱阻(PCB安裝)2)RθJA 78 o  C / W  1234 8765  D1  S1  S1  G1  D2  S2  S2  G2  毫米毫米  REF。  分鐘。馬克斯。  REF。  分鐘。馬克斯。  1.20馬克斯。E1  A2 0.80 1.05 0.45  b  C 0.90 - 0.20  D 2.90 - 3.00  。A1 0.05 - 0.15  0.19 - 0.30  6.40 E二元同步通信  4.30 - 4.50  0.65 e二元同步通信  θ0°10°  L 0.75  TSSOP-8  筆記  脈沖寬度限制最大連接

PT8205  MOS

20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET