在測試輻射的時候30M-50M出現(xiàn)了問題。一般這個頻段和MOS有關(guān)系,先RCD:D用1N4007 VCC的D用也是1N4007,變壓器內(nèi)部是兩個屏蔽,MOS S套磁珠 ,不過,然后再這個基礎(chǔ)上MOS用RC吸收,22R 和102電容,測試可以過,但是這樣MOS的溫度很高,100多了。RC吸收的電阻的溫度有120°多了,幫忙看看還有沒有什么好的辦法了,以前做LED電源溫度高點可以灌膠水,現(xiàn)在這個是裸板的。
1#--RCD 1N4007 VCC 1N4007 MOS s套磁環(huán) 變壓器內(nèi)兩個拼屏蔽(下圖1#)
在1#的基礎(chǔ)上 MOS用RC新手 102和22R