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GaN三電平逆變器驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)

我想做一個(gè)GaN的三電平逆變器,對(duì)于驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì),有些問(wèn)題。三電平電路不想兩電平互補(bǔ)導(dǎo)通,存在鉗位環(huán)節(jié),半橋驅(qū)動(dòng)電路就不可以了,就需要多個(gè)高邊驅(qū)動(dòng)電路,高邊驅(qū)動(dòng)芯片電路如何設(shè)計(jì)呢?我查到Si8275可以兩路都高邊驅(qū)動(dòng),根據(jù)它給出的電路感覺(jué)不是自舉升壓電路。是不是應(yīng)該在VDDA和C3之間串一個(gè)二極管?如果不是應(yīng)該怎么設(shè)計(jì)呢,希望得到大佬的指點(diǎn)。

sss

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2021-02-03 09:23
氮化鎵的驅(qū)動(dòng)與MOS和IGBT完全不同,因?yàn)楦F,沒(méi)玩過(guò)....
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2021-02-03 11:01
@dy-iBysWiwR
氮化鎵的驅(qū)動(dòng)與MOS和IGBT完全不同,因?yàn)楦F,沒(méi)玩過(guò)....
發(fā)展太快了,IGBT剛剛弄懂,碳化硅和氮化鎵就出來(lái)了
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余云淺
LV.1
4
2021-02-25 17:54
我要是沒(méi)有記錯(cuò)的話,這個(gè)芯片不是自舉的,VCCA和VCCB需要單獨(dú)供電
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