你這個(gè)比較詭異的地方就是為什么橋后面的銅箔會(huì)炸呢？是線細(xì)了還是？

如果只是單純的橋損壞可以考慮橋的質(zhì)量問(wèn)題。

輸入沒(méi)有串電阻比較容易炸橋堆

圖片里面有熱敏

你確定只有橋堆損壞，其他元器件都沒(méi)壞？

只有橋堆損壞，一是看橋堆的品質(zhì)，二是橋堆用小了，你這是多少W的也沒(méi)說(shuō)

用于20W電源  用的2A 1000V的橋 60芯片的。國(guó)產(chǎn)的橋堆，壞料退回原廠測(cè)試是沒(méi)問(wèn)題的芯片是60芯片。老化過(guò)程不良率有千分之四。

理論上這個(gè)芯片不會(huì)有問(wèn)題 是不是產(chǎn)品質(zhì)量問(wèn)題就不好說(shuō)了

橋內(nèi)部芯片小了，I^2t過(guò)小，工作溫度過(guò)高。

換大點(diǎn)的，覆銅鐵板加強(qiáng)散熱

可以試一試68MIL芯片的ABS210 強(qiáng)茂的 公牛 松下 小米 華為 這些都在用Q1059240518

這么黑一片只壞了橋？

我認(rèn)為這個(gè)是橋堆反向恢復(fù)時(shí)候電流過(guò)大，導(dǎo)致發(fā)熱炸的；親測(cè)某LED燈廠的產(chǎn)品，輸入端L線串了只保險(xiǎn)電阻直接輸入到橋堆；在客戶的老化臺(tái)上測(cè)產(chǎn)品外殼都有54度，橋堆內(nèi)部結(jié)溫肯定不止；后來(lái)拿了一些產(chǎn)品回來(lái)10幾只一起老化溫度比單只老化溫度要高好幾度，外殼溫度也沒(méi)有他們工廠大批量老化時(shí)候溫度高（差20度左右吧），我們實(shí)驗(yàn)室測(cè)的反向電流10幾只一起老化時(shí)是單只產(chǎn)品老化時(shí)的7-8倍有90mA左右，這么大的反向恢復(fù)電流產(chǎn)生的熱量一段時(shí)間后累積肯定受不了，這個(gè)應(yīng)該和橋堆反向恢復(fù)時(shí)間有關(guān)，市面上普通整流橋反向恢復(fù)時(shí)間普遍在600-1400ns左右，可能就是由于設(shè)計(jì)的標(biāo)準(zhǔn)不一樣，所以不同品牌的可能A家炸了B家不炸，客戶也不讓我們到他們生產(chǎn)線做測(cè)試，以上是我實(shí)驗(yàn)后推測(cè)的,說(shuō)的不對(duì)請(qǐng)手下留情，后面附一張客戶的產(chǎn)品圖片，藍(lán)色的是500V的壓敏

使用的是MB10FU，50mil芯片，允許電流1A/峰值電流30A；客戶產(chǎn)品電流140mA；

這種情況單換橋是不行的,要找到根本原因.要了解是開(kāi)關(guān)沖擊撲街的還是常開(kāi)炸機(jī)的.開(kāi)關(guān)沖擊撲街電解和橋的應(yīng)力匹配相當(dāng)重要.

嘗試整流橋后并電容，把高頻信號(hào)濾掉

可能是橋抗沖擊電流的能力太弱了，輸入端的保險(xiǎn)電阻加大一點(diǎn)看有沒(méi)有效果？

樓主問(wèn)題解決了嗎？

其實(shí)正向電流也不大0.7左右

IR反向漏電流過(guò)大（VRAM反向擊穿電壓過(guò)小）造成，可以用晶體管特性儀QT2測(cè)來(lái)料未貼片橋堆1000臺(tái)可發(fā)現(xiàn)此不良，良品反向擊穿電壓在1400V左右。