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用INN3368C反激式4A的5V充電器

      以前用TOP集成電路做大電流輸出的反激電源的輸出，在輸出整流部分設(shè)計(jì)上比較麻煩。最大的問題就是電流在肖特基整流管上面的壓降形成較大的功率損失，散熱器的問題，PCB走線的問題都比較難，還有效率也上不去。

     如果使用INN3368C多模式準(zhǔn)諧振反激式控制器、高壓開關(guān)、次級(jí)側(cè)檢測(cè)和同步整流驅(qū)動(dòng)器大簡化全數(shù)控高效率電源的開發(fā)和制造，大電流4A的5V充電器比較好尤其是那些采用緊湊外殼的電源。如果按照常規(guī)電路設(shè)計(jì)的話，最大器件的效率>89%。同步整流完全可以取代功耗大的肖特基整流管。

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省掉外部電路的確能節(jié)省不少的成本，電路設(shè)計(jì)也簡化了許多。
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整合了多種保護(hù)功能可滿足多種應(yīng)用的要求，如快速充電設(shè)計(jì)。
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2021-02-07 20:17
@原來會(huì)員名可以很長的
省掉外部電路的確能節(jié)省不少的成本，電路設(shè)計(jì)也簡化了許多。
原邊和次級(jí)都集成在一個(gè)IC中，極大地簡化了電源的設(shè)計(jì)，次級(jí)和原邊也無需外加光耦隔離。
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2021-02-07 20:19
因?yàn)?span>同步整流的話電源效率比較高，所以電源成本增加一點(diǎn)也沒有關(guān)系。
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2021-02-07 20:32
@原來會(huì)員名可以很長的
整合了多種保護(hù)功能可滿足多種應(yīng)用的要求，如快速充電設(shè)計(jì)。
快充技術(shù)的原理，通過USB端口的D+與D-來控制INN3368C輸出電壓，輸出電壓供手機(jī)充電。
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2021-02-07 20:34
@親愛的郭郭
因?yàn)橥秸鞯脑掚娫葱时容^高，所以電源成本增加一點(diǎn)也沒有關(guān)系。
快充QC2.0保持充電電流2A不變，電壓可靈活配置充電電壓從5V提升階躍步長為200mV/檔.
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@親愛的郭郭
原邊和次級(jí)都集成在一個(gè)IC中，極大地簡化了電源的設(shè)計(jì)，次級(jí)和原邊也無需外加光耦隔離。
主控芯片初級(jí)次級(jí)控制電路集成在內(nèi)部，電路保護(hù)功能齊全省了很多電路。
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@ycdy09@163.com
快充技術(shù)的原理，通過USB端口的D+與D-來控制INN3368C輸出電壓，輸出電壓供手機(jī)充電。
INN3368C芯片的待機(jī)功耗特別低，大功率電源的設(shè)計(jì)還是追求低功耗高效率為多。
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2021-02-08 19:27
@親愛的郭郭
原邊和次級(jí)都集成在一個(gè)IC中，極大地簡化了電源的設(shè)計(jì)，次級(jí)和原邊也無需外加光耦隔離。
采用了新式的電感耦合反饋方案，能準(zhǔn)確的將輸出電壓，電流信號(hào)傳遞到初級(jí)控制器。
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2021-02-08 19:33
@原來會(huì)員名可以很長的
INN3368C芯片的待機(jī)功耗特別低，大功率電源的設(shè)計(jì)還是追求低功耗高效率為多。
芯片內(nèi)部集成功能強(qiáng)大，輸出電流電壓穩(wěn)定，精度高，還有就是效率高。
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2021-02-08 19:46
@ycdy09@163.com
芯片內(nèi)部集成功能強(qiáng)大，輸出電流電壓穩(wěn)定，精度高，還有就是效率高。
具有對(duì)次級(jí)側(cè)同步整流MOSFET及初級(jí)側(cè)MOSFET的開關(guān)進(jìn)行精確控制提高整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)的效率。
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2021-02-08 19:51
@ycdy09@163.com
快充QC2.0保持充電電流2A不變，電壓可靈活配置充電電壓從5V提升階躍步長為200mV/檔.
低成本、高效率快速充電適配器，eSOP-R16B封散熱性能非常好。
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2021-02-22 19:22
@ycdy09@163.com
采用了新式的電感耦合反饋方案，能準(zhǔn)確的將輸出電壓，電流信號(hào)傳遞到初級(jí)控制器。
電源初次級(jí)之間采用FluxLink隔離技術(shù)無需光耦作隔離
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2021-02-25 19:41
@ycdy09@163.com
采用了新式的電感耦合反饋方案，能準(zhǔn)確的將輸出電壓，電流信號(hào)傳遞到初級(jí)控制器。
通過I2C協(xié)議實(shí)現(xiàn)不同設(shè)備的快速充電加大充電電源充電電流縮短充電時(shí)間
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