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關(guān)於氮化鎵MOS管的問題.

氮化鎵MOS替換普通MOS,有並聯(lián)一個二極管,但還是會炸管,懷疑是LAOUT問題,誰有關(guān)於這個layout的注意事項可以分享一份?謝謝大神
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2021-03-02 13:55
是不是熱處理沒做好，如果是，加大銅的放置區(qū)域，并增加熱通孔，還有就是環(huán)路越短越好
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lkings
LV.6
3
2021-03-02 14:22
@XHH9062
是不是熱處理沒做好，如果是，加大銅的放置區(qū)域，并增加熱通孔，還有就是環(huán)路越短越好
不是,應(yīng)該是layout沒搞好,但不知道具體問題在哪裡
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2021-03-02 15:23
@lkings
不是,應(yīng)該是layout沒搞好,但不知道具體問題在哪裡
看下是不是安規(guī)距離問題
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lkings
LV.6
5
2021-03-03 11:16
@XHH9062
看下是不是安規(guī)距離問題
不是,是驅(qū)動電路走線問題,有一邊有一個過孔,氮化鎵對Ciss電容比較敏感,至于為什麼,不知道有沒有大神知道.唉,去年的直播沒看,不然可能那里會講
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glf680409
LV.8
6
2021-03-12 13:48

替代是要改板的  飛線替做實驗都難，很容易炸機。

GaN MOS現(xiàn)在價格已低到Cool MOS的價格了?？梢源罅块_整了。

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aiddy.tan
LV.6
7
2021-03-17 18:56
@glf680409
替代是要改板的 飛線替做實驗都難，很容易炸機。GaNMOS現(xiàn)在價格已低到CoolMOS的價格了。可以大量開整了。

這個郭總最有發(fā)言權(quán)了，整點資料看下。

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lkings
LV.6
8
2021-03-18 08:17
@glf680409
替代是要改板的 飛線替做實驗都難，很容易炸機。GaNMOS現(xiàn)在價格已低到CoolMOS的價格了?？梢源罅块_整了。
支持整點資料來看看
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取名難
LV.1
9
2021-03-18 22:53
大哥你氮化鎵是應(yīng)用在什么電源上?是快充嗎.
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pzg1989
LV.4
10
2021-03-19 09:11
用氮化鎵要特別小心，驅(qū)動線要盡可能短減小寄生電感和寄生電容，還有你的這款氮化鎵是自帶驅(qū)動電路的還是不帶驅(qū)動電路的？如果是自帶驅(qū)動電路注意下走線，如果是不帶驅(qū)動電路的你就要在外圍加驅(qū)動電路了，最好跟原廠FAE溝通一下
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lkings
LV.6
11
2021-03-19 09:47
@取名難
大哥你氮化鎵是應(yīng)用在什么電源上?是快充嗎.
不是,工業(yè)電源上用.要提高效率.
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lkings
LV.6
12
2021-03-19 09:48
@pzg1989
用氮化鎵要特別小心，驅(qū)動線要盡可能短減小寄生電感和寄生電容，還有你的這款氮化鎵是自帶驅(qū)動電路的還是不帶驅(qū)動電路的？如果是自帶驅(qū)動電路注意下走線，如果是不帶驅(qū)動電路的你就要在外圍加驅(qū)動電路了，最好跟原廠FAE溝通一下
不知道市面上有沒有這方面的書本介紹.FAE來了也沒有解決.
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pzg1989
LV.4
13
2021-03-19 14:21
@lkings
不知道市面上有沒有這方面的書本介紹.FAE來了也沒有解決.
你要找原廠FAE，代理商那種FAE是沒辦法給你解決問題的。
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2021-03-19 15:13
驅(qū)動上不一樣吧！
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pzg1989
LV.4
15
2021-03-19 15:48
@lkings
不知道市面上有沒有這方面的書本介紹.FAE來了也沒有解決.
這張是有內(nèi)置驅(qū)動氮化鎵外圍引腳，這張是沒有內(nèi)置驅(qū)動的GaN外圍接法，也就是在外圍加驅(qū)動電路。
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powerpcb54
LV.5
16
2021-03-20 16:48
@lkings
不是,工業(yè)電源上用.要提高效率.
我也有這想法，把一些功率大的MOS用GAN替換掉。
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glf680409
LV.8
17
2021-03-25 21:00
@aiddy.tan
這個郭總最有發(fā)言權(quán)了，整點資料看下。[圖片]

資料怎么給你呢 

 我是代理英諾賽科的，目前GaN主要用于PD電源上，當(dāng)然射頻等高頻產(chǎn)品上也用的更多。

有想資料的可以發(fā)郵件給我，郵箱glf680409@163.com

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glf680409
LV.8
18
2021-03-25 21:00
@powerpcb54
我也有這想法，把一些功率大的MOS用GAN替換掉。
有興趣可以找我  
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glf680409
LV.8
19
2021-03-25 21:03

國內(nèi)投資100億做GaN的品牌 只有英諾賽科一家，自產(chǎn)晶元，全球第一家用8寸做的。

有興趣的私聊  價格目標(biāo)平齊CoolMOS

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2021-03-26 09:55
@glf680409
國內(nèi)投資100億做GaN的品牌只有英諾賽科一家，自產(chǎn)晶元，全球第一家用8寸做的。有興趣的私聊 價格目標(biāo)平齊CoolMOS

氮化鎵和碳化硅 MOSFET應(yīng)用建議

（1）所應(yīng)用系統(tǒng)由于某些原因必須工作于超過200KHz以上的頻率，首先碳化硅MOSFET，次選氮化鎵晶體管；若工作頻率低于200KHz，兩者皆可使用；

（2）所應(yīng)用系統(tǒng)要求輕載至半載效率極高，首先氮化鎵晶體管，次選碳化硅MOSFET；

（3）所應(yīng)用系統(tǒng)工作最高環(huán)境溫度高，或散熱困難，或滿載要求效率極高，首選碳化硅MOSFET，次選氮化鎵晶體管；

（4）所應(yīng)用系統(tǒng)噪聲干擾較大，特別是門極驅(qū)動干擾較大，首選碳化硅MOSFET，次選氮化鎵晶體管；

（5）所應(yīng)用系統(tǒng)需要功率開關(guān)由較大的短路能力，首選碳化硅MOSFET；

（6）對于其他無特殊要求的應(yīng)用系統(tǒng)，此時根據(jù)散熱方式，功率密度，設(shè)計者對兩者的熟悉程度等因素來確定選擇哪種產(chǎn)品。

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2021-03-28 15:51
@glf680409
國內(nèi)投資100億做GaN的品牌只有英諾賽科一家，自產(chǎn)晶元，全球第一家用8寸做的。有興趣的私聊 價格目標(biāo)平齊CoolMOS
氮化鎵驅(qū)動應(yīng)該加拉電流的吧
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