性无码一区二区三区在线观看,少妇被爽到高潮在线观看,午夜精品一区二区三区,无码中文字幕人妻在线一区二区三区,无码精品国产一区二区三区免费

  • 回復(fù)
  • 收藏
  • 點贊
  • 分享
  • 發(fā)新帖

mos管柵極上串個小電阻是什么作用?

我看見很多電路在驅(qū)動mos管的時候,在柵極上都要串上一個很小的電阻幾歐姆到十幾歐姆不等.我也查看了很多資料,有的說是限制電流、保證開關(guān)速度,有的說是驅(qū)動互補mos管時防止直通的,眾說紛紜,公說公有理,婆說婆也有理.我頭都大了,請教那位真正明白的高手告訴小弟一下,在此謝過了!
順便問一下,那種電阻的型號為什么要在告訴阻值后還要告訴功率值?(請詳細(xì)說明一下,謝謝!)
全部回復(fù)(18)
正序查看
倒序查看
delory
LV.2
2
2008-08-13 14:39
怎么沒有人頂啊?小弟等著你的回復(fù)呢
0
回復(fù)
2008-08-13 15:34
@delory
怎么沒有人頂啊?小弟等著你的回復(fù)呢
詳細(xì)說明的資料很多可上網(wǎng)找
簡單的說
MOSFET的閘極有雜散電容有引線電感走線電感輸入阻抗又高Q值大容易諧振
因此加個電阻或磁珠降低Q值讓它不容易振蕩
0
回復(fù)
gugu_1982
LV.3
4
2008-08-13 15:35
@delory
怎么沒有人頂啊?小弟等著你的回復(fù)呢
電阻有額定功率,當(dāng)超過其額定功率時,電阻就燒了.
這里之所以要求額定功率值是因為給MOS管柵極電容充電時,充電電流可能會很大,如果電阻額定功率不夠,可能被燒掉.
知道的就這些,不知對不對,僅供參考
0
回復(fù)
delory
LV.2
5
2008-08-13 16:26
@william_wu
詳細(xì)說明的資料很多可上網(wǎng)找簡單的說MOSFET的閘極有雜散電容有引線電感走線電感輸入阻抗又高Q值大容易諧振因此加個電阻或磁珠降低Q值讓它不容易振蕩
謝謝你的回復(fù)!
關(guān)于這個問題我也尋找了很多資料,但是都沒有詳細(xì)說明!
你手上有相關(guān)資料嗎?如果可以,上傳一份行嗎?
再次感謝!
0
回復(fù)
delory
LV.2
6
2008-08-13 16:27
@gugu_1982
電阻有額定功率,當(dāng)超過其額定功率時,電阻就燒了.這里之所以要求額定功率值是因為給MOS管柵極電容充電時,充電電流可能會很大,如果電阻額定功率不夠,可能被燒掉.知道的就這些,不知對不對,僅供參考
那電阻的功率值是根據(jù)什么條件來確定的?是根據(jù)柵極允許通過最大電流來確定的嗎?或者其他條件?
0
回復(fù)
gugu_1982
LV.3
7
2008-08-14 11:05
@delory
那電阻的功率值是根據(jù)什么條件來確定的?是根據(jù)柵極允許通過最大電流來確定的嗎?或者其他條件?
MOS管的參數(shù)里好像沒有“柵極允許通過最大電流”項吧,我想應(yīng)該與柵極電容大小有關(guān)吧,具體根據(jù)什么來定我也很想知道,期待高手來指點!關(guān)注中
0
回復(fù)
delory
LV.2
8
2008-08-14 12:09
@gugu_1982
MOS管的參數(shù)里好像沒有“柵極允許通過最大電流”項吧,我想應(yīng)該與柵極電容大小有關(guān)吧,具體根據(jù)什么來定我也很想知道,期待高手來指點!關(guān)注中
是啊!期待高手來解惑!
0
回復(fù)
wwqwwq
LV.4
9
2008-08-16 08:20
@delory
是啊!期待高手來解惑!
我們經(jīng)常稱為“驅(qū)動電阻”
0
回復(fù)
william_wu
LV.5
10
2008-08-21 14:31
@delory
謝謝你的回復(fù)!關(guān)于這個問題我也尋找了很多資料,但是都沒有詳細(xì)說明!你手上有相關(guān)資料嗎?如果可以,上傳一份行嗎?再次感謝!
要詳細(xì)資料有兩處可找
  1.書店
  2.MOSFET 制造商的應(yīng)用資料庫

要選擇一個適當(dāng)?shù)淖柚凳且C合需求來決定的
提供一些資料參考

327911219299509.pdf 327911219299582.pdf 327911219299740.pdf 327911219299937.pdf 327911219300178.pdf 327911219300273.pdf
0
回復(fù)
delory
LV.2
11
2008-08-21 14:50
@william_wu
要詳細(xì)資料有兩處可找  1.書店  2.MOSFET制造商的應(yīng)用資料庫要選擇一個適當(dāng)?shù)淖柚凳且C合需求來決定的提供一些資料參考327911219299509.pdf327911219299582.pdf327911219299740.pdf327911219299937.pdf327911219300178.pdf327911219300273.pdf
非常感謝,很好的資料!
我收下了!
0
回復(fù)
evdi
LV.6
12
2008-08-22 19:01
@wwqwwq
我們經(jīng)常稱為“驅(qū)動電阻”
與EMI有關(guān),減緩驅(qū)動波形上升速度,假設(shè)驅(qū)動方波上升時間為t,則方波頻域上高頻時轉(zhuǎn)折頻率為1/(pai*t),t越小則高頻成分越高.加上一個小電阻,可以減小Cgs的充電速度,減小驅(qū)動波形的上升速度.減小dv/dt
0
回復(fù)
路景陽
LV.1
13
2008-12-18 10:32
為改變控制脈沖的前后沿陡度和防止震蕩,減小集電極的電壓尖峰,應(yīng)在柵極串上合適的電阻 Rg .當(dāng) Rg 增大時,導(dǎo)通時間延長,損耗發(fā)熱加劇; Rg 減小時, di/dt 增高,可能產(chǎn)生誤導(dǎo)通,使器件損壞.應(yīng)根據(jù)管子的電流容量和電壓額定值以及開關(guān)頻率來選取 Rg 的數(shù)值.通常在幾歐至幾十歐之間 ( 在具體應(yīng)用中,還應(yīng)根據(jù)實際情況予以適當(dāng)調(diào)整 ) .另外為防止門極開路或門極損壞時主電路加電損壞器件,建議在柵射間加入一電阻 Rge ,阻值為 10 k Ω左右.
0
回復(fù)
tywp
LV.1
14
2012-10-13 10:25
@william_wu
要詳細(xì)資料有兩處可找  1.書店  2.MOSFET制造商的應(yīng)用資料庫要選擇一個適當(dāng)?shù)淖柚凳且C合需求來決定的提供一些資料參考327911219299509.pdf327911219299582.pdf327911219299740.pdf327911219299937.pdf327911219300178.pdf327911219300273.pdf

真是非常棒的資料哦，呵呵，謝謝

0
回復(fù)
ph0213
LV.1
15
2013-04-29 14:13
@william_wu
要詳細(xì)資料有兩處可找  1.書店  2.MOSFET制造商的應(yīng)用資料庫要選擇一個適當(dāng)?shù)淖柚凳且C合需求來決定的提供一些資料參考327911219299509.pdf327911219299582.pdf327911219299740.pdf327911219299937.pdf327911219300178.pdf327911219300273.pdf
謝謝你的資料啊，不錯不錯~~
0
回復(fù)
Hi_Elect
LV.1
16
2014-09-10 16:12
@evdi
與EMI有關(guān),減緩驅(qū)動波形上升速度,假設(shè)驅(qū)動方波上升時間為t,則方波頻域上高頻時轉(zhuǎn)折頻率為1/(pai*t),t越小則高頻成分越高.加上一個小電阻,可以減小Cgs的充電速度,減小驅(qū)動波形的上升速度.減小dv/dt
同意您的觀點，原理上還是沒想明白。
0
回復(fù)
zl2075
LV.1
17
2016-01-10 16:50
@william_wu
要詳細(xì)資料有兩處可找  1.書店  2.MOSFET制造商的應(yīng)用資料庫要選擇一個適當(dāng)?shù)淖柚凳且C合需求來決定的提供一些資料參考327911219299509.pdf327911219299582.pdf327911219299740.pdf327911219299937.pdf327911219300178.pdf327911219300273.pdf
很好的資料，謝謝了！
0
回復(fù)
2017-07-13 10:02
@william_wu
要詳細(xì)資料有兩處可找  1.書店  2.MOSFET制造商的應(yīng)用資料庫要選擇一個適當(dāng)?shù)淖柚凳且C合需求來決定的提供一些資料參考327911219299509.pdf327911219299582.pdf327911219299740.pdf327911219299937.pdf327911219300178.pdf327911219300273.pdf
謝謝你的資料
0
回復(fù)
2017-07-13 10:07
@路景陽
為改變控制脈沖的前后沿陡度和防止震蕩,減小集電極的電壓尖峰,應(yīng)在柵極串上合適的電阻Rg.當(dāng)Rg增大時,導(dǎo)通時間延長,損耗發(fā)熱加劇;Rg減小時,di/dt增高,可能產(chǎn)生誤導(dǎo)通,使器件損壞.應(yīng)根據(jù)管子的電流容量和電壓額定值以及開關(guān)頻率來選取Rg的數(shù)值.通常在幾歐至幾十歐之間(在具體應(yīng)用中,還應(yīng)根據(jù)實際情況予以適當(dāng)調(diào)整).另外為防止門極開路或門極損壞時主電路加電損壞器件,建議在柵射間加入一電阻Rge,阻值為10kΩ左右.

受教了

 

0
回復(fù)
立
即
發(fā)
帖