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關(guān)于單片機(jī)推大電流MOS時(shí)，MOS管DS擊穿問(wèn)題。

最近做了一款低壓電源，采用單片機(jī)推MOS管，單片輸出5V直流PWM信號(hào)控MOS。但在空載時(shí)，好像容易壞MOS，滿載不壞。MOS采用HY1904D，電源輸入12或24VDC。

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wxflpk
LV.4
2
2021-03-21 11:29

MOS管采用HY1904.淘寶買的，會(huì)不會(huì)是買到假貨？

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441654178
LV.5
3
2021-03-22 13:30
@wxflpk
[圖片]MOS管采用HY1904.淘寶買的，會(huì)不會(huì)是買到假貨？

華強(qiáng)北的物料您也信，

0
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2021-03-22 19:48
5V推NMOS，電壓不夠吧，沒(méi)看懂原理圖。
1
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zhenxiang
LV.10
5
2021-03-22 21:32
@BEYOND1993
5V推NMOS，電壓不夠吧，沒(méi)看懂原理圖。
主要是驅(qū)動(dòng)電流要夠。看下接上MOS后的G級(jí)波形上升下降沿和驅(qū)動(dòng)的幅值。
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wxflpk
LV.4
6
2021-03-23 08:52
@BEYOND1993
5V推NMOS，電壓不夠吧，沒(méi)看懂原理圖。
低壓MOS夠了，低壓MOS開(kāi)啟電壓才3V。確定了是MOS管問(wèn)題，換了家就好了
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