MOSFET技術(shù)有顯著改進(jìn)，支持將控制IC和MOSFET集成在一個非常高效和緊湊的封裝中。

根據(jù)所用材料氮化鎵，傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)，超級硅以及現(xiàn)有成熟的充電器結(jié)構(gòu)方案來決定了充電器的體積大小。

這個得益于技術(shù)的發(fā)展更新，插件變貼片，尺寸做的比較薄，也小，集成度高了，元件數(shù)量減少。

快充電源設(shè)計PI的主控芯片集成了同步整流功能，效率比較高，功耗也低。

快充協(xié)議PD的確發(fā)展有前途，兼容性及擴(kuò)展性很好。

電源設(shè)計應(yīng)用大功率輸出安全第一，性能指標(biāo)要求也高了。

電源開發(fā)設(shè)計輸出功率越做越大，支持的快充協(xié)議已經(jīng)到QC5.0

現(xiàn)在快充電源的主控芯片功能越做越強(qiáng)，基集成度很高，功能齊全。

PI的主控芯片很小，特比的薄，輸出管腳可以過流比較大。

在電池容量一定的情況下，功率的大小決定著充電時間的快慢。

在電壓不變的情況下提升電流；在電流不變的情況下提升電壓。

快充電源適配器大功率充電的時候發(fā)熱比較大發(fā)熱明顯。

高度集成的Innoswitch使得電源設(shè)計更簡單，電源更可靠，尺寸也縮小了

快充電源不同的協(xié)議支持的功率大小差別比較大。

PI的快充芯片目前沒看到支持QC5.0的。

主控芯片的功能強(qiáng)，簡化了設(shè)計

采用快速充電,充電電流大,這就對充電技術(shù)方法以及充電的安全性提出了更高的要求

閃充造成電極和隔離膜上的鋰沉淀，從而使得電池內(nèi)阻急劇增加。

利用低電壓高電流的模式來增加電流，并在充電器電源與電池電路中分別加入了MCU單片微型計算機(jī)來代替降壓電路。

當(dāng)占空比低于約4%時，則工作頻率會降低，這樣在輕載工作條件下可以降低能量消耗

配合標(biāo)準(zhǔn)的變壓器結(jié)構(gòu)技術(shù)即可提供優(yōu)于線性變壓器電源的輸出負(fù)載穩(wěn)壓精度

如果要求更加嚴(yán)格的負(fù)載調(diào)整率，則可以采用光耦器反饋的電路

光耦器成為開關(guān)節(jié)點(diǎn)，通過其內(nèi)部的寄生電容會產(chǎn)生多余的共模EMI噪聲電流

高頻變壓器在電路中兼有能量存儲、隔離輸出和電壓變換這三大功能

為減少共模干擾，可以在輸出的地與高壓側(cè)的地之間接共模抑制電容

高壓輕載情況下，是反激環(huán)路最惡劣的狀態(tài)，這個時候主功率回路的極點(diǎn)頻率很低

電路調(diào)試中，一般先加假負(fù)載使電路穩(wěn)定，然后適當(dāng)減小這個負(fù)載

全橋使用的開關(guān)管數(shù)量多，且要求參數(shù)一致性好，驅(qū)動電路復(fù)雜，實(shí)現(xiàn)同步比較困難

還有一種推挽的結(jié)構(gòu)，變壓器繞組利用率低、對開關(guān)管的耐壓要求比較高