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亞成微基于CCM/QR反激控制芯片RM6601SN+高性能同步整流芯片RM3410T的高精簡低成本65W GaN快充方案,具有體積小、效率高(效率Max >93%)、待機功耗低(功耗<60mW)、成本低等特點,采用專有驅(qū)動技術(shù),直驅(qū)E-MODE GaN功率器件,省去外置驅(qū)動器件,并通過高度集成的芯片設(shè)計以及巧妙的結(jié)構(gòu)組合,實現(xiàn)了精簡的外圍電路和緊湊的PCB布局,有效的提高了產(chǎn)品效率及功率密度,幫助快充電源廠商加速大功率快充量產(chǎn)并節(jié)省物料成本。
方案特點
■ 輸出規(guī)格:5V/3A,9V/3A,12V/3A,15V/3A,20V/3.25A;
■ 效率(Max)>93%,待機功耗<60mW,滿足六級能效標準,EMI特性優(yōu)良;
■ 采用專有驅(qū)動技術(shù),直驅(qū)E-MODE GaN功率器件,提高產(chǎn)品效率及功率密度,簡化EMI濾波電路設(shè)計,降低EMI器件成本;
■ 支持CCM/QR混合模式;
■ 支持最大140KHz工作頻率;
■ 內(nèi)置700V高壓啟動,集成X-CAP放電功能;
■ 低啟動電流和低工作電流設(shè)計;
■ 內(nèi)置特有抖頻技術(shù)改善EMI;
■ Burst Mode去噪音;
■ 集成斜坡補償及高低壓補償功能;
■ 集成AC輸入Brown out/in功能;
■ 外置OVP保護,具有輸出肖特基短路保護/CS短路保護;
■ 內(nèi)置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多種保護。