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請(qǐng)教下在選擇PI柵極驅(qū)動(dòng)芯片時(shí)需要考慮什么?

       SID1182KQ為一個(gè)8 A / 1200 V單通道IGBT / MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器，SIC1182K在開(kāi)啟階段結(jié)合了短路保護(hù)，并通過(guò)高級(jí)有源鉗位在關(guān)斷時(shí)實(shí)現(xiàn)過(guò)壓限制，所有這些都通過(guò)一個(gè)傳感引腳完成。SIC1182K隔離式SiC柵極驅(qū)動(dòng)器增加了引腳，以增加其在實(shí)際電路中的驅(qū)動(dòng)功能的穩(wěn)健性。為了實(shí)現(xiàn)這些高性能SiC器件的最大特性，還必須選擇適合應(yīng)用需求的柵極驅(qū)動(dòng)器。請(qǐng)教下在選擇柵極驅(qū)動(dòng)芯片時(shí)需要考慮什么?

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kckcll
LV.9
2
2021-07-28 17:16

要考慮驅(qū)動(dòng)電平與驅(qū)動(dòng)電流的要求，有些還需要負(fù)電壓關(guān)斷。

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lx25hb
LV.8
3
2021-07-28 17:30
@kckcll
要考慮驅(qū)動(dòng)電平與驅(qū)動(dòng)電流的要求，有些還需要負(fù)電壓關(guān)斷。

柵極開(kāi)啟電壓較低，在實(shí)際系統(tǒng)中容易發(fā)生誤導(dǎo)通，因此通常建議使用柵極負(fù)壓關(guān)斷

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cb_mmb
LV.8
4
2021-07-28 17:33

不同SiC MOSFET器件的柵極開(kāi)啟電壓參數(shù)不一樣，設(shè)計(jì)時(shí)要注意。

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uf_1269
LV.8
5
2021-07-28 17:49
@cb_mmb
不同SiCMOSFET器件的柵極開(kāi)啟電壓參數(shù)不一樣，設(shè)計(jì)時(shí)要注意。

SiC MOSFET具有較小的柵極電容，所需要的驅(qū)動(dòng)功率相對(duì)于傳統(tǒng)IGBT顯著較小。

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trllgh
LV.9
6
2021-07-28 17:56
@cb_mmb
不同SiCMOSFET器件的柵極開(kāi)啟電壓參數(shù)不一樣，設(shè)計(jì)時(shí)要注意。

驅(qū)動(dòng)電流的大小與開(kāi)關(guān)器件工作速度有很大關(guān)系的。

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