多功率段氮化鎵電源管理芯片推薦CX2006，需求驅(qū)動氮化鎵的電源管理芯片（直驅(qū)），求購CX2006電源主控IC

原廠提供CX2006方案開發(fā)，CX2006樣品申請，DEMO板測試與技術(shù)支持。

CX2006概述：CX2006氮化鎵快充主控電源IC，一款適用于不同功率段的氮化鎵方案推薦。可用于33W/45W/65W等不同氮化鎵應(yīng)用場合。CX2006是一顆峰值電流模式 PWM 控制器，用于 flyback 電源轉(zhuǎn)換器中，支持 CCM 和 DCM 工作模式。重載下芯片工作于 112KHz 固定開關(guān)頻率下，中等負(fù)載時由 FB 反饋電壓控制內(nèi)部振蕩器工作頻率于降頻模式下，減小系統(tǒng)開關(guān)損耗。輕載和空載時工作于跳頻模式下，進(jìn)一步降低系統(tǒng)開關(guān)損耗，并滿足小于100mW 待機(jī)功耗。對不同負(fù)載下工作頻率的精確控制，可實現(xiàn)全負(fù)載工作條件下較高的系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率，滿足六級能效要求。

CX2006內(nèi)置斜波補(bǔ)償電路，軟起動電路等，優(yōu)化系統(tǒng)的可靠性和安規(guī)要求。CX2006驅(qū)動采用分階段軟驅(qū)驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)，并加入抖頻控制，改善系統(tǒng)的 EMI 性能指標(biāo)要求。CX2006 內(nèi)置逐周期峰值限流保護(hù)（OCP），過載保護(hù)（OLP），VDD 過壓保護(hù)（OVP），VDD 電壓箝位、欠壓保護(hù)（UVLO），過溫保護(hù)（OTP）等

該款33W氮化鎵PD快充初級采用CX2006，這是一顆峰值電流模式PWM控制器，用于反激電源轉(zhuǎn)換器。CX2006支持DCM和CCM工作模式，重載下工作頻率為112KHz定頻，中載由輸出電壓控制在降頻模式下運(yùn)行，減小開關(guān)損耗。輕載和空載時跳頻工作，進(jìn)一步降低開關(guān)損耗，以提升能效，實現(xiàn)低于100mW的待機(jī)功耗，并滿足六級能效要求。

CX2006內(nèi)置軟啟動，支持抖頻改善EMI性能，內(nèi)置跳頻模式可改善輕載效率并降低待機(jī)功耗。支持無音頻噪聲運(yùn)行。內(nèi)置同步斜坡補(bǔ)償，內(nèi)置前沿消隱功能。芯片支持過載保護(hù)，支持逐周期過流保護(hù)。芯片具有供電過壓保護(hù)、欠壓保護(hù)和鉗位功能。內(nèi)置過熱保護(hù)，支持整流管短路保護(hù)。采用小巧的SOT23-6封裝，適用于充電器、電源適配器、機(jī)頂盒電源、開放式開關(guān)電源和輔助電源等。

CX2006特征：全電壓范圍（90Vac-265Vac）輸入時待機(jī)功耗小于 75mW 內(nèi)置軟啟動用來減少 MOSFET 上 Vds 的應(yīng)力抖頻功能，改善 EMI 性能 跳頻模式，改善輕載效率，減小待機(jī)功耗 無噪聲工作 多模式工作模式：CCM Mode @重載 Green Mode@輕載、Burst Mode@空載 內(nèi)置同步斜坡補(bǔ)償 低啟動電流，低工作電流 內(nèi)置前沿消隱(LEB)功能 過載保護(hù)（OLP），逐周期限流保護(hù)（OCP） VDD 過壓保護(hù)，欠壓保護(hù)（UVLO），VDD 電壓箝位 輸入電壓過低檢測（Brown-out）功能 輸入電壓過高檢測（Line-ovp）功能 過溫保護(hù)（OTP）次級二級管短路保護(hù)CX2006可驅(qū)動氮化鎵開關(guān)管，減小體積，提高功率密度，讓充電器享受到氮化鎵高頻高效率帶來的利好優(yōu)勢。CX2006電源控制IC，歡迎優(yōu)質(zhì)工廠索樣申請！