作者修或者改東西秉承提高效率或增強性能或加多功能的原則（容易爛尾-_=）。

1）開胃菜：由于常見的單管正激電源是電壓饋電型，整流期間的波形是方波，因此可將次級改為混搭Hybrid組合，即MOS整流，肖特基續(xù)流（續(xù)流期間不是方波，改起來麻煩）：

1.1）經過作者試繞幾匝測試繞組，測定出“磐古V600”，其（靠鐵殼的）主勵磁繞組估算為40匝，繞向為逆時針。推薦主12V改為（繞向同為逆時針的）1.5匝（在中柱和邊柱各繞1匝可實現(xiàn)，依著磁通方向哦！因我國電壓常高于額定220ACV）給100V的MOS提供自驅電壓，V60100C溝槽型肖特基TMBS蹺腿續(xù)流。

1.2）作者實際使用2匝自驅的STP140NF75。本該考慮GS毛刺電壓增加穩(wěn)壓管，且75V的該MOS耐壓明顯不足100V被我主觀忽略了，湊合用的，因為不是我主要的構想意圖，哈哈。還曾順并了一顆100V&3A的肖特基到該MOS的SD極減輕反向恢復損耗和該同步MOS未完全導通時讓順并的肖特基分攤電流稍微提高效率。

2）主菜：將常見的電壓饋電型單管正激電源改成大致上的（準）電流饋電型。即將被動式PFC大鐵芯電感移至橋后（思路源于電磁爐，建議降低原機的電感量，并且建議拆除許多電源的大鐵芯電感所并聯(lián)的約1-2.2uF的CL電容。作者認為該CL電容是減輕斷電打火的，因為眾所周知電感的性質是在突然切斷輸入時如果無法續(xù)流/儲能無處釋放就會擊穿空氣而打火），并最終使用了大概8uF的CBB電容代替了原先的410uF電解電容（即2串820uF鋁電解）。

優(yōu)勢2.1）由于整流橋后的頻率翻倍，可以節(jié)約電感材料且降低銅損（本人最終重繞了1個約0.25mH的未生銹的硅鋼片電感代替約30mH原有銹斑的硅鋼片電感。最易得的替代品是約0.33mH的電磁爐黃白環(huán)電感。實際試過最低感量約100uH的φ20mm的鐵硅鋁電感亦可代替。）。被動PFC電感置于整流橋后不光實現(xiàn)了PFC還兼具直流母線的儲能。

優(yōu)勢2.2）8uF的CBB電容代替原先的大容量鋁電解電容，沒有明顯的上電沖擊，可以取消抗沖的NTC，且CBB的壽命明顯比鋁電解長。

優(yōu)勢2.3）由于8uF的CBB電容很小，因此在稍微加重負載時，母線的電壓將由幾乎平直的約311DCV（理論值220√2）明顯降低成駝峰形的約198DCV【若帶載跌落后的輪廓恰好是正/余弦的半周，則理論直流分量值220√2÷(π/2)。電感量不足的話會畸變和跌落嚴重】。這使得開關寄生尖峰的問題得以緩解。作者使用了700V的MOS代替900V的MOS，同理次級肖特基用了80V的代替100V提效。同時稍降低了輔助電源的啟動電阻損耗。

劣勢2.a）需要折中選取被動PFC電感：取值若太小，則母線儲能不足；若太大，則PF值偏低。置于整流橋后的電感必須抗直流偏置，剩磁也較大。

劣勢2.b）如果是作者示例的ATX電源，由于母線儲能的減少，可能導致保持時間hold-up time無法滿足一個AC周期cycle（對應到美國60Hz/我國50Hz約16ms/20ms）。作者的觀點是杯水車薪的16ms/20ms并不能保證機械硬盤的磁頭復位（機械裝置動作通常慢吞吞），只是用來給服務器后備UPS提供短暫的接力過渡和掉電監(jiān)測所用（自己的家用小白鼠PC無所謂）。

劣勢2.c）如果是作者示例的ATX電源，由于主變壓器的波形和峰高改變巨大，可能需要調整ATX的Power-Good電路（矽創(chuàng)保護ST9S313或WT7510或CG8513可參考本例附圖修改）。

其它多項不是很重要的實際改動和考慮BTW：

2.X1）擔心占空比可能不足（由于母線直流下降），改小振蕩電容后將UC3845/UC3844改為了UC3843/UC3842，基本維持在原有頻率。本機原有的單管正激配置跨接了一顆100nF電容組成了SEPIC結構，這是一個非常好的附加設計。

2.X2）作者曾試探性使用了頂天650V耐壓的大個子20N60C3/20N65C3（最終把4個腳的65C7095暴殄天物當3個腳用了），帶載12V&65W車燈也扛了許多次，雖然最終估計是因為裸奔無風扇試機太久殉職了。

2.X3）本例使用的單管正激電源改前和改后都仍然是（不能裸奔的）硬開關拓撲（而參考的常見準諧振反激式電磁爐為軟開硬關），也就是主MOS的反向恢復特性無需考慮（曾試用很差達2us的700V&12A&0.9歐的2SK2828完全正常）。

2.X4）作者在使用2個橋堆和次級的肖特基時都是盡可能蹺腿后各自獨立使用，利于均流，而不是直接并聯(lián)。

2.X5）進線交流端不建議添加2uF的CBB，會加大上電沖擊，雖然對EMC或者說EMS/EMI有利。而且改到橋后的被動PFC電感斷電時的剩余儲能可以由橋堆的4顆二極管同時導通得以續(xù)流。

2.X6）作者挖掉了散熱片的電氣GND連接（實測4個腳的65C7095/65C7045也不是S極與Tab相連，希望破滅。如果有那種S極與Tab相連的設計，作者還設想用3個腳和4個腳的65C7095/65C7045做成共裸散熱片的半橋呢。盡管S極直接并聯(lián)在如推挽拓撲時也有優(yōu)勢，然而分析了下感覺廠家沒有將4個腳的MOS設計改成S極與Tab相連也說得過去，因為散熱面積大的襯底與MOS的D極是相連的。），雖然對EMC不利，但是可以拆除絕緣墊片后再涂抹導熱硅脂，對散熱有利。

2.X7）由于原機負12V采用的反激取電，因此將風扇改為了24V（硬接在正12V和負12V之間），用以代替假負載。

2.X8）洗刷刷，除銹，銼了散熱片的毛刺，換了鐵殼。大量埋銅拖錫，加強了非晶磁環(huán)，鐵粉芯磁環(huán)涂了些環(huán)氧樹脂防熱空氣老化。

修改/強化的東西有時作者竟然希望它早點壞，因為不壞時作者懶得再折騰。修改該電源時就湊合使用了很極限的元器件，因為主要是想按第2種方式改。喜歡把東西做得皮實和多功能，哈哈。

太耗時啦，已到深夜，有些字是用鼠標寫的，大家將就看哈。趴窩睡覺~