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反激箝位線路問題

通常flyback反激嵌位線路使用RCD，而本例嵌位線路中R1值為4.7MΩ，D1~D3使用的是SOD123封裝，但不知道具體型號，本體的mark 查不到具體型號，嵌位之后MOS VDS電壓最大在637V（第一張示波器波形)。D1~D3使用FR107, 1N4007, RL207等快慢管都試了，MOS VDS電壓都在750V以上(第二張示波器波形)。此線路應(yīng)用比較少，請各位大佬幫忙指導(dǎo)，D1~D3使用什么類型的管子？

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2021-12-27 09:24

二極管的位置貌似有點不對吧 ，應(yīng)該放到最下面，這個吸收有點太復(fù)雜了

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2021-12-27 10:33

用慢管快管都行，慢管EMI好一些。

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2021-12-27 11:01

R1　4.7M是你測量的還是看色環(huán)的？一般幾百K的，跟C1　C2并聯(lián)，給C1　C2放電的

D1~D3，一般用慢管，EMI好，快管也行，但Vds會高一點。

C3很少用，一般都不用

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Sam Li
LV.1
5
2021-12-28 08:29
@edie87@163.com
R1　4.7M是你測量的還是看色環(huán)的？一般幾百K的，跟C1　C2并聯(lián)，給C1　C2放電的D1~D3，一般用慢管，EMI好，快管也行，但Vds會高一點。C3很少用，一般都不用

色環(huán)和量測都是4.7M

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Sam Li
LV.1
6
2021-12-28 08:30
@朝陽之星
二極管的位置貌似有點不對吧，應(yīng)該放到最下面，這個吸收有點太復(fù)雜了

位置沒錯的，這個吸收回路比較好，尖峰比較低。

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ruohan
LV.9
7
2021-12-29 16:17

有沒有可能其中一個是TVS  P6KE200這樣得管子，，

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2022-01-11 14:06

使用4007就可以啊

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xcdm
LV.2
9
2022-01-18 10:36

4.7M太大了

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dy-Qdm76yft
LV.4
10
2022-02-12 00:43
@ymyangyong
用慢管快管都行，慢管EMI好一些。

為何我mos  d波形是這樣子的，下面我畫的圖是不是正激電路還是反激電路

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hl1314mwf
LV.3
11
2022-02-12 08:35

按照你實際測試的Vds 值來看D1-D3應(yīng)該是TVS 管或者小功率zener(功率不夠所以三顆并聯(lián))

1
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dy-Qdm76yft
LV.4
12
2022-02-13 18:31
@ymyangyong
用慢管快管都行，慢管EMI好一些。

可以加你qq嗎

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dy-Qdm76yft
LV.4
13
2022-02-15 00:27
@ymyangyong
用慢管快管都行，慢管EMI好一些。

我這個vds波形這樣子

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dy-Qdm76yft
LV.4
14
2022-02-15 00:28
@ymyangyong
用慢管快管都行，慢管EMI好一些。

Vds波形如何改善這個尖峰是環(huán)路影響的啊還是

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