CR5259 芯片特性：
CR5259 是采用內(nèi)置 650V 高壓功率 MOSFET，反激式 PWM 功率開關；
內(nèi)置軟啟動，減小 MOSFET 的應力，內(nèi)置斜坡補償電路；
65kHz 開關頻率，具有頻率抖動功能，使其具有良好的 EMI 特性；
全電壓輸入范圍，待機功耗:< 75mW；
輸出接 20AWG 1.5 米，四點平均效率:>87.0%，滿足“能源之星 V2.0-VI 級能效”
具有“軟啟動、OCP、SCP、OTP、OVP 自動恢復等保護功能；
電路結構簡單、較少的外圍元器件，適用于小功率 AC/DC 電源適配器、充電器。
CR5259是一款采用內(nèi)置高壓功率MOSFET，具有優(yōu)化的圖騰驅動電路以及電流模式PWM控制器，適用于待機功耗<75mW的小功率AC/DC電源適配器、充電器電源。
CR5259在重載或中等負載時，工作在PWM模式，頻率為65kHz。當負載逐漸減小時，振蕩器的工作頻率逐漸降低，最后穩(wěn)定在 22kHz左右。在空載和輕載時，電路采用間歇模式，有效的降低了待機功耗。該樣機大73.8mm×36.8mm，AC264V輸入待機功耗<75mW，平均效率>87.0%，能夠滿足“能源之星V2.0 VI級能效”與歐洲COCT2標準；具有“軟啟動、OCP、SCP、OTP、OVP自動恢復”等多種保護功能；由振蕩電路產(chǎn)生的頻率抖動，可以改善EMI特性。
樣機的變壓器，采用了EE22加寬磁芯（PC40材質），變壓器繞制工藝部分，
請見后文詳細說明。
