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【內(nèi)置650V高壓功率MOSFET】啟達(dá)啟臣微CR5159TN

CR5159TN 芯片特性:

CR5159TN是采用內(nèi)置650V高壓功率MOSFET,反激式PWM功率開關(guān);

內(nèi)置軟啟動(dòng),減小MOSFET的應(yīng)力;

內(nèi)置同步斜坡補(bǔ)償電路,消除次諧波振蕩;

65kHz開關(guān)頻率,具有頻率抖動(dòng)功能,使其具有良好的EMI特性;

全電壓輸入范圍,待機(jī)功耗:< 75mW;

具有“軟啟動(dòng)、OCP、SCP、OTP、OVP自動(dòng)恢復(fù)等保護(hù)功能;

電路結(jié)構(gòu)簡單、較少的外圍元器件,適用于小功率AC/DC電源適配器、充電器;

CR5159TN還提供VDD電壓從8.5V至36.5V更寬的工作范圍。

CR85V25RS芯片特性:

支持CCM&QR&DCM工作模式;

內(nèi)置85V功率MOS管;

可自供電,支持正端/負(fù)端應(yīng)用;

精確的外圍電路;

VCC欠壓保護(hù);

最大支持150kHz工作頻率。

CR5159TN和CR85V25RS能適用于寬輸入電壓范圍,輸出功率27W方案,輸出9V3A的工程樣機(jī)。

該樣機(jī)大小73.8mm×36.8mm,AC264V輸入待機(jī)功耗<75mW,平均效率>87.3%,能夠滿足“能源之星 V2.0 VI 級(jí)能效”與歐洲 COCT2 標(biāo)準(zhǔn);具有“OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO ”等多種保護(hù)功能;軟啟動(dòng)功能可以 減少系統(tǒng)啟動(dòng)時(shí)MOSFET的應(yīng)力,前沿消隱時(shí)間簡化了系統(tǒng)應(yīng)用。通過頻率抖動(dòng)和軟驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì),降低開關(guān)噪聲,簡化了EMI設(shè)計(jì),CR5159TN還提供VDD電壓從8.5V至36.5V更寬的工作范圍。樣機(jī)的變壓器,采用了EE22加寬磁芯(PC95材質(zhì)),變壓器繞制工藝部分,請見后文詳細(xì)說明。

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