關(guān)斷損耗太大了，可以算一下關(guān)斷損耗是不是超過mos的最大耗散功率了

可以試一下加個(gè)三極管接到G極與地之間，中間再串聯(lián)一個(gè)電阻調(diào)節(jié)關(guān)斷速度，低電平的時(shí)候讓三極管導(dǎo)通，使G極直接下拉到地，提高關(guān)斷速度減小關(guān)斷損耗

關(guān)斷速度太慢，來不及關(guān)斷就過流損壞MOS了。C7和C13根本就是多余，電容的殘余電荷只會(huì)延遲關(guān)斷。MOS驅(qū)動(dòng)改為圖騰柱驅(qū)動(dòng)或MOS驅(qū)動(dòng)芯片才能改善。

MOS關(guān)斷速度太慢了，用圖騰柱驅(qū)動(dòng)試試。

堵轉(zhuǎn)時(shí)的電流非常大，沒有及時(shí)的保護(hù)很容易過流燒管。運(yùn)放速度慢，用LM393比較器試試。

采樣不用放大，放大有延時(shí)。直接進(jìn)比較器就可以了。

可以教一下我怎么算嗎？

MOS有時(shí)候是G和D之間擊穿，有時(shí)候是D和S擊穿是跟關(guān)斷損耗有關(guān)系嗎？

圖騰柱我試過了的，還是會(huì)燒，請(qǐng)問我這個(gè)是什么導(dǎo)致關(guān)斷速度太慢了，如果硬件信號(hào)給出來了，軟件沒有及時(shí)關(guān)MOS，導(dǎo)致我這個(gè)電路一直處于關(guān)斷MOS，IN1-電平低于IN1+電平，然后358又輸出高電平導(dǎo)通三極管，后導(dǎo)通MOS的狀態(tài)，一直處于這個(gè)循環(huán)當(dāng)中是否也會(huì)燒MOS管？

圖騰柱我試過了，還是會(huì)燒呢

我一開始就是用LM393，沒有經(jīng)過放大，直接從比較器兩端比較后輸出給三極管的，還是會(huì)燒呢

我一開始就是直接進(jìn)比較器的，還是會(huì)燒呢

菜鳥發(fā)表一下個(gè)人看法：

1、搞個(gè)600V的MOS管40A的MOS管替代以一下，如何還燒壞，則表示是熱損壞，不是電壓擊穿。

2、可以測(cè)試R26電流檢測(cè)電阻上的電壓，G級(jí)輸出低電壓時(shí)，電壓否為零，看mos管是否斷開。

3、R21斷開，換10K電阻接電源和GND，測(cè)試LM358放大和比較輸出驅(qū)動(dòng)G級(jí)響應(yīng)速度。

第3點(diǎn)沒懂呢？能解釋一下怎么測(cè)反應(yīng)速度嗎？

把電流取樣電阻改大一點(diǎn)，測(cè)試電流波與MOS管DS波形，看是不是存在損耗區(qū)比較大

原理圖我看了，與MOS型號(hào)沒關(guān)系，主要還是過流保護(hù)延時(shí)引起的，3.6MS，時(shí)間太長(zhǎng)了，意見：一，358不適合做過流，建議改成393；二，過流要快，中間不要加放大電路，加了會(huì)延時(shí)。一般電流檢測(cè)直接進(jìn)過流保護(hù)，中間不加放大電路；3，時(shí)間從過流到393變低，時(shí)間做好控制在1US左右，否則堵轉(zhuǎn)就燒，這些是經(jīng)驗(yàn)。如果時(shí)間控制在1US左右還燒，我再給你方法；

設(shè)計(jì)的電路不對(duì)呀，電流反饋不對(duì)，想做好要用H橋。