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為什么電機(jī)堵轉(zhuǎn)時(shí)老是燒MOS管,是因?yàn)闆](méi)有及時(shí)保護(hù)嗎?

最近在搞一款電池的榨汁杯,測(cè)堵轉(zhuǎn)的時(shí)候每一次都會(huì)燒MOS管,試過(guò)在芯片讀AD也會(huì)燒,后面改成現(xiàn)在這樣壓會(huì)燒,機(jī)器正常工作的時(shí)候電流大概10~30A,然后MOS管用20V80A,50V60A,30V120A,30V150A的全都會(huì)燒,勾波形出來(lái)358OUT1能正常輸出低電平,由高電平變低電平大概3.6ms左右,紫色的是358OUT1的波形,綠色的是MOS管G極的波形,其實(shí)兩個(gè)波形都基本無(wú)延時(shí)了,可是358輸出低電平的時(shí)間為什么會(huì)這么長(zhǎng)?是因?yàn)檩敵龅碗娖降臅r(shí)間才長(zhǎng),搞到MOS管不能及時(shí)截止所以才燒MOS的嗎?有什么方法可以解決嗎?

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2022-03-13 00:21

關(guān)斷損耗太大了,可以算一下關(guān)斷損耗是不是超過(guò)mos的最大耗散功率了

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2022-03-13 00:26

可以試一下加個(gè)三極管接到G極與地之間,中間再串聯(lián)一個(gè)電阻調(diào)節(jié)關(guān)斷速度,低電平的時(shí)候讓三極管導(dǎo)通,使G極直接下拉到地,提高關(guān)斷速度減小關(guān)斷損耗

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11455355
LV.9
4
2022-03-13 03:55

關(guān)斷速度太慢,來(lái)不及關(guān)斷就過(guò)流損壞MOS了。C7和C13根本就是多余,電容的殘余電荷只會(huì)延遲關(guān)斷。MOS驅(qū)動(dòng)改為圖騰柱驅(qū)動(dòng)或MOS驅(qū)動(dòng)芯片才能改善。

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2022-03-13 12:10

MOS關(guān)斷速度太慢了,用圖騰柱驅(qū)動(dòng)試試。

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cwspads
LV.1
6
2022-03-13 12:28

堵轉(zhuǎn)時(shí)的電流非常大,沒(méi)有及時(shí)的保護(hù)很容易過(guò)流燒管。運(yùn)放速度慢,用LM393比較器試試。

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cwspads
LV.1
7
2022-03-13 12:30

采樣不用放大,放大有延時(shí)。直接進(jìn)比較器就可以了。

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2022-03-13 14:05
@小小蘿卜兒
關(guān)斷損耗太大了,可以算一下關(guān)斷損耗是不是超過(guò)mos的最大耗散功率了

可以教一下我怎么算嗎?

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2022-03-13 14:07
@小小蘿卜兒
可以試一下加個(gè)三極管接到G極與地之間,中間再串聯(lián)一個(gè)電阻調(diào)節(jié)關(guān)斷速度,低電平的時(shí)候讓三極管導(dǎo)通,使G極直接下拉到地,提高關(guān)斷速度減小關(guān)斷損耗

MOS有時(shí)候是G和D之間擊穿,有時(shí)候是D和S擊穿是跟關(guān)斷損耗有關(guān)系嗎?

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dy-xeKZuvxK
LV.1
10
2022-03-13 14:19
@11455355
關(guān)斷速度太慢,來(lái)不及關(guān)斷就過(guò)流損壞MOS了。C7和C13根本就是多余,電容的殘余電荷只會(huì)延遲關(guān)斷。MOS驅(qū)動(dòng)改為圖騰柱驅(qū)動(dòng)或MOS驅(qū)動(dòng)芯片才能改善。

圖騰柱我試過(guò)了的,還是會(huì)燒,請(qǐng)問(wèn)我這個(gè)是什么導(dǎo)致關(guān)斷速度太慢了,如果硬件信號(hào)給出來(lái)了,軟件沒(méi)有及時(shí)關(guān)MOS,導(dǎo)致我這個(gè)電路一直處于關(guān)斷MOS,IN1-電平低于IN1+電平,然后358又輸出高電平導(dǎo)通三極管,后導(dǎo)通MOS的狀態(tài),一直處于這個(gè)循環(huán)當(dāng)中是否也會(huì)燒MOS管?

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dy-xeKZuvxK
LV.1
11
2022-03-13 14:19
@ymyangyong
MOS關(guān)斷速度太慢了,用圖騰柱驅(qū)動(dòng)試試。

圖騰柱我試過(guò)了,還是會(huì)燒呢

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dy-xeKZuvxK
LV.1
12
2022-03-13 14:21
@cwspads
堵轉(zhuǎn)時(shí)的電流非常大,沒(méi)有及時(shí)的保護(hù)很容易過(guò)流燒管。運(yùn)放速度慢,用LM393比較器試試。

我一開(kāi)始就是用LM393,沒(méi)有經(jīng)過(guò)放大,直接從比較器兩端比較后輸出給三極管的,還是會(huì)燒呢

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dy-xeKZuvxK
LV.1
13
2022-03-13 14:22
@cwspads
采樣不用放大,放大有延時(shí)。直接進(jìn)比較器就可以了。

我一開(kāi)始就是直接進(jìn)比較器的,還是會(huì)燒呢

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dy-Mw6MdnZf
LV.1
14
2022-03-13 19:15

菜鳥(niǎo)發(fā)表一下個(gè)人看法:

1、搞個(gè)600V的MOS管40A的MOS管替代以一下,如何還燒壞,則表示是熱損壞,不是電壓擊穿。

2、可以測(cè)試R26電流檢測(cè)電阻上的電壓,G級(jí)輸出低電壓時(shí),電壓否為零,看mos管是否斷開(kāi)。

3、R21斷開(kāi),換10K電阻接電源和GND,測(cè)試LM358放大和比較輸出驅(qū)動(dòng)G級(jí)響應(yīng)速度。

 

 

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dy-xeKZuvxK
LV.1
15
2022-03-13 20:09
@dy-Mw6MdnZf
菜鳥(niǎo)發(fā)表一下個(gè)人看法:1、搞個(gè)600V的MOS管40A的MOS管替代以一下,如何還燒壞,則表示是熱損壞,不是電壓擊穿。2、可以測(cè)試R26電流檢測(cè)電阻上的電壓,G級(jí)輸出低電壓時(shí),電壓否為零,看mos管是否斷開(kāi)。3、R21斷開(kāi),換10K電阻接電源和GND,測(cè)試LM358放大和比較輸出驅(qū)動(dòng)G級(jí)響應(yīng)速度。  

第3點(diǎn)沒(méi)懂呢?能解釋一下怎么測(cè)反應(yīng)速度嗎?

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yingjieso
LV.5
16
2022-03-17 09:55

把電流取樣電阻改大一點(diǎn),測(cè)試電流波與MOS管DS波形,看是不是存在損耗區(qū)比較大

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hpzax
LV.4
17
2022-03-17 11:31

原理圖我看了,與MOS型號(hào)沒(méi)關(guān)系,主要還是過(guò)流保護(hù)延時(shí)引起的,3.6MS,時(shí)間太長(zhǎng)了,意見(jiàn):一,358不適合做過(guò)流,建議改成393;二,過(guò)流要快,中間不要加放大電路,加了會(huì)延時(shí)。一般電流檢測(cè)直接進(jìn)過(guò)流保護(hù),中間不加放大電路;3,時(shí)間從過(guò)流到393變低,時(shí)間做好控制在1US左右,否則堵轉(zhuǎn)就燒,這些是經(jīng)驗(yàn)。如果時(shí)間控制在1US左右還燒,我再給你方法;

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熒火
LV.4
18
2022-03-30 10:51

設(shè)計(jì)的電路不對(duì)呀,電流反饋不對(duì),想做好要用H橋。

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