最近在搞一款電池的榨汁杯,測(cè)堵轉(zhuǎn)的時(shí)候每一次都會(huì)燒MOS管,試過(guò)在芯片讀AD也會(huì)燒,后面改成現(xiàn)在這樣壓會(huì)燒,機(jī)器正常工作的時(shí)候電流大概10~30A,然后MOS管用20V80A,50V60A,30V120A,30V150A的全都會(huì)燒,勾波形出來(lái)358OUT1能正常輸出低電平,由高電平變低電平大概3.6ms左右,紫色的是358OUT1的波形,綠色的是MOS管G極的波形,其實(shí)兩個(gè)波形都基本無(wú)延時(shí)了,可是358輸出低電平的時(shí)間為什么會(huì)這么長(zhǎng)?是因?yàn)檩敵龅碗娖降臅r(shí)間才長(zhǎng),搞到MOS管不能及時(shí)截止所以才燒MOS的嗎?有什么方法可以解決嗎?
為什么電機(jī)堵轉(zhuǎn)時(shí)老是燒MOS管,是因?yàn)闆](méi)有及時(shí)保護(hù)嗎?
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@11455355
關(guān)斷速度太慢,來(lái)不及關(guān)斷就過(guò)流損壞MOS了。C7和C13根本就是多余,電容的殘余電荷只會(huì)延遲關(guān)斷。MOS驅(qū)動(dòng)改為圖騰柱驅(qū)動(dòng)或MOS驅(qū)動(dòng)芯片才能改善。
圖騰柱我試過(guò)了的,還是會(huì)燒,請(qǐng)問(wèn)我這個(gè)是什么導(dǎo)致關(guān)斷速度太慢了,如果硬件信號(hào)給出來(lái)了,軟件沒(méi)有及時(shí)關(guān)MOS,導(dǎo)致我這個(gè)電路一直處于關(guān)斷MOS,IN1-電平低于IN1+電平,然后358又輸出高電平導(dǎo)通三極管,后導(dǎo)通MOS的狀態(tài),一直處于這個(gè)循環(huán)當(dāng)中是否也會(huì)燒MOS管?
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@dy-Mw6MdnZf
菜鳥(niǎo)發(fā)表一下個(gè)人看法:1、搞個(gè)600V的MOS管40A的MOS管替代以一下,如何還燒壞,則表示是熱損壞,不是電壓擊穿。2、可以測(cè)試R26電流檢測(cè)電阻上的電壓,G級(jí)輸出低電壓時(shí),電壓否為零,看mos管是否斷開(kāi)。3、R21斷開(kāi),換10K電阻接電源和GND,測(cè)試LM358放大和比較輸出驅(qū)動(dòng)G級(jí)響應(yīng)速度。
第3點(diǎn)沒(méi)懂呢?能解釋一下怎么測(cè)反應(yīng)速度嗎?
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原理圖我看了,與MOS型號(hào)沒(méi)關(guān)系,主要還是過(guò)流保護(hù)延時(shí)引起的,3.6MS,時(shí)間太長(zhǎng)了,意見(jiàn):一,358不適合做過(guò)流,建議改成393;二,過(guò)流要快,中間不要加放大電路,加了會(huì)延時(shí)。一般電流檢測(cè)直接進(jìn)過(guò)流保護(hù),中間不加放大電路;3,時(shí)間從過(guò)流到393變低,時(shí)間做好控制在1US左右,否則堵轉(zhuǎn)就燒,這些是經(jīng)驗(yàn)。如果時(shí)間控制在1US左右還燒,我再給你方法;
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