RClamp0522P 是一種超低電容TVS（瞬態(tài)電壓抑制器）陣列，設(shè)計用于在連接到高速數(shù)據(jù)線時保護敏感半導(dǎo)體元件免受電應(yīng)力過大的影響。RClamp0522P 的超低電容（0.35pF典型I/O到I/O）確保了在tc 3.5GHz以上的數(shù)據(jù)速率下可以忽略信號衰減。固態(tài)結(jié)構(gòu)確?？焖賷A緊ESD（靜電放電）、EFT（電快速瞬變）或CDE（電纜放電事件）產(chǎn)生的電過應(yīng)力瞬變。

 ■除了超低電容外，RClamp0522P 還提供卓越的浪涌電流能力和出色的電壓箝位性能。浪涌電流能力（8x20μs）的額定值為7A；大約比行業(yè)標準高33%。此外，1.9的緊箝位比（VCVRWM）（通常為1A）確保了有害瞬態(tài)被快速箝位，并接近電路的正常工作電壓。超緊夾緊比比行業(yè)標準高30%，確保了對敏感集成電路的卓越保護。

 RClamp0522P 設(shè)計用于保護多達兩條數(shù)據(jù)線。它封裝在符合RoHS/WEEE標準的6引腳DFN中，具有0.55mm（標稱）的極低封裝外形。超低電容、高浪涌能力、緊箝位比和低封裝外形的組合使RClamp0522P 成為當今ESD敏感、空間受限應(yīng)用的理想選擇。

 特征

■ESD保護符合以下要求：

▲IEC 61000-4-2，±18kV觸點，±30kV空氣

▲IEC 61000-4-5（閃電）7A（8/20μs）

▲IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）

■緊密的夾緊比V-C/V-RWM確保了卓越的保護

■高反向浪涌電流，lPP，容量

■低怠速電流將待機功耗降至低

■低調(diào)的DFN封裝

■為高速線路優(yōu)化的封裝設(shè)計

■貫穿設(shè)計

■保護兩條l/O線

■低電容：0.35pF典型值（I/O至I/O）

■低工作電壓：5V

■固態(tài)硅雪崩技術(shù)