滿載一般在15分鐘左右燒,燒時沒有聲音,且壞的管字表面也很好.
3854B典型電路,電感用鐵規(guī)鋁兩個57大的,電感量550UH,IGBT型號IRG49C50W兩個并聯(lián),頻率30K.
搞好幾天了實在沒辦法了,希望各位幫忙想想辦法啊?先謝了!
3000Wpfc老化燒功率管?請問各位是啥原因?
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@zyhuang
zjhyln兄,你說的還有就是高壓引到了驅(qū)動部分,燒門極了?如果是這樣要怎么解決呢?
我做的電路也是,市電經(jīng)過調(diào)壓器(220-220)在接到電路,工作正常,但是直接接市電,沒有經(jīng)過調(diào)壓器,工作中卻出現(xiàn)一組柵極擊穿了,這個是什么原因??調(diào)壓器是自耦,沒有隔離啊,如果是隔離變壓器那還好解釋,起碼隔離干擾了,惟獨不同的是中間加了調(diào)壓器在輸出大功率時,調(diào)壓器本身消耗了30V電壓,而直接接220V市電輸入基本不跌,
是什么原因?qū)е碌哪??
是什么原因?qū)е碌哪??
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@牽只螞蟻散步
IGBT太熱了吧,這么大功率散熱是個問題,直接測測IGBT的溫度.千萬不要測IGBT散散熱片的溫度.
zjhyln,lxj5567二位老兄對溫度很有見解,也較重視.我也來補充下.
這么大的功率,管子不發(fā)燙好象不大可能.你的散熱片才50度左右的溫度,沒有必要再加個風扇了.個人認為,你很可能是誤測.建議你測試IGBT與散熱片的溫度,監(jiān)測溫度在15分鐘上升的過程,看看管子的熱是否有傳到散熱片上去.二點的溫差太大的話,很容易炸機.要燒機時的溫度是最高的,不要燒啦管子后再去看溫度,這時的溫度已經(jīng)下降啦,至少下降20-30度.已經(jīng)不準確啦.可以試用下我司產(chǎn)品(陶瓷傳熱片),傳熱快,短時間內(nèi)將熱傳遞到散熱片,保護你的管子.
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這么大的功率,管子不發(fā)燙好象不大可能.你的散熱片才50度左右的溫度,沒有必要再加個風扇了.個人認為,你很可能是誤測.建議你測試IGBT與散熱片的溫度,監(jiān)測溫度在15分鐘上升的過程,看看管子的熱是否有傳到散熱片上去.二點的溫差太大的話,很容易炸機.要燒機時的溫度是最高的,不要燒啦管子后再去看溫度,這時的溫度已經(jīng)下降啦,至少下降20-30度.已經(jīng)不準確啦.可以試用下我司產(chǎn)品(陶瓷傳熱片),傳熱快,短時間內(nèi)將熱傳遞到散熱片,保護你的管子.

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@zyhuang
具體情況是這樣,在2500W時老化24小時都沒有問題,如果再加500W就不到5分鐘就不行了,燒輸入保險,拆下管子表面完好,無損,用萬用表測試DS端5K左右.
UC3854的開關管和二極管都工作在硬開關的狀態(tài),主要帶來以下問題:
(1)開通時開關管的電流上升和電壓下降同時進行,關斷時開關管的電流下降和電壓上升同時進行,使開關管的開通和關斷損耗大;
(2)當開關器件關斷時,感性元件感應出較大的尖峰電壓,有可能造成開關管電壓擊穿;
(3)當開關器件開通時,開關器件結(jié)電容中儲存的能量有可能引起開關器件過熱損壞;
(4)二極管由導通變?yōu)榻刂箷r存在反向恢復問題,容易造成直流電源瞬間短路.
(1)開通時開關管的電流上升和電壓下降同時進行,關斷時開關管的電流下降和電壓上升同時進行,使開關管的開通和關斷損耗大;
(2)當開關器件關斷時,感性元件感應出較大的尖峰電壓,有可能造成開關管電壓擊穿;
(3)當開關器件開通時,開關器件結(jié)電容中儲存的能量有可能引起開關器件過熱損壞;
(4)二極管由導通變?yōu)榻刂箷r存在反向恢復問題,容易造成直流電源瞬間短路.
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@
UC3854的開關管和二極管都工作在硬開關的狀態(tài),主要帶來以下問題: (1)開通時開關管的電流上升和電壓下降同時進行,關斷時開關管的電流下降和電壓上升同時進行,使開關管的開通和關斷損耗大; (2)當開關器件關斷時,感性元件感應出較大的尖峰電壓,有可能造成開關管電壓擊穿; (3)當開關器件開通時,開關器件結(jié)電容中儲存的能量有可能引起開關器件過熱損壞; (4)二極管由導通變?yōu)榻刂箷r存在反向恢復問題,容易造成直流電源瞬間短路.
http://bbs.dianyuan.com/topic/211995
看看這個貼子 也許對你有些幫助
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設計上使用IGBT有很大的問題,兩只IGBT并聯(lián)表現(xiàn)更嚴重,我不清楚你是否知道IGBT在過流關閉時需要軟關閉?中然現(xiàn)在IGBT大部份可以不需要負壓關閉與在較高的頻率下工作,但在這種情況下采用兩只IGBT并聯(lián),如果關閉時間過慢那么發(fā)熱量增大,如果關閉時間太快那么會有一只管子關閉會落后于另外一只管子.
還有就是BOOST電感的設計,不知為什么要選擇500uH,雖然工作于CCM模式有利于EMI與降低開關管峰值電流,但太大的電感容易使磁芯飽和,一但出現(xiàn)飽和開關管的峰值電流將會大大增加,也是導至開關管損壞的一個重要因數(shù).
還有就是BOOST電感的設計,不知為什么要選擇500uH,雖然工作于CCM模式有利于EMI與降低開關管峰值電流,但太大的電感容易使磁芯飽和,一但出現(xiàn)飽和開關管的峰值電流將會大大增加,也是導至開關管損壞的一個重要因數(shù).
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@abing
設計上使用IGBT有很大的問題,兩只IGBT并聯(lián)表現(xiàn)更嚴重,我不清楚你是否知道IGBT在過流關閉時需要軟關閉?中然現(xiàn)在IGBT大部份可以不需要負壓關閉與在較高的頻率下工作,但在這種情況下采用兩只IGBT并聯(lián),如果關閉時間過慢那么發(fā)熱量增大,如果關閉時間太快那么會有一只管子關閉會落后于另外一只管子.還有就是BOOST電感的設計,不知為什么要選擇500uH,雖然工作于CCM模式有利于EMI與降低開關管峰值電流,但太大的電感容易使磁芯飽和,一但出現(xiàn)飽和開關管的峰值電流將會大大增加,也是導至開關管損壞的一個重要因數(shù).
關注中
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@abing
設計上使用IGBT有很大的問題,兩只IGBT并聯(lián)表現(xiàn)更嚴重,我不清楚你是否知道IGBT在過流關閉時需要軟關閉?中然現(xiàn)在IGBT大部份可以不需要負壓關閉與在較高的頻率下工作,但在這種情況下采用兩只IGBT并聯(lián),如果關閉時間過慢那么發(fā)熱量增大,如果關閉時間太快那么會有一只管子關閉會落后于另外一只管子.還有就是BOOST電感的設計,不知為什么要選擇500uH,雖然工作于CCM模式有利于EMI與降低開關管峰值電流,但太大的電感容易使磁芯飽和,一但出現(xiàn)飽和開關管的峰值電流將會大大增加,也是導至開關管損壞的一個重要因數(shù).
居然是IGBT并聯(lián)的結(jié)構(gòu)???那東西是負溫度系數(shù)的啊,一旦產(chǎn)生熱點就會過熱的.
這個……
換個mosfet試試不?
這個……
換個mosfet試試不?
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