小弟第一次做開關(guān)電源,打算選用DC-DC芯片做,

我是12V輸入,-,+16V/2A 輸出

發(fā)現(xiàn)做DC-DC的NMOS管有一個(gè)特點(diǎn)
就是低的導(dǎo)通電阻和低的Qg,logic level
一般我看到如果用DC-DC芯片做電源的話都用SO-8封裝的,都是針對DC-DC轉(zhuǎn)換優(yōu)化了的~~~包括出大電流與大功率的很多都用那種SO8的NMOS,
但是同時(shí)也有一些參數(shù)和價(jià)格和SO8差不多的也是低導(dǎo)通電阻,低Qg,logic level的DPAK,與D2PAK的NMOS管,我想問一下,一般使用哪種較好一點(diǎn)??
我看到一般的demo板上都用SO8封裝的,總覺得SO8的出大功率不太靠譜~~~~

謝謝~~~
如果我不用那種SO8的用DPAK或者D2PAK的要注意什么?

是不是Qg這個(gè)參數(shù)影響了DC-DC以及NMOS的開關(guān)功耗?
還是NMOS的幾個(gè)極的分布電容??

還有在開關(guān)電源中的電容如何選取?
看資料上說是要低ESR的
我現(xiàn)在的方法是用幾個(gè)X7R的ceramic電容并聯(lián)再與幾個(gè)大的電解電容并聯(lián),來減小ESR,不知道可行不?