PMOS管不好找.

鑒于目前半導(dǎo)體工藝上的原因,P溝道MOS管很難做到低內(nèi)阻,且造價(jià)高.N溝道MOS管很容易做到低內(nèi)阻.因此,多用N溝道MOS管.

由于NMOS需要一個(gè)啟動(dòng)電壓,在低的Ron又有什么用?

呵呵!要個(gè)電壓那就容易的多了.

如何理解?G端電壓比D端高出一個(gè)啟動(dòng)電壓?

一般RDS(ON)非常小,在導(dǎo)通時(shí)D與S電壓幾乎一樣;“G端電壓比D端高出一個(gè)啟動(dòng)電壓”實(shí)際上就是G端電壓比D端高出一個(gè)啟動(dòng)電壓.這是N溝道MOS管導(dǎo)通的必要條件.

低的Ron預(yù)示著開關(guān)導(dǎo)通損耗低;很多情況下一個(gè)二極管+一個(gè)電容就可以組成一個(gè)電荷泵來給NMOS管供電.

倍壓電路嗎?

非也.

P-MOS導(dǎo)通難道不需要?!Vgs500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/69/2073861221196068.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

PMOS的Vgs容易實(shí)現(xiàn)吧

G相對(duì)S為負(fù)值.假如12V輸入的BUCK電路,G為0V時(shí)MOS管開通,G為12V時(shí)關(guān)斷.

這個(gè)VGS電路具體是如何實(shí)現(xiàn)的?

用NMOS做開關(guān)的BUCK電路一般在DS短端會(huì)有一個(gè)小的啟動(dòng)電容,就是考這樣來完成IC的工作啟動(dòng),但是用PMOS的BUCK這個(gè)啟動(dòng)電容就不用加了
這個(gè)是AOZ1212的外圍電路和內(nèi)部電路,用的是NMOS,加了自舉電容.
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/69/642611221730702.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/69/642611221730733.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

這個(gè)是AOZ1014的外圍電路和內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖,沒有加這個(gè)啟動(dòng)電容
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關(guān)注!1!

嘿嘿,好好笑啊,其實(shí)真實(shí)的原因是:N在字母表里排在P前面,所以大家都用Nmos

NMOS導(dǎo)通需要gs有一個(gè)正壓,1212導(dǎo)通時(shí),必須通過自舉電容來獲取gs的正壓

pmos導(dǎo)通gs需要一個(gè)負(fù)壓,即G端電壓要小于s端電壓,這樣ic實(shí)現(xiàn)起來就很方便了,不用之舉電容.

但是pmos沒有nmos流行的原因是,pmos導(dǎo)通壓降大,效率低,同時(shí)p排在n后面,大家找元器件的時(shí)候不容易看大,哈哈哈哈

這個(gè)自舉電路具體是如何實(shí)現(xiàn)的?

Pmos的同態(tài)電阻比NMOS大,輸入電壓低,而且還有成本問題,所以開關(guān)電源主開關(guān)管很少用PMOS

我當(dāng)時(shí)也問我我的PM，

結(jié)論是：PMOS工藝不如NMOS好，Rdson很大，對(duì)與大電流的產(chǎn)品不適用。

但是Pmos在Buck的應(yīng)用中不是浮驅(qū)，無需Boot容，因而在功率很小的情況下，為了簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)可以采用Pmos

是的,的確是工藝問題.

不過在一些低壓小功率buck中,PMOS還是有很多應(yīng)用.

呵呵！P的高壓和電流參數(shù)相對(duì)于N MOS管來說，選擇的范圍小了很多，如果P的參數(shù)做的比N的好的話，大家也會(huì)更多的使用的！

NMOS的多數(shù)載流子是 電子，PMOS的多數(shù)載流子是空穴，所以同樣面積的溝道，NMOS的導(dǎo)通內(nèi)阻更低，工藝上做起來更容易，成本也更低，這是其特性決定了的

電子的漂移速度是空穴的3倍