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開關(guān)電源mosfet炸機(jī)

最近在客戶端出現(xiàn)了一個很不正常的問題,就是mosfet劑穿,而且數(shù)量很多,目前在工廠的製程中也出現(xiàn)此問題,
線路圖如下(輸出為5V,1.6A,客戶直接通市電出現(xiàn)不良)
其中pwm ic為OB2262,MOSFET使用為IPS FTA04N65,在客戶端損壞的零件有R6,D7,R10,U1,其中的VGS和VDS電壓均已經(jīng)測試,波形如下,U1的啟動電阻為1000K,(R3,R4),吸收回路未損壞,已經(jīng)把不良零件給供應(yīng)商去分析,其結(jié)果為EOS,產(chǎn)線制程OK,請各位看看,還需要測試那些參數(shù)啊. 685561222338847.doc
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2008-09-26 00:46
1.應(yīng)該跟客戶端使用的用電環(huán)境應(yīng)該有關(guān)系,如電網(wǎng)波動, 突然間超出了MOS的耐壓承受能力.
2.電氣過載,
以上是可能原因,
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LV.1
3
2008-09-26 09:34
@river-2008
1.應(yīng)該跟客戶端使用的用電環(huán)境應(yīng)該有關(guān)系,如電網(wǎng)波動,突然間超出了MOS的耐壓承受能力.2.電氣過載,以上是可能原因,
要把IC的SENSE負(fù)壓控制在-0.3V以下,不然開機(jī)很容易炸.
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2008-09-26 11:36
@
要把IC的SENSE負(fù)壓控制在-0.3V以下,不然開機(jī)很容易炸.
請教為什么我測試mos的Vds電壓最小值有-20V啊,是不是和我的示波器的探棒有關(guān)系啊??
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why_why
LV.3
5
2008-09-26 21:50
我的理解:電路中R7和c4應(yīng)該不用裝,參考原廠的DATASHEET即可了.否則會引起電流檢測不準(zhǔn)確,引起電流過大,磁芯飽和炸機(jī).MOS耐壓足夠了.
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morning
LV.7
6
2008-09-26 22:45
@why_why
我的理解:電路中R7和c4應(yīng)該不用裝,參考原廠的DATASHEET即可了.否則會引起電流檢測不準(zhǔn)確,引起電流過大,磁芯飽和炸機(jī).MOS耐壓足夠了.
R7和C4一般都需要的,做前沿消隱
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morning
LV.7
7
2008-09-26 22:51
開關(guān)機(jī)波形拿出來看下.感覺是R10先壞的,有可能是開關(guān)機(jī)的時候變壓器飽和.如果已經(jīng)量產(chǎn)了,你的麻煩就大了.
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okpy
LV.1
8
2008-09-27 08:42
@morning
開關(guān)機(jī)波形拿出來看下.感覺是R10先壞的,有可能是開關(guān)機(jī)的時候變壓器飽和.如果已經(jīng)量產(chǎn)了,你的麻煩就大了.
最好檢測一下 Sense端的信號變化Vsense Input Voltage Maximum Rating:-0.3~7 Volts

U1(OB2262) 要是 工作異常 那燒T1的可能性就很大了
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hlp330
LV.9
9
2008-09-27 10:55
@okpy
最好檢測一下Sense端的信號變化VsenseInputVoltageMaximumRating:-0.3~7VoltsU1(OB2262)要是工作異常那燒T1的可能性就很大了
T1 的G級為什么不加下拉電阻,這樣的話T1可以100%關(guān)斷嗎?
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賀濤
LV.2
10
2008-09-27 11:33
頂一下,最好測測mosfe與外界的導(dǎo)熱參數(shù)
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alex0663
LV.5
11
2008-09-27 12:04
有可能和小的快恢復(fù)二極管,有關(guān)系.
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rixovj520
LV.4
12
2008-10-08 08:52
@river-2008
1.應(yīng)該跟客戶端使用的用電環(huán)境應(yīng)該有關(guān)系,如電網(wǎng)波動,突然間超出了MOS的耐壓承受能力.2.電氣過載,以上是可能原因,
電網(wǎng)波動的因素基本可以排除,在生產(chǎn)中我們使用264V測試,而在客戶端只有220V的市電,
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rixovj520
LV.4
13
2008-10-08 08:55
@morning
開關(guān)機(jī)波形拿出來看下.感覺是R10先壞的,有可能是開關(guān)機(jī)的時候變壓器飽和.如果已經(jīng)量產(chǎn)了,你的麻煩就大了.
開關(guān)機(jī)的波形正常,且我把那些現(xiàn)象重新模擬下,只有T1擊穿時才能造成拿麼多零件的不良.產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)了,所以我們的RD暫時不接受此客退,只能我們PE來分析.
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姚彪1
LV.1
14
2010-08-22 21:23
@alex0663
有可能和小的快恢復(fù)二極管,有關(guān)系.

電源開關(guān)MOS是使用6N62的管子，電源芯片是OB2263芯片驅(qū)動，使用中經(jīng)常出現(xiàn)炸板現(xiàn)象，請各位看看,還需要測試那些參數(shù)，分析是什么原因？

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evdi
LV.6
15
2010-08-22 22:45
@姚彪1
電源開關(guān)MOS是使用6N62的管子，電源芯片是OB2263芯片驅(qū)動，使用中經(jīng)常出現(xiàn)炸板現(xiàn)象，請各位看看,還需要測試那些參數(shù)，分析是什么原因？

給幾個意見參考下

1復(fù)查采樣電阻的功率是否足夠大

2對mos做失效分析，看里面的die是否有瑕疵

3mos在開關(guān)的時候會有一定振蕩，驅(qū)動電路改進(jìn)下，也可以在mos的G到地價格10k的電阻

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冰上鴨子
LV.10
16
2010-08-23 08:50
@evdi
給幾個意見參考下1復(fù)查采樣電阻的功率是否足夠大2對mos做失效分析，看里面的die是否有瑕疵3mos在開關(guān)的時候會有一定振蕩，驅(qū)動電路改進(jìn)下，也可以在mos的G到地價格10k的電阻
MOS  的GS之間為什么沒有放電電阻阿?
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cheng111
LV.11
17
2010-08-23 09:54
會不會與U1的VCC腳電壓有關(guān)，傳個電路圖看看...有可能是VCC的電壓把OB2262損壞了...
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JUSTSOSOSO
LV.1
18
2010-08-23 11:03

vcc和輔助繞組之間是否應(yīng)該加個電阻？

變壓器工藝怎么樣？漏感控制得好嗎？RCD吸收回路是否設(shè)計合理？

1M的電阻有點(diǎn)小么？我一般都是1.5M加一個510K的。


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