500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/70/56691224207317.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

沒有高手嗎

這個(gè)問題不用高手回答.
    這個(gè)保護(hù)能起到作用嗎?自己想一下,可控硅的正向?qū)妷菏嵌嗌?和三極管的基極電壓差多少?能把基極電壓拉低嗎?

不理解,怎么不能拉低?

批量做,部分保護(hù)炸掉

他說的是接上管基極.

對

不好意思,我看錯(cuò)了!有沒有同時(shí)把DB3的電壓拉低?

怎么在可控硅前面又加一個(gè)大電解?保護(hù)電路動(dòng)作時(shí)間可能有點(diǎn)長

把接穩(wěn)壓管正極的小電解換成幾K的電阻看看

拉上管就把圖全標(biāo)出來呀,圖是標(biāo)準(zhǔn)的,還不好意思拉出來,就怕你接的不對.不然分析也沒有用.
單從你傳的這一部分電路圖來講,可控硅的控制極上最好并個(gè)電阻,和電解并聯(lián),用電解也是可行的.用單電解的速度可能不夠快.

另外一個(gè)重要的部分,你的E電阻太少了,如果你是APFC的,炸也很正常的,加大到1R以上會(huì)有改善的.

另外,減少取樣電阻的阻值,把取樣速度加快也會(huì)有改善.

考慮到一個(gè)點(diǎn),.如果不接保護(hù)電路,電路接成異常狀態(tài),看電路能否撐上2秒.如果撐不了就要找其它地方的問題了.