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請(qǐng)高度關(guān)注:討教肖特基二極管反向耐壓的問題!!!

關(guān)于20A/100V肖特基二極管的反向耐壓,這里有三家廠商的不同描述:
1,ST,只有Vrrm.

2,IR,有Vr,Vrwm.

3,DIODES,有Vrrm,Vrwm,Vr,Vr(rms).

這里想請(qǐng)問一下,這些參數(shù)究竟是什么意思?如何測(cè)試的?

我最終想解決的問題是:用示波器量測(cè)反激式開關(guān)電源的輸出二極管,波形如下.如果用100MHz帶寬的示波器,最大峰值為98.6V,可以滿足零件規(guī)格(不超過100V);但如果用300MHz帶寬的示波器,最大峰值為110V,超出了零件規(guī)格.那我現(xiàn)在是想問,這種情況是必須變更設(shè)計(jì)?
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2008-10-22 13:14
幫你頂
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孤燈下
LV.7
3
2008-10-22 14:02
@kinderla01
幫你頂
謝謝你!
我想這個(gè)問題,應(yīng)該有很多人想知道答案.
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ice127
LV.4
4
2008-10-22 14:32
@孤燈下
謝謝你!我想這個(gè)問題,應(yīng)該有很多人想知道答案.
我個(gè)人認(rèn)為電壓98.6V也不能滿足100V的管子,因?yàn)樵谪?fù)載開機(jī)工作的瞬間有個(gè)沖擊電壓尖峰或電流過載時(shí)也有上升電壓可能超過100V.
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孤燈下
LV.7
5
2008-10-22 15:04
@ice127
我個(gè)人認(rèn)為電壓98.6V也不能滿足100V的管子,因?yàn)樵谪?fù)載開機(jī)工作的瞬間有個(gè)沖擊電壓尖峰或電流過載時(shí)也有上升電壓可能超過100V.
這個(gè)波形,就是在空載切換到滿載,經(jīng)過多次切換,示波器才觸發(fā)抓取到的!
如果是軟啟動(dòng)的IC,開機(jī)瞬間,不是最大的!
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孤燈下
LV.7
6
2008-10-22 16:11
自己再頂下!
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yuyan
LV.9
7
2008-10-22 19:55
@孤燈下
自己再頂下!
不知道你用的什么品牌?
我也遇到同樣的問題,常溫和高溫工作都沒問題,但在高溫,高壓270-300V短路發(fā)現(xiàn)漏電流太大,相當(dāng)于短路,但到了常溫電源工作正常,后來?yè)Q150V/20A肖特基,高溫短路OK.
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孤燈下
LV.7
8
2008-10-22 20:11
@yuyan
不知道你用的什么品牌?我也遇到同樣的問題,常溫和高溫工作都沒問題,但在高溫,高壓270-300V短路發(fā)現(xiàn)漏電流太大,相當(dāng)于短路,但到了常溫電源工作正常,后來?yè)Q150V/20A肖特基,高溫短路OK.
就是這三個(gè)品牌!
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yuyan
LV.9
9
2008-10-22 20:21
@孤燈下
就是這三個(gè)品牌!
"如果用100MHz帶寬的示波器,最大峰值為98.6V"
這時(shí)AC輸入是幾多伏?
如果是在最高端,一般使用應(yīng)該沒什么問題.
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孤燈下
LV.7
10
2008-10-22 20:31
@yuyan
"如果用100MHz帶寬的示波器,最大峰值為98.6V"這時(shí)AC輸入是幾多伏?如果是在最高端,一般使用應(yīng)該沒什么問題.
最高輸入,264Vac!

事實(shí)上,可能二極管是壞不了的!但也沒有人真正去實(shí)驗(yàn)過.
不過,道理上怎么去說服別人呢?DIODES那個(gè),四種電壓都是100V,你超過100V(300MHz帶寬測(cè)到的尖峰)使用,憑什么說壞不了.
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孤燈下
LV.7
11
2008-10-22 22:48
自己再頂下!
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孤燈下
LV.7
12
2008-10-23 08:51
自己再頂下!
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weier
LV.4
13
2008-10-23 09:46
@孤燈下
自己再頂下!
耐壓有2-5V的佘量就可以了
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孤燈下
LV.7
14
2008-10-23 11:32
@weier
耐壓有2-5V的佘量就可以了
有些公司的規(guī)范是:
1,>1uS,滿足80% Derating;
2,<1uS,滿足100% Derating,即不超過規(guī)格.
就是說峰值這種,不超過100V就行.跟你所說的2-5V余量很接近!

現(xiàn)在的問題是,他用300MHz帶寬的示波器量測(cè),峰值會(huì)多出十幾V,你如何判定它是OK的?
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孤燈下
LV.7
15
2008-10-23 11:40
請(qǐng)高手針對(duì)DIODES規(guī)格書上的四個(gè)規(guī)格(Vrrm,Vrwm,Vr,Vr(rms))說說差異及使用注意事項(xiàng)!
所有規(guī)格都調(diào)試好了,然后提這個(gè)峰值超標(biāo),確實(shí)是難以變更設(shè)計(jì).
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孤燈下
LV.7
16
2008-10-23 16:11
@孤燈下
請(qǐng)高手針對(duì)DIODES規(guī)格書上的四個(gè)規(guī)格(Vrrm,Vrwm,Vr,Vr(rms))說說差異及使用注意事項(xiàng)!所有規(guī)格都調(diào)試好了,然后提這個(gè)峰值超標(biāo),確實(shí)是難以變更設(shè)計(jì).
論壇里有沒有二極管的FAE,請(qǐng)幫忙回復(fù)一下!
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LV.1
17
2008-10-23 16:31
我覺得這關(guān)系到一個(gè)示波器的頻寬問題,頻寬越高,測(cè)試所得數(shù)據(jù)越大.請(qǐng)教下各位:測(cè)試電路中半導(dǎo)體零件的電壓時(shí)是否對(duì)示波器的帶寬有限制呢?比如測(cè)試輸出漣波時(shí)都是用20M的帶寬進(jìn)行測(cè)試的.
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LV.1
18
2008-10-23 16:53
@孤燈下
網(wǎng)上僅能找的解釋如下:VR---反向工作電壓(反向直流電壓).VRM---反向峰值電壓(最高測(cè)試電壓)...VRRM---反向重復(fù)峰值電壓(反向浪涌電壓).VRWM---反向工作峰值電壓到目前為止,沒有任何一家Diode廠商對(duì)“Vrrm,Vrwm,Vr,Vr(rms)”定義過帶寬!但是,很多客戶用1GHz帶寬的示波器在做產(chǎn)品驗(yàn)證,說二極管反向耐壓有問題,我們不知道該如何解釋!
DIODE的生產(chǎn)廠家的測(cè)試儀器不是用示波器來測(cè)試的.
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孤燈下
LV.7
19
2008-10-23 17:05
@
我覺得這關(guān)系到一個(gè)示波器的頻寬問題,頻寬越高,測(cè)試所得數(shù)據(jù)越大.請(qǐng)教下各位:測(cè)試電路中半導(dǎo)體零件的電壓時(shí)是否對(duì)示波器的帶寬有限制呢?比如測(cè)試輸出漣波時(shí)都是用20M的帶寬進(jìn)行測(cè)試的.
網(wǎng)上僅能找的解釋如下:
VR---反向工作電壓(反向直流電壓).
VRM---反向峰值電壓(最高測(cè)試電壓) ...
VRRM-- -反向重復(fù)峰值電壓(反向浪涌電壓).
VRWM---反向工作峰值電壓

到目前為止,沒有任何一家Diode廠商對(duì)“Vrrm,Vrwm,Vr,Vr(rms)”定義過帶寬!但是,很多客戶用1GHz帶寬的示波器在做產(chǎn)品驗(yàn)證,說二極管反向耐壓有問題,我們不知道該如何解釋!
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孤燈下
LV.7
20
2008-10-23 17:24
@
DIODE的生產(chǎn)廠家的測(cè)試儀器不是用示波器來測(cè)試的.
不知廠商是如何定義“峰值電壓”的?占空比多大?頻率多高?弦波,還是方波?
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yougy
LV.5
21
2008-10-23 17:50
@孤燈下
不知廠商是如何定義“峰值電壓”的?占空比多大?頻率多高?弦波,還是方波?
只要雪崩能量足夠大,尖峰高點(diǎn)是不致于損壞管子的,用300MHZ示波器測(cè)試,確實(shí)有點(diǎn)雞蛋里挑骨頭了,尖峰大的話,吸收可以適當(dāng)加大,或者選用150V管子,這樣比較可靠.
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孤燈下
LV.7
22
2008-10-23 18:20
@yougy
只要雪崩能量足夠大,尖峰高點(diǎn)是不致于損壞管子的,用300MHZ示波器測(cè)試,確實(shí)有點(diǎn)雞蛋里挑骨頭了,尖峰大的話,吸收可以適當(dāng)加大,或者選用150V管子,這樣比較可靠.
你說的是“Non-Repetitive Avalanche Energy”么?這個(gè)能量的含義是什么?附注在后面的“TJ = 25 °C, IAS = 2 Amps, L = 12 mH”表示什么意思?
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孤燈下
LV.7
23
2008-10-24 08:11
自己再頂!
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yougy
LV.5
24
2008-10-24 10:25
@孤燈下
自己再頂!
肖特基 MOS管等通常有個(gè)雪崩能量,電源在瞬態(tài)情況下前者應(yīng)力可能會(huì)超標(biāo),但是只要不大于雪崩能量,應(yīng)該對(duì)管子沒有影響.
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孤燈下
LV.7
25
2008-10-24 17:32
@yougy
肖特基MOS管等通常有個(gè)雪崩能量,電源在瞬態(tài)情況下前者應(yīng)力可能會(huì)超標(biāo),但是只要不大于雪崩能量,應(yīng)該對(duì)管子沒有影響.
我只聽說MOS管有雪崩能量一說!規(guī)格書上也確實(shí)寫了.
對(duì)肖特基之雪崩能量,能否發(fā)個(gè)規(guī)格書上來看看?或者是相關(guān)的技術(shù)文章.
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hqyzh
LV.6
26
2008-10-24 20:48
@孤燈下
我只聽說MOS管有雪崩能量一說!規(guī)格書上也確實(shí)寫了.對(duì)肖特基之雪崩能量,能否發(fā)個(gè)規(guī)格書上來看看?或者是相關(guān)的技術(shù)文章.
也 也想了解
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孤燈下
LV.7
27
2008-10-24 20:52
再頂一下!
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linwanhui
LV.3
28
2008-10-25 15:15
我也碰到過這樣的問題,關(guān)注中
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2008-10-25 19:36
@孤燈下
再頂一下!
幾個(gè)公司的參數(shù)其實(shí)不矛盾, 只是DIODES公司的數(shù)據(jù)最詳細(xì).

肖特基管不能承受任何雪崩能量的,所以理論上反壓是一點(diǎn)都不能超出的.所以設(shè)計(jì)時(shí)要用電壓降額(DERATING)使用,一般按包括尖峰電壓算,在最壞情況下的電壓降額允許為80-90%.

示波器和探頭是有寄生電容的, 接上探頭測(cè)量時(shí), 相當(dāng)于并聯(lián)了一個(gè)SNUBBER電路,所以測(cè)量值比實(shí)際值要低一點(diǎn), 同樣的,不同帶寬測(cè)出來的數(shù)也不一樣.

此外,客戶是上帝. 哈哈! 所以改進(jìn)是必要的.

從波形看,尖峰太高了,不需要換管. 估計(jì)可以微調(diào)吸收(SNUBBER)電路參數(shù)來降低這個(gè)尖峰電壓, 也或者是PCB LAYOUT不好, SNUBBER電路回路太遠(yuǎn)? 變壓器耦合不好?
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孤燈下
LV.7
30
2008-10-26 15:54
@deep_thought
幾個(gè)公司的參數(shù)其實(shí)不矛盾,只是DIODES公司的數(shù)據(jù)最詳細(xì).肖特基管不能承受任何雪崩能量的,所以理論上反壓是一點(diǎn)都不能超出的.所以設(shè)計(jì)時(shí)要用電壓降額(DERATING)使用,一般按包括尖峰電壓算,在最壞情況下的電壓降額允許為80-90%.示波器和探頭是有寄生電容的,接上探頭測(cè)量時(shí),相當(dāng)于并聯(lián)了一個(gè)SNUBBER電路,所以測(cè)量值比實(shí)際值要低一點(diǎn),同樣的,不同帶寬測(cè)出來的數(shù)也不一樣.此外,客戶是上帝.哈哈!所以改進(jìn)是必要的.從波形看,尖峰太高了,不需要換管.估計(jì)可以微調(diào)吸收(SNUBBER)電路參數(shù)來降低這個(gè)尖峰電壓,也或者是PCBLAYOUT不好,SNUBBER電路回路太遠(yuǎn)?變壓器耦合不好?
從調(diào)整EMI節(jié)約共模電感的角度考慮,變壓器采用了非三明治繞法,漏感比較大,以致Ring部分較大.12V/1A輸出,實(shí)際圈比是128:20.這個(gè)圈比不算低啊!
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孤燈下
LV.7
31
2008-10-26 15:59
@deep_thought
幾個(gè)公司的參數(shù)其實(shí)不矛盾,只是DIODES公司的數(shù)據(jù)最詳細(xì).肖特基管不能承受任何雪崩能量的,所以理論上反壓是一點(diǎn)都不能超出的.所以設(shè)計(jì)時(shí)要用電壓降額(DERATING)使用,一般按包括尖峰電壓算,在最壞情況下的電壓降額允許為80-90%.示波器和探頭是有寄生電容的,接上探頭測(cè)量時(shí),相當(dāng)于并聯(lián)了一個(gè)SNUBBER電路,所以測(cè)量值比實(shí)際值要低一點(diǎn),同樣的,不同帶寬測(cè)出來的數(shù)也不一樣.此外,客戶是上帝.哈哈!所以改進(jìn)是必要的.從波形看,尖峰太高了,不需要換管.估計(jì)可以微調(diào)吸收(SNUBBER)電路參數(shù)來降低這個(gè)尖峰電壓,也或者是PCBLAYOUT不好,SNUBBER電路回路太遠(yuǎn)?變壓器耦合不好?
最好是有理論支持,或者是二極管原廠的權(quán)威說明,否則以300MHz帶寬示波器的測(cè)試結(jié)果做判定標(biāo)準(zhǔn),總叫人“口服心不服”!改天,又換個(gè)1GHz帶寬示波器,那該如何改善呢?
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