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請(qǐng)教一個(gè)NMOS高側(cè)驅(qū)動(dòng)的問(wèn)題

正常的NMOS高側(cè)驅(qū)動(dòng)如下圖所示,高側(cè)必須配置獨(dú)立的隔離電源,以提供高于VBUS的驅(qū)動(dòng)電壓。

三相橋就得有3路隔離電源V1 V2 V3.

但是能不能只提供一個(gè)隔離電源,比如將隔離電源負(fù)極接在VBUS上呢?

這樣隔離驅(qū)動(dòng)器提供的電壓 高=VBUS+10V 低=VBUS.

這樣不論高側(cè)NMOS開(kāi)關(guān)與否,共模電壓點(diǎn)維持在VBUS,依然能對(duì)NMOS進(jìn)行開(kāi)關(guān)。

像下面這樣。

我試了仿真沒(méi)有問(wèn)題,但是好像所有的方案都是驅(qū)動(dòng)VGS,沒(méi)人驅(qū)動(dòng)VGD。

共模點(diǎn)都在柵極上。

求大佬解惑。

能否將共模點(diǎn)接在漏極上,從而對(duì)多個(gè)共漏極的NMOS開(kāi)關(guān)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)以簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)。

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2022-08-26 14:48

我想的是,如果在上電時(shí)刻,柵極電源為零,之后Vbus(24V)先上電,隔離電源(10V)再上電進(jìn)行輸出,此時(shí)柵極電壓為34V,源極電壓0V Vgs=34V>一般的mos耐壓±20V,可能導(dǎo)致?lián)舸?,但是如果給柵源加上泄放電阻和穩(wěn)壓二極管就可以避免。 除此之外大佬們看看還有什么問(wèn)題

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2022-08-26 17:58
@dy-hRfTwFJm
我想的是,如果在上電時(shí)刻,柵極電源為零,之后Vbus(24V)先上電,隔離電源(10V)再上電進(jìn)行輸出,此時(shí)柵極電壓為34V,源極電壓0VVgs=34V>一般的mos耐壓±20V,可能導(dǎo)致?lián)舸?,但是如果給柵源加上泄放電阻和穩(wěn)壓二極管就可以避免。除此之外大佬們看看還有什么問(wèn)題

關(guān)斷后,GS電荷怎么快速放電?光靠泄放電阻是不夠的。

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sxliujin
LV.3
4
2022-08-26 21:33
@ymyangyong
關(guān)斷后,GS電荷怎么快速放電?光靠泄放電阻是不夠的。

如果只是低頻DC開(kāi)關(guān)的用途,就只依靠Rgs放電,對(duì)我目前應(yīng)用不太影響,慢關(guān)斷還能降低電壓尖峰。 請(qǐng)問(wèn)只有這一個(gè)缺點(diǎn)嗎。

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2022-08-28 13:41
@sxliujin
如果只是低頻DC開(kāi)關(guān)的用途,就只依靠Rgs放電,對(duì)我目前應(yīng)用不太影響,慢關(guān)斷還能降低電壓尖峰。請(qǐng)問(wèn)只有這一個(gè)缺點(diǎn)嗎。

感覺(jué)驅(qū)動(dòng)電流做不大,試試就知道了。

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