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高效率、低成本|30W A+C雙口 氮化鎵功率集成快充方案

30W A+C雙口 氮化鎵(GaN)功率集成快充方案(基于亞成微氮化鎵功率集成電源芯片RM6604NDL+同步整流芯片RM3405SH)

亞成微30W A+C雙口  氮化鎵(GaN)功率集成快充方案,是基于氮化鎵功率集成電源芯片RM6604NDL + 高性能同步整流控制芯片RM3405SH 芯片組合,通過高度集成的芯片設(shè)計(jì)以及巧妙的結(jié)構(gòu)組合,實(shí)現(xiàn)了精簡的外圍電路和緊湊的PCB布局,具有高效率、小體積、低成本等特點(diǎn),可有效幫助快充電源廠商加速中小功率快充量產(chǎn)并節(jié)省物料成本。

1.方案DEMO(尺寸:40mm×31mm×20mm

芯片介紹:

主控采用亞成微氮化鎵功率集成芯片RM6604NDL

次級芯片采用亞成微高性能同步整流芯片RM3405SH 

氮化鎵功率集成電源芯片RM6604NDL

 ■ 支持 CCM/QR 混合模式

■ 內(nèi)置 650V GaN HEMT

■ 內(nèi)置 700V 高壓啟動

■ 特有抖頻技術(shù)改善 EMI;Burst Mode 去噪音

■ 低啟動電流(2uA)和低工作電流

■ 集成斜坡補(bǔ)償

■ 集成輸入 Brown out/in 功能

■ 外置 OVP 保護(hù)

■ 具有輸出肖特基短路保護(hù)/CS 短路保護(hù)

■ 內(nèi)置 OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO 等多種保護(hù)

■ 采用DFN5*6封裝

 

高性能同步整流控制芯片RM3405SH 

■ 輸出電壓直接供給VCC

■ CCM操作的快速驅(qū)動程序功能

■ 工作頻率200KHz

■ 驅(qū)動抗干擾功能

■ 采用SOP8 封裝 

2.方案原理圖

3.待機(jī)功耗

4.能效測試

5.紋波測試

6.溫升測試

7.傳導(dǎo)測試 

230V輸入 20V/1.5A(L)測試結(jié)果

230V輸入 20V/1.5A(N)測試結(jié)果

亞成微電子 QQ:181921417 電話:029-88827769

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