直接上圖。上面是兩個(gè)PI典型的原理圖。

電路規(guī)格都是30---800V輸入，輸出多少咱不看，跟本帖議題無關(guān)。

我們只討論前級(jí)的問題。

前級(jí)都是RCD吸收，同樣的輸入規(guī)格，為何有兩種不同的接法？

難道PI內(nèi)部的工程師都是各自負(fù)責(zé)自己的芯片，不會(huì)統(tǒng)一一個(gè)簡單的方案嗎？

這里質(zhì)疑的地方有好幾個(gè):

1.雷同的方案為啥用完全不同的RCD吸收電路？一個(gè)圖只用了單獨(dú)的電容，另一個(gè)則用了三個(gè)阻容串聯(lián)，這其中有什么不一樣的地方？

2.3396芯片上面還有一個(gè)MOS，相當(dāng)于和芯片內(nèi)部的MOS串聯(lián)起來，一起抗住高壓。而另一個(gè)圖紙則沒有多出來的MOS，這樣的設(shè)計(jì)能否真的抗住高壓尖峰？無外置MOS的芯片也能安全無恙？

3.在3947的圖紙中，前級(jí)電容分別用了68nF+68nF+68uF的兩組電容，根據(jù)簡單的計(jì)算，這樣的簡單串聯(lián)，真實(shí)的主要電壓會(huì)全部加在兩個(gè)68uF的電容上，而耐壓只有500V的電容如何抗的?。?/p>

以上三個(gè)問題是根據(jù)PI的官方圖紙發(fā)現(xiàn)的，咱就說說PI官方的圖紙是否嚴(yán)謹(jǐn)，這樣讓消費(fèi)者去用，是否有些糊弄消費(fèi)者？