
我在實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn),如果用導(dǎo)線代替SCR 開關(guān),T2次級(jí)放電火花非常強(qiáng),但通過SCR開關(guān),火花強(qiáng)度減弱,估計(jì)使SCR的內(nèi)阻過大,因此引出了下列的問題.
問題:
1、圖中的SCR 可以換成MOSFET 或者IGBT嗎? 電路如何改動(dòng)? 我可以使用單片機(jī)精確控制MOSFET的開和關(guān).
2、當(dāng)T1工作頻率在50KHz時(shí),圖中1uF的電容使用哪種型號(hào)比較好? low ESR的電容有沒有耐壓400V的?