同電壓電流級別下NMOS內(nèi)阻更低、價格更低

只是這個原因嗎  

暫時只想到這些，看樓下有沒有補充

P MOS可選的少，耐壓高的基本沒見。

關于這個問題，咱剛入這行的時候，也曾困惑，且?guī)缀跛型?，N管的料號一大堆，P管料號寥寥無幾。

為什么呢？為此專門請教過公司做研發(fā)的資深工程師，

答案是：

N管的內(nèi)部多子，是自由電子，備注：自由電子攜帶負電荷。

P管子的內(nèi)部多子是空穴，備注：空穴就是硅原子，外圍丟失了電子形成，空穴為正電荷。

在施加同等外部電場的情況下，

自由電子的遷移能力，及攜帶電荷的能力，要高于空穴，大約是空穴的2倍。

因此，在同等情況下（Vgs，Vds，Rdson），N管子的晶圓面積大約是P管的一半。

那么，相同耐壓Vds，若是Id（實際上就是Rdson）相同的情況下，

P管的晶圓成本大約是N管子的2倍。

還有個問題，因為P的應用場合受到限制，除了在負債開關，及某些直流無刷電機（例如散熱風扇的電機）等，必須使用P管外，

P管的應用場景沒有N管那么普及。

于是呢，用的較少，所以出貨量較?。?/p>

又因為出貨量較小，前期研發(fā)等固定投入而平攤的費用更高。

2個因素疊加一起（晶圓面積更大+平攤費用更高）。

故，同等耐壓Vds，同等Rdson，同樣封裝，P管更貴。