這個是MOS里面自帶二極管

我知道，請看第2張圖，這個電路就外加二極管，我想問的是，什么情況下加或不加呢？

當內部體二極管特性比如導通壓降，反向恢復時間不滿足需求時，就考慮外加吧

當然需要了，而且是必須要加的。

你在哪聽說的

體二極管是普通二極管，某些時候需要快恢復特性，需要外接肖特基或快恢復二極管

第一張圖：是MOS寄生的二極管，具體是肖特基還是快恢復，要看芯片的制程，按照是否設計了barrier和金屬制程產(chǎn)生硅化兩種方法，有肖特基和快恢復兩種管子，但是現(xiàn)在一般芯片制造主要使用Ti金屬，（現(xiàn)在一般的MOS生產(chǎn)過程中都是使用鈦Ti），那么這個管子就是鈦制程的肖特基二極管，但是這個二極管是寄生的所以沒有Barrier，高溫情況下耐壓VB會下降，這也是Ti制程的缺點，所以鈦制程的肖特基,SBD,MOS都有同一個缺點，就是Vbarrier（肖特基參數(shù)名稱VR/MOS參數(shù)名稱VDS）的耐壓能力會下降； 

第二張圖：是MOS旁邊并聯(lián)的肖特基，大家在看國外品牌半導體的規(guī)格書時，MOS一般都會外接一個二極管，一般都是用肖特基二極管并聯(lián)，并聯(lián)的原因是保護作用，這也是肖特基最大的市場，國內一般都省去了，因為主要起保護作用，所以省去出問題的概率可能只有萬分之幾，另一個作用是外接肖特基與MOS內部的二極管并聯(lián)，還起到分流和分散散熱的作用 ；利用肖特基并聯(lián)MOS因為MOS的生產(chǎn)制程主要是外延片而沒有做barrier，所以MOS的VDS耐壓高溫情況下會降低，但是肖特基一般是做了barrier這樣高溫下耐壓更穩(wěn)定可靠，所以肖特基并聯(lián)就是為了保護MOS的耐壓下降得太多而損壞，當然現(xiàn)在肖特基也有不少不再使用Barrier制程，所以加了也起不到保護作用了，只有高Barrier鉑金制程的，而且要特定做高Barrier，這個肖特基的特征就是IR反向漏電比較低，特別是高溫下的漏電比較低，一般60V的肖特基反向漏電在125℃下漏電<3mA，這個制造是很難的，需要高Barrier和生產(chǎn)上花費雙倍的生產(chǎn)時間，才能達到在高溫是也能保持VB不降低

所以為了穩(wěn)定可靠，就在MOS旁并聯(lián)肖特基，選擇肖特基要關注

1.肖特基的制程（高Barrier還是低Barrier，實際使用下的溫度，是否有風冷散熱）；

2.應用電流下VF和IR，具體電流下的VF

如果你實在在乎成本，那5A以內MOS基本可以不用并聯(lián)肖特基，5A以上看情況，不過國內設計東西大部分不知道具體原因，有些 設計看著感覺沒用，就省去了，我看到華為在設計的時候都是有預留，但是生產(chǎn)時很多都省去了

MOTIVE 墨濎半導體，專業(yè)TMBS制造商 提供超大電流的肖特基二極管

TOLL封裝，TO-247封裝的超大電流肖特基

學習了，謝謝