這個(gè)是MOS里面自帶二極管

我知道，請(qǐng)看第2張圖，這個(gè)電路就外加二極管，我想問的是，什么情況下加或不加呢？

當(dāng)內(nèi)部體二極管特性比如導(dǎo)通壓降，反向恢復(fù)時(shí)間不滿足需求時(shí)，就考慮外加吧

當(dāng)然需要了，而且是必須要加的。

你在哪聽說的

體二極管是普通二極管，某些時(shí)候需要快恢復(fù)特性，需要外接肖特基或快恢復(fù)二極管

第一張圖：是MOS寄生的二極管，具體是肖特基還是快恢復(fù)，要看芯片的制程，按照是否設(shè)計(jì)了barrier和金屬制程產(chǎn)生硅化兩種方法，有肖特基和快恢復(fù)兩種管子，但是現(xiàn)在一般芯片制造主要使用Ti金屬，（現(xiàn)在一般的MOS生產(chǎn)過程中都是使用鈦Ti），那么這個(gè)管子就是鈦制程的肖特基二極管，但是這個(gè)二極管是寄生的所以沒有Barrier，高溫情況下耐壓VB會(huì)下降，這也是Ti制程的缺點(diǎn)，所以鈦制程的肖特基,SBD,MOS都有同一個(gè)缺點(diǎn)，就是Vbarrier（肖特基參數(shù)名稱VR/MOS參數(shù)名稱VDS）的耐壓能力會(huì)下降； 

第二張圖：是MOS旁邊并聯(lián)的肖特基，大家在看國外品牌半導(dǎo)體的規(guī)格書時(shí)，MOS一般都會(huì)外接一個(gè)二極管，一般都是用肖特基二極管并聯(lián)，并聯(lián)的原因是保護(hù)作用，這也是肖特基最大的市場(chǎng)，國內(nèi)一般都省去了，因?yàn)橹饕鸨Ｗo(hù)作用，所以省去出問題的概率可能只有萬分之幾，另一個(gè)作用是外接肖特基與MOS內(nèi)部的二極管并聯(lián)，還起到分流和分散散熱的作用 ；利用肖特基并聯(lián)MOS因?yàn)镸OS的生產(chǎn)制程主要是外延片而沒有做barrier，所以MOS的VDS耐壓高溫情況下會(huì)降低，但是肖特基一般是做了barrier這樣高溫下耐壓更穩(wěn)定可靠，所以肖特基并聯(lián)就是為了保護(hù)MOS的耐壓下降得太多而損壞，當(dāng)然現(xiàn)在肖特基也有不少不再使用Barrier制程，所以加了也起不到保護(hù)作用了，只有高Barrier鉑金制程的，而且要特定做高Barrier，這個(gè)肖特基的特征就是IR反向漏電比較低，特別是高溫下的漏電比較低，一般60V的肖特基反向漏電在125℃下漏電<3mA，這個(gè)制造是很難的，需要高Barrier和生產(chǎn)上花費(fèi)雙倍的生產(chǎn)時(shí)間，才能達(dá)到在高溫是也能保持VB不降低

所以為了穩(wěn)定可靠，就在MOS旁并聯(lián)肖特基，選擇肖特基要關(guān)注

1.肖特基的制程（高Barrier還是低Barrier，實(shí)際使用下的溫度，是否有風(fēng)冷散熱）；

2.應(yīng)用電流下VF和IR，具體電流下的VF

如果你實(shí)在在乎成本，那5A以內(nèi)MOS基本可以不用并聯(lián)肖特基，5A以上看情況，不過國內(nèi)設(shè)計(jì)東西大部分不知道具體原因，有些 設(shè)計(jì)看著感覺沒用，就省去了，我看到華為在設(shè)計(jì)的時(shí)候都是有預(yù)留，但是生產(chǎn)時(shí)很多都省去了

MOTIVE 墨濎半導(dǎo)體，專業(yè)TMBS制造商 提供超大電流的肖特基二極管

TOLL封裝，TO-247封裝的超大電流肖特基

學(xué)習(xí)了，謝謝