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請(qǐng)問升降壓DC-DC的MOS管需要并二極管嗎?

四個(gè)MOS管的DS極需要外接二極管嗎?我查看一些芯片規(guī)格書,有的接,有的不接,有些疑惑

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2022-12-24 16:16

這個(gè)是MOS里面自帶二極管

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zigui
LV.2
3
2022-12-25 00:08
@power88888
這個(gè)是MOS里面自帶二極管

我知道,請(qǐng)看第2張圖,這個(gè)電路就外加二極管,我想問的是,什么情況下加或不加呢?

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pc805151
LV.3
4
2022-12-27 01:45

當(dāng)內(nèi)部體二極管特性比如導(dǎo)通壓降,反向恢復(fù)時(shí)間不滿足需求時(shí),就考慮外加吧

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cwm4610
LV.6
5
2022-12-27 08:13

當(dāng)然需要了,而且是必須要加的。

0
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zhenxiang
LV.10
6
2022-12-27 08:46
@cwm4610
當(dāng)然需要了,而且是必須要加的。

你在哪聽說的

0
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adda
LV.1
7
2022-12-27 15:01

體二極管是普通二極管,某些時(shí)候需要快恢復(fù)特性,需要外接肖特基或快恢復(fù)二極管

0
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2022-12-29 16:32

第一張圖:是MOS寄生的二極管,具體是肖特基還是快恢復(fù),要看芯片的制程,按照是否設(shè)計(jì)了barrier和金屬制程產(chǎn)生硅化兩種方法,有肖特基和快恢復(fù)兩種管子,但是現(xiàn)在一般芯片制造主要使用Ti金屬,(現(xiàn)在一般的MOS生產(chǎn)過程中都是使用鈦Ti),那么這個(gè)管子就是鈦制程的肖特基二極管,但是這個(gè)二極管是寄生的所以沒有Barrier,高溫情況下耐壓VB會(huì)下降,這也是Ti制程的缺點(diǎn),所以鈦制程的肖特基,SBD,MOS都有同一個(gè)缺點(diǎn),就是Vbarrier(肖特基參數(shù)名稱VR/MOS參數(shù)名稱VDS)的耐壓能力會(huì)下降; 

第二張圖:是MOS旁邊并聯(lián)的肖特基,大家在看國外品牌半導(dǎo)體的規(guī)格書時(shí),MOS一般都會(huì)外接一個(gè)二極管,一般都是用肖特基二極管并聯(lián),并聯(lián)的原因是保護(hù)作用,這也是肖特基最大的市場(chǎng),國內(nèi)一般都省去了,因?yàn)橹饕鸨Wo(hù)作用,所以省去出問題的概率可能只有萬分之幾,另一個(gè)作用是外接肖特基與MOS內(nèi)部的二極管并聯(lián),還起到分流和分散散熱的作用 ;利用肖特基并聯(lián)MOS因?yàn)镸OS的生產(chǎn)制程主要是外延片而沒有做barrier,所以MOS的VDS耐壓高溫情況下會(huì)降低,但是肖特基一般是做了barrier這樣高溫下耐壓更穩(wěn)定可靠,所以肖特基并聯(lián)就是為了保護(hù)MOS的耐壓下降得太多而損壞,當(dāng)然現(xiàn)在肖特基也有不少不再使用Barrier制程,所以加了也起不到保護(hù)作用了,只有高Barrier鉑金制程的,而且要特定做高Barrier,這個(gè)肖特基的特征就是IR反向漏電比較低,特別是高溫下的漏電比較低,一般60V的肖特基反向漏電在125℃下漏電<3mA,這個(gè)制造是很難的,需要高Barrier和生產(chǎn)上花費(fèi)雙倍的生產(chǎn)時(shí)間,才能達(dá)到在高溫是也能保持VB不降低

所以為了穩(wěn)定可靠,就在MOS旁并聯(lián)肖特基,選擇肖特基要關(guān)注

1.肖特基的制程(高Barrier還是低Barrier,實(shí)際使用下的溫度,是否有風(fēng)冷散熱);

2.應(yīng)用電流下VF和IR,具體電流下的VF

如果你實(shí)在在乎成本,那5A以內(nèi)MOS基本可以不用并聯(lián)肖特基,5A以上看情況,不過國內(nèi)設(shè)計(jì)東西大部分不知道具體原因,有些 設(shè)計(jì)看著感覺沒用,就省去了,我看到華為在設(shè)計(jì)的時(shí)候都是有預(yù)留,但是生產(chǎn)時(shí)很多都省去了

MOTIVE 墨濎半導(dǎo)體,專業(yè)TMBS制造商 提供超大電流的肖特基二極管

TOLL封裝,TO-247封裝的超大電流肖特基

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zigui
LV.2
9
2023-01-05 16:23
@gaoxinlong2006
第一張圖:是MOS寄生的二極管,具體是肖特基還是快恢復(fù),要看芯片的制程,按照是否設(shè)計(jì)了barrier和金屬制程產(chǎn)生硅化兩種方法,有肖特基和快恢復(fù)兩種管子,但是現(xiàn)在一般芯片制造主要使用Ti金屬,(現(xiàn)在一般的MOS生產(chǎn)過程中都是使用鈦Ti),那么這個(gè)管子就是鈦制程的肖特基二極管,但是這個(gè)二極管是寄生的所以沒有Barrier,高溫情況下耐壓VB會(huì)下降,這也是Ti制程的缺點(diǎn),所以鈦制程的肖特基,SBD,MOS都有同一個(gè)缺點(diǎn),就是Vbarrier(肖特基參數(shù)名稱VR/MOS參數(shù)名稱VDS)的耐壓能力會(huì)下降; 第二張圖:是MOS旁邊并聯(lián)的肖特基,大家在看國外品牌半導(dǎo)體的規(guī)格書時(shí),MOS一般都會(huì)外接一個(gè)二極管,一般都是用肖特基二極管并聯(lián),并聯(lián)的原因是保護(hù)作用,這也是肖特基最大的市場(chǎng),國內(nèi)一般都省去了,因?yàn)橹饕鸨Wo(hù)作用,所以省去出問題的概率可能只有萬分之幾,另一個(gè)作用是外接肖特基與MOS內(nèi)部的二極管并聯(lián),還起到分流和分散散熱的作用;利用肖特基并聯(lián)MOS因?yàn)镸OS的生產(chǎn)制程主要是外延片而沒有做barrier,所以MOS的VDS耐壓高溫情況下會(huì)降低,但是肖特基一般是做了barrier這樣高溫下耐壓更穩(wěn)定可靠,所以肖特基并聯(lián)就是為了保護(hù)MOS的耐壓下降得太多而損壞,當(dāng)然現(xiàn)在肖特基也有不少不再使用Barrier制程,所以加了也起不到保護(hù)作用了,只有高Barrier鉑金制程的,而且要特定做高Barrier,這個(gè)肖特基的特征就是IR反向漏電比較低,特別是高溫下的漏電比較低,一般60V的肖特基反向漏電在125℃下漏電

學(xué)習(xí)了,謝謝

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