LYTSwitch-6系列產(chǎn)品可極大簡化離線式LED驅(qū)動器的開發(fā)和制造，架構(gòu)極具革新性，同時將初級和次級控制器以及檢測元件和符合安全標(biāo)準(zhǔn)的反饋機制集成到了單個IC中?？刂萍軜?gòu)能夠?qū)崿F(xiàn)簡單的三合一DALI調(diào)光。通過無源單級開關(guān)填谷式功率因數(shù)校正(SVFS2PFC)電路還可以輕松實現(xiàn)高功率因數(shù)。
電源設(shè)計電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)主要以下2種，小于24V輸出的設(shè)計結(jié)構(gòu)：
輸出大于24V的LED設(shè)計電路拓?fù)淙缦拢?/p>
設(shè)計的時候根據(jù)產(chǎn)品的應(yīng)用市場及功能指標(biāo)需求，明確設(shè)計輸入電壓范圍和工頻；選擇大容量電容，推薦的電壓額定值根據(jù)V_CIN得出
進而根據(jù)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計變壓器的初次級參數(shù)，可以借鑒PI的仿真軟件進行設(shè)計開發(fā)，縮短開發(fā)周期。設(shè)計的時候開關(guān)頻率特征圖形及電流波形
在進行反射電壓設(shè)計的時候，其為輸出二極管/同步整流MOSFET (SR FET)導(dǎo)通期間次級繞組電壓以變壓器變比的比例反射到初級繞組上而形成的電壓。可調(diào)整VOR以限制初級側(cè)MOSFET的漏-源極電壓。應(yīng)當(dāng)調(diào)整VOR，以消除設(shè)計表格中的告警。為達到設(shè)計優(yōu)化的目的，應(yīng)考慮如下因素：
較高的VOR可以降低輸出二極管和SR MOSFET的電壓應(yīng)力。在有些情況下，這還可以降低電壓和提高效率；
較高的VOR會增加漏感，從而降低電源效率；
較高的VOR會增大次級側(cè)的峰值電流及RMS電流，從而增加次級側(cè)的銅損、二極管損耗和SR MOSFET損耗，并且會降低效率；
較高的VOR會增大KP值（更多非連續(xù)導(dǎo)通，或者更少連續(xù)導(dǎo)通），這有助于防止器件在VACMIN下進入深度CCM模式。
需要注意的是，上述因素也有例外情況，特別是在輸出電流極大時，此時應(yīng)當(dāng)壓低VOR以實現(xiàn)高效率。輸出電壓大于15 V時，應(yīng)利用較高VOR值提供支持，以使輸出SR FET的峰值反向電壓維持在可接受的水平。選擇最佳的VOR值取決于具體應(yīng)用，并且需要綜合考慮上述各因素。
同時，最終在PCB設(shè)計的時候，需要注意：
所有環(huán)路都是獨立的；環(huán)路中沒有內(nèi)含環(huán)路。這可以避免接地阻抗噪聲耦合。 使走線表面積和高dv/dt節(jié)點（如漏極）的長度盡量小和短，盡量減少RFI的產(chǎn)生。Y電容和反饋回路等信號走線（安靜走線）均不得靠近或穿過噪聲大的節(jié)點（高dv/dt或di/dt），例如漏極、變壓器外包銅帶下方、任何繞組的開關(guān) 側(cè)或輸出整流二極管，以減少電容性或電磁性耦合噪聲的產(chǎn)生。信號走線均不得與存在AC開關(guān)電流的走線（例如輸出電容）共用電流路徑。 連接必須以星形連接到電容焊盤，以避免接地阻抗耦合噪聲。
