給太長不想看的同志們：法1：將黃白環(huán)位置的磁芯損耗變廢為寶。法2：節(jié)省一個(gè)黃白環(huán)電感，并且規(guī)避或利用了開關(guān)管的寄生電容（變廢為寶）。法3：一物兩用，將LED還兼作二極管在使用，而不是單純當(dāng)作電阻在使用。任何帶有能量轉(zhuǎn)換作用的二極管都可考慮一肩挑兩擔(dān)。

聲明：作者表述能力差，讓大家見笑了，請各位同志見諒。為了闡述作者思前想后的改動(dòng)的出發(fā)點(diǎn)和注意事項(xiàng)就會(huì)極其啰嗦。

作者分享的東西隨意使用和改動(dòng)，無需任何告知。因?yàn)樽髡哂謶校ㄓ绕涫钱媹D和發(fā)帖）又喜歡想精想怪。淘了些山寨貨和硬貨，瞻前顧后也弄了很多半成品。成品的話，有一部分丟大街隨緣幸運(yùn)路人。

拋磚引玉，重在分享，禁用專利枷身~|Free|, idea-sharing, not for patent-prisoning~

作者的初萌想法：轉(zhuǎn)壞為好，兼用器件的本質(zhì)屬性。Turn downside up & conceal its inherent characteristic.

例如，中頻電感L磁芯的鐵損用來加熱導(dǎo)磁金屬，高頻電容C的介質(zhì)損耗用來焊接某些塑料。換能二極管D在發(fā)射電磁波EMW的同時(shí)擔(dān)當(dāng)起二極管角色（可見光LED。微波磁控管Magnetron，倫琴射線管X-ray tube等高壓CRT器件都是二極管啊。而且CRT基本上可以工作在GHz級(jí)別的開關(guān)頻率，雖然其高Vf壓降和首次啟動(dòng)在設(shè)計(jì)時(shí)必須考慮進(jìn)去），不要只是把它當(dāng)作負(fù)載電阻看待啊。

對(duì)缺少黃白環(huán)電感的山寨版電磁爐，作者的2種改法，市面上的家用電磁爐幾乎都是單管并聯(lián)諧振版本：

1.0) 改法1，將黃白環(huán)濾波電感/電流饋電電感L_current feeding的位置的磁芯損耗利用起來，無論放在直流側(cè)還是交流側(cè)都可以。

1.1) 圖1為并聯(lián)諧振感應(yīng)加熱，在利用了諧振電感的高損耗磁芯加熱電飯煲鍋底的，同時(shí)還利用了濾波電感/電流饋電電感L_cf的損耗（鐵損@2x50Hz肯定存在，作者停機(jī)摸過此處的黃白環(huán)電感，熱度不?。┘訜犭婏堨覀?cè)壁。合理設(shè)計(jì)2個(gè)電感線圈的繞向，可以降低相互的耦合。

1.2) 電流饋電電感L_current feeding（不加以區(qū)分也可被稱作平波/濾波電感，電容也是同樣的遭遇）的實(shí)質(zhì)是將200V&50Hz的電壓源VS變成了電流源CS。

1.3) 為了稍微提高電飯煲側(cè)壁的安全性，電流饋電電感L_cf也可以改放到交流側(cè)的零線Neutral位置，但是需要提高感量，鐵損只是@50Hz會(huì)降低。電流饋電電感若放在交流側(cè)，當(dāng)母線電容C_bus的高頻ESR不良時(shí)會(huì)對(duì)整流橋不利。

1.4) 母線電容C_bus之所以存在，是因?yàn)楣ゎl整流橋的阻隔，能量無法返還至發(fā)電機(jī)/電源。如果開關(guān)晶體管S和開關(guān)二極管D這套組合開關(guān)是雙向可控的，那么不需要C_bus（圖1&圖2同理）。圖1所畫的開關(guān)管代表IGBT，基本上只能用在25kHz左右的中頻加熱領(lǐng)域。

1.5) 并聯(lián)諧振大致路徑：CS→L//C→via S, L→C, C→L, L//C→CS→via D。但是注意！實(shí)質(zhì)上返不回CS，只能到C_bus。

2.0) 作者把并聯(lián)諧振改成了串聯(lián)諧振，合理利用寄生電容，省電感但不是簡單粗暴。對(duì)于缺少黃白環(huán)電流饋電電感的偷工減料山寨電磁爐，只需挑起它的諧振電容C的一只腳挪至Gnd即可）。注意前提，原電路最好是帶有諧振高壓保護(hù)（當(dāng)諧振電容開路時(shí)生效），雖然該保護(hù)通常帶得有。

2.1) 圖2為電壓源VS直接供電的串聯(lián)諧振感應(yīng)加熱，既可以利用L的磁芯損耗，也可利用C的介質(zhì)損耗（例如，塑料的高頻焊接。或者用兩塊金屬板煎豆腐，哈哈）。

2.2) 改動(dòng)后的優(yōu)勢：25kHz左右的中頻范圍可以少用一個(gè)電感器。且圖2所畫的MOS開關(guān)管可以工作于MHz高頻級(jí)別（但是由于MOS的寄生二極管反向恢復(fù)欠佳，MHz級(jí)別時(shí)前置電感器省略與否不能一概而論），因?yàn)槠浼纳娙軨_parasitic和諧振電容C已經(jīng)合并而被掩蔽了。也就是能更好地實(shí)現(xiàn)ZVS off（ZVS on由驅(qū)動(dòng)電路保證）。

2.3) 改動(dòng)后的優(yōu)勢：如果使用交錯(cuò)并聯(lián)技術(shù)將多顆開關(guān)管并聯(lián)，頻率還可以翻倍，而不用擔(dān)心寄生電容翻倍的問題。

2.4) 改動(dòng)后的劣勢：必須要有限壓措施，圖2所示的串聯(lián)諧振又稱電壓諧振（LC槽路會(huì)產(chǎn)生Q倍的電源電壓），而并聯(lián)諧振又稱電流諧振（LC槽路只產(chǎn)生π倍的電源電壓）。首次啟動(dòng)時(shí)，開關(guān)S必須承受C的放電能量（相比較而言，如果并聯(lián)諧振版本缺少L_current feeding，開關(guān)S也逃不了要承受C的浪涌電流）。

2.5) 其實(shí)注意觀察就會(huì)發(fā)現(xiàn)，圖2就是最常見的boost PFC缺少了后方的峰值保持電路的防逆流二極管和大電解電容（把開關(guān)管S的寄生電容當(dāng)作諧振電容考慮進(jìn)去即可）。

2.6) 串聯(lián)諧振大致路徑：VS→L→via S, VS+L→C, C→L+VS, L→VS→via D。

3.0) 據(jù)作者觀察，絕大多數(shù)帶有能量轉(zhuǎn)換功能的二極管都是當(dāng)作負(fù)載電阻在使用，其本我的二極管身份被遺忘得一干二凈。

3.1) 所有發(fā)射電磁波Electro-Magnetic Wave的二極管都可以考慮利用其本我的二極管身份。以發(fā)射光波的LED為例（低壓輸入時(shí)暫未考慮高壓領(lǐng)域的CRT這一大類的真空二極管器件），它只需要一個(gè)近乎恒定的電流源CS。

3.2) 阻容降壓的多串LED是直接可以將橋堆也用或者全部用多串LED代替的，尤其是在AC110V地區(qū)。如果有了電解電容和穩(wěn)壓管的鉗位，則更加方便。

3.3) 如果設(shè)計(jì)成DCM不連續(xù)模式，Buck電路的續(xù)流二極管也可以用LED代替（buck電感也是電流源CS）。作者的設(shè)計(jì)方案是將buck的電容短接擯棄（Buck-Boost的電容短接也是），并優(yōu)先使用低邊Buck形式利于驅(qū)動(dòng)。注意！Boost電容不允許短接，不支持該方案的改動(dòng)。

3.4) 由于所有LED都是PN結(jié)的載流子復(fù)合發(fā)出來的光，作者斗膽冒昧的分析，即便Buck工作于CCM連續(xù)模式也應(yīng)該沒有問題。雖然某些LED的反向恢復(fù)trr性能很差（猜測主要是因?yàn)榻佑|面的寄生電容太大導(dǎo)致，因?yàn)槔缱畛Ｒ姷陌咨獿ED。配的是黃色熒光粉，實(shí)則是發(fā)藍(lán)光的氮化銦•氮化鎵InN•GaN，本身工作頻率高于硅Si材料），但是只要它耐受得住反向恢復(fù)trr的能量，原理上直接能隙的LED反向擊穿時(shí)，只是加厚了的PN結(jié)勢壘被暫時(shí)擊穿，其載流子復(fù)合時(shí)的導(dǎo)帶→價(jià)帶的能隙Eg沒變，其中心頻率任然遵從換能公式Eg=hν=hc/wl（例如3.2eV的發(fā)紫光+紫外線的氮化鎵GaN，算得388nm）。推測反向擊穿時(shí)LED的發(fā)光hν與發(fā)熱幾乎同比例增加。該條由穩(wěn)壓管的Zenner擊穿（注意！普通的硅Si材料不是直接能隙半導(dǎo)體，無論正向反向都只發(fā)熱不發(fā)光，tfr和trr期間也類似?？臻g輻射部分的熱IR和可見光visible light本質(zhì)都是電磁波EMW，勿忘哦?。┖吞厮估€圈的反并聯(lián)LED高頻指示燈并無損壞外推，合理性待驗(yàn)證。