INN3670C 內(nèi)部集成了一個(gè)750V GaN開關(guān),開關(guān)控制使用準(zhǔn)諧振技術(shù)以及輸出端使用同步整流技術(shù),使得電源的發(fā)熱量大大減小,該芯片可以實(shí)現(xiàn)無散熱器設(shè)計(jì),依靠大面積PCB銅箔即可完成散熱,節(jié)省了電源的空間尺寸和成本。得益于GaN器件良好的高頻開關(guān)特性,在高頻率下可以進(jìn)一步的縮減磁器件的體積,進(jìn)一步減小了電源的尺寸。
下圖為電源的設(shè)計(jì)參考圖,該設(shè)計(jì)可以實(shí)現(xiàn)85~265V全范圍內(nèi)的交流輸入,同時(shí)輸出20V/65W的功率,由于芯片內(nèi)部集成了隔離反饋部分,因此,單芯片無需外部光耦即可完成高精度的隔離電源輸出。