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同樣是升壓電路,MCU+MOS+電感這個方式和升壓芯片+MOS+電感這個方式,有哪些優(yōu)缺點和異同點?

同樣是升壓電路,MCU+MOS+電感這個方式和升壓芯片+MOS+電感這個方式,有哪些優(yōu)缺點和異同點?

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bestram
LV.3
2
2024-02-07 14:04

MCU作為功率升壓,與硬件芯片的主要差別一般是環(huán)路響應速度。 MCU的對應工作機理是采集輸出電壓電流-->PID算法-->更新控制升壓用的PWM輸出。如果是一個電壓環(huán),升壓時PWM_duty>50%,還可能出現(xiàn)次諧波振蕩,受限于MCU的主頻,ADC采集速度,其環(huán)路帶寬與硬件芯片可能存在相當?shù)牟罹唷?/p>

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2024-02-11 13:15

當然專用芯片了,模擬芯片反速度是mcu的百倍以上,況且mcu還需要算法 跟蹤電流電壓,根本忙不過來,

這么說吧,專用芯片能做到MHz以上,mcu處理到幾十KHz都很困難,頻率再高就不能保證效果了,反應到元件參數(shù)上,專用芯片可以用幾十uH甚至只有幾uH小體積電感,而mcu對于小于100uH的電感環(huán)路,電感再小環(huán)路參數(shù)變化劇烈mcu就處理不過來了,

并且,小電感會產(chǎn)生大反激電流和反激電壓,就是di/dt和dv/dt都很高,  mcu很容易被干擾跑飛

以上雖然都是事實但也是抬杠,要求不高的情況下mcu也是有優(yōu)點的

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2024-02-19 16:32

還是這里人才多啊

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2024-03-02 19:18

異步升壓,墨濎半導體提供功率型肖特基二極管,用于異步升壓的輸出整流,MOTIVE墨濎提供超低VF,超低漏電的肖特基二極管產(chǎn)品,用于工業(yè)級DC-DC BOOST應用

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