同樣是升壓電路,MCU+MOS+電感這個方式和升壓芯片+MOS+電感這個方式,有哪些優(yōu)缺點和異同點?
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當然專用芯片了,模擬芯片反速度是mcu的百倍以上,況且mcu還需要算法 跟蹤電流電壓,根本忙不過來,
這么說吧,專用芯片能做到MHz以上,mcu處理到幾十KHz都很困難,頻率再高就不能保證效果了,反應到元件參數(shù)上,專用芯片可以用幾十uH甚至只有幾uH小體積電感,而mcu對于小于100uH的電感環(huán)路,電感再小環(huán)路參數(shù)變化劇烈mcu就處理不過來了,
并且,小電感會產(chǎn)生大反激電流和反激電壓,就是di/dt和dv/dt都很高, mcu很容易被干擾跑飛
以上雖然都是事實但也是抬杠,要求不高的情況下mcu也是有優(yōu)點的
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