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真誠的跪求MOS管和三極管的區(qū)別,謝謝!

真誠的跪求MOS管和三極管的區(qū)別,謝謝各位大哥幫忙,能詳細(xì)些最好!
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2008-12-19 12:37
咋沒賞賜?呵呵..
MOS管是電壓控制型
三極管是電流控制型
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zskhz
LV.1
3
2008-12-19 15:12
@pads2005pcb
咋沒賞賜?呵呵..MOS管是電壓控制型三極管是電流控制型
好象太簡單了吧,能說得詳細(xì)些嗎?謝謝!
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2008-12-19 15:24
@zskhz
好象太簡單了吧,能說得詳細(xì)些嗎?謝謝!
以下是從某網(wǎng)站復(fù)制的:

1.場效應(yīng)管和三極管輸入電阻的差異. 2.場效應(yīng)管是單極三極管是雙極區(qū)別之外. 3.解決問題方面: 場效應(yīng)管是電壓控制電流源,控制電壓和電流屬于不同的支路,因而電壓的求解一般不難,進(jìn)而根據(jù)漏極電流表達(dá)式來求出電流值,然后進(jìn)行模型分析,求出跨導(dǎo)和輸出電阻. 而三極管要先建立模型,然后進(jìn)行電路分析,求解過程特別是計(jì)算很復(fù)雜,容易出錯; 總體而言,我覺得場效應(yīng)管的分析要比三極管簡單一些. 4.極管和場效應(yīng)管的比較可以歸納以下幾點(diǎn): 一、在三極管中,空穴和自由電子都參與導(dǎo)電,稱為雙極型器件,用BJT表示;而場效應(yīng)管只有多子導(dǎo)電,稱為單極型器件,用FET表示.由于多子濃度不受外界溫度、光照、輻射的影響,在環(huán)境變化劇烈的條件下,選用FET比較合適. 這也就是我們通常所說的場效應(yīng)管比較穩(wěn)定的原因. 二、在放大狀態(tài)工作時,三極管發(fā)射結(jié)正偏,有基極電流,為電流控制器件,相應(yīng)的輸入電阻較小,約103Ω;FET在放大狀態(tài)工作時無柵極電流,為電壓控制器件,輸入電阻很大,JFET的輸入電阻大于107Ω,MOS管的輸入電阻大于109Ω. 三、場效應(yīng)管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上對稱,可以互換使用(但應(yīng)注意,有時廠家已將MOS管的源極與襯底在管內(nèi)已經(jīng)短接,使用時就不能互換).對耗盡型MOS管的VGS可正、可負(fù)、可為零,使用時比較靈活.三極管的集電極和發(fā)射極一般不能互換使用. 四、在低電壓小電流狀態(tài)下工作時,FET可作為壓控可變線性電阻器和導(dǎo)通電阻很小的無觸點(diǎn)電子開關(guān). 五、MOS管工藝簡單,功耗小,適合于大規(guī)模集成.三極管的增益高,非線性失真小,性能穩(wěn)定.在分立元件電路和中、小規(guī)模集成電路中,三極管仍占優(yōu)勢. 六、三極管的轉(zhuǎn)移特性(ic-vbe的關(guān)系)按指數(shù)規(guī)律變化,場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性按平方規(guī)律變化,因此場效應(yīng)管的非線性失真比三極管的非線性失真大.七、場效應(yīng)管的三種基本組態(tài)電路(共源、共漏和共柵)可以對照三極管的共發(fā)、共集和共基電路,由于場效應(yīng)管的柵極無電流,所以輸入電阻R'i≈∞.跨導(dǎo)gm比三極管的小一個數(shù)量級,gm我們可以用轉(zhuǎn)移特性求導(dǎo)得到 5.三極管可以說是電流控制電流源的器件,而電流是通過輸入電阻的大小來體現(xiàn)的;但場效應(yīng)管是電壓控制電流源的器件 6.記住四種mos管的特性曲線的方法:只需記住n溝道的emos管的曲線,它的Vgs是大于0的,且曲線呈遞增趨勢.而p溝道的emos的Vgs是小于0的,且呈現(xiàn)遞減趨勢.dmos的Vgs既有大于0的部分,又有小于0的部分,按照n溝道遞增,p溝道遞減的曲線特征就可以將dmos的特性曲線記住了 7.1)場效應(yīng)管是電壓控制元件,而三級管是電流控制元件; 2)場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱為單極性器件,而三級管既有多子,也有少子導(dǎo)電,稱之為雙極性器件; 3)場效應(yīng)管靈活性比三級管好; 4)場效應(yīng)管的制造工藝更適合于集成電路
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2008-12-19 18:26
1.三極管又稱為雙極性晶體管,MOS管是單極性晶體管,也就是場效應(yīng)管.三極管PN結(jié)的多子和少子都參與導(dǎo)電,MOS管只有多子參與導(dǎo)電.
2.三極管是電流控制型,MOS管是電壓控制型.
3.MOS管工作時柵極電流很小,幾乎為零.所以無功率損耗.從這個層面上來說,MOS管要優(yōu)于三極管.
4.其他的性能,比如輸入輸出曲線等.則一般的模擬電路書籍上都有介紹,這里不再贅述.
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qwxy
LV.5
6
2008-12-20 08:26
@pads2005pcb
以下是從某網(wǎng)站復(fù)制的:1.場效應(yīng)管和三極管輸入電阻的差異.2.場效應(yīng)管是單極三極管是雙極區(qū)別之外.3.解決問題方面:場效應(yīng)管是電壓控制電流源,控制電壓和電流屬于不同的支路,因而電壓的求解一般不難,進(jìn)而根據(jù)漏極電流表達(dá)式來求出電流值,然后進(jìn)行模型分析,求出跨導(dǎo)和輸出電阻.而三極管要先建立模型,然后進(jìn)行電路分析,求解過程特別是計(jì)算很復(fù)雜,容易出錯;總體而言,我覺得場效應(yīng)管的分析要比三極管簡單一些.4.極管和場效應(yīng)管的比較可以歸納以下幾點(diǎn):一、在三極管中,空穴和自由電子都參與導(dǎo)電,稱為雙極型器件,用BJT表示;而場效應(yīng)管只有多子導(dǎo)電,稱為單極型器件,用FET表示.由于多子濃度不受外界溫度、光照、輻射的影響,在環(huán)境變化劇烈的條件下,選用FET比較合適.這也就是我們通常所說的場效應(yīng)管比較穩(wěn)定的原因.二、在放大狀態(tài)工作時,三極管發(fā)射結(jié)正偏,有基極電流,為電流控制器件,相應(yīng)的輸入電阻較小,約103Ω;FET在放大狀態(tài)工作時無柵極電流,為電壓控制器件,輸入電阻很大,JFET的輸入電阻大于107Ω,MOS管的輸入電阻大于109Ω.三、場效應(yīng)管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上對稱,可以互換使用(但應(yīng)注意,有時廠家已將MOS管的源極與襯底在管內(nèi)已經(jīng)短接,使用時就不能互換).對耗盡型MOS管的VGS可正、可負(fù)、可為零,使用時比較靈活.三極管的集電極和發(fā)射極一般不能互換使用.四、在低電壓小電流狀態(tài)下工作時,FET可作為壓控可變線性電阻器和導(dǎo)通電阻很小的無觸點(diǎn)電子開關(guān).五、MOS管工藝簡單,功耗小,適合于大規(guī)模集成.三極管的增益高,非線性失真小,性能穩(wěn)定.在分立元件電路和中、小規(guī)模集成電路中,三極管仍占優(yōu)勢.六、三極管的轉(zhuǎn)移特性(ic-vbe的關(guān)系)按指數(shù)規(guī)律變化,場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性按平方規(guī)律變化,因此場效應(yīng)管的非線性失真比三極管的非線性失真大.七、場效應(yīng)管的三種基本組態(tài)電路(共源、共漏和共柵)可以對照三極管的共發(fā)、共集和共基電路,由于場效應(yīng)管的柵極無電流,所以輸入電阻R'i≈∞.跨導(dǎo)gm比三極管的小一個數(shù)量級,gm我們可以用轉(zhuǎn)移特性求導(dǎo)得到5.三極管可以說是電流控制電流源的器件,而電流是通過輸入電阻的大小來體現(xiàn)的;但場效應(yīng)管是電壓控制電流源的器件6.記住四種mos管的特性曲線的方法:只需記住n溝道的emos管的曲線,它的Vgs是大于0的,且曲線呈遞增趨勢.而p溝道的emos的Vgs是小于0的,且呈現(xiàn)遞減趨勢.dmos的Vgs既有大于0的部分,又有小于0的部分,按照n溝道遞增,p溝道遞減的曲線特征就可以將dmos的特性曲線記住了7.1)場效應(yīng)管是電壓控制元件,而三級管是電流控制元件;2)場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱為單極性器件,而三級管既有多子,也有少子導(dǎo)電,稱之為雙極性器件;3)場效應(yīng)管靈活性比三級管好;4)場效應(yīng)管的制造工藝更適合于集成電路
文中的103,107,109應(yīng)為10^3,10^7,10^9.
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