只有25分,全部貢上.
做了一個(gè)inverter,輸入是用一個(gè)線性電源供應(yīng)12Vdc,輸出是110v,大約3A.
每次開機(jī)時(shí),在原邊的mosfet的drain上勾到peak電壓竟然高達(dá)70V.
算起來,再怎么感應(yīng)也只是2倍的Vin啊,也就是二三十V吧,怎么這么高呢.
基本上,吸收電路也加了,再加電容的話,效能就不過關(guān)了.
如何能搞定啊,謝謝高手們了.
在普通推挽電路中,每次開機(jī)時(shí)經(jīng)常會(huì)把原邊的mosfet干掉
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@leow
謝謝你的指導(dǎo)~變壓器已經(jīng)重新去打樣了.后天就上板試試看.還有沒有可能的原因啊?
場(chǎng)管發(fā)熱主要有2種形式:
1,兩邊熱．
2,單邊熱．
兩邊熱原因:
1,場(chǎng)管大于3對(duì),沒有加圖騰柱造成MOS驅(qū)動(dòng)不足(結(jié)電容瀉放不快),使MOS工作在線性放大狀態(tài)．雖然MOS與三極管不同是電壓驅(qū)動(dòng)元件,但場(chǎng)管越多結(jié)電容越大,因?yàn)镸OS對(duì)電壓太敏感,這個(gè)小小的電容儲(chǔ)存的一點(diǎn)點(diǎn)電壓都足以使得MOS上升和下降沿波形不良．在MOS數(shù)量配置上要注意,盡量選結(jié)電容小壓降小的產(chǎn)品,管多必須圖騰驅(qū)動(dòng)．
2,變壓器耦合不良,漏感大會(huì)產(chǎn)生很大的尖峰電壓,這個(gè)電壓回授到MOS和3525導(dǎo)致器件發(fā)熱甚至擊穿,進(jìn)而爆管,濾波電容發(fā)熱或爆炸也是此原因．
單邊熱原因:
1,變壓器繞制不合格,初級(jí)線圈長(zhǎng)度相差過大,差值越大產(chǎn)生的尖峰電壓越大結(jié)果導(dǎo)致一邊熱,重載燒單邊MOS和3525,濾波電容發(fā)熱或爆炸也是此原因．
2,MOS到變壓器初級(jí)的引線不對(duì)稱,特別是MOS和變壓器不在同一個(gè)板上的朋友要注意了!這個(gè)小的不對(duì)稱效果媲美變壓器的不對(duì)稱,重載燒單邊MOS和3525．
解決變壓器漏感大和初級(jí)不對(duì)稱的終極繞制方法:
1,骨架內(nèi)層先平饒1-2層次極
2,將初級(jí)2組多芯線并列同向平繞X圈,取一組的頭和另組的尾對(duì)接成為中間抽頭．(保證初級(jí)同長(zhǎng)度)
3,接續(xù)內(nèi)層次級(jí)繼續(xù)繞次級(jí)．
1,兩邊熱．
2,單邊熱．
兩邊熱原因:
1,場(chǎng)管大于3對(duì),沒有加圖騰柱造成MOS驅(qū)動(dòng)不足(結(jié)電容瀉放不快),使MOS工作在線性放大狀態(tài)．雖然MOS與三極管不同是電壓驅(qū)動(dòng)元件,但場(chǎng)管越多結(jié)電容越大,因?yàn)镸OS對(duì)電壓太敏感,這個(gè)小小的電容儲(chǔ)存的一點(diǎn)點(diǎn)電壓都足以使得MOS上升和下降沿波形不良．在MOS數(shù)量配置上要注意,盡量選結(jié)電容小壓降小的產(chǎn)品,管多必須圖騰驅(qū)動(dòng)．
2,變壓器耦合不良,漏感大會(huì)產(chǎn)生很大的尖峰電壓,這個(gè)電壓回授到MOS和3525導(dǎo)致器件發(fā)熱甚至擊穿,進(jìn)而爆管,濾波電容發(fā)熱或爆炸也是此原因．
單邊熱原因:
1,變壓器繞制不合格,初級(jí)線圈長(zhǎng)度相差過大,差值越大產(chǎn)生的尖峰電壓越大結(jié)果導(dǎo)致一邊熱,重載燒單邊MOS和3525,濾波電容發(fā)熱或爆炸也是此原因．
2,MOS到變壓器初級(jí)的引線不對(duì)稱,特別是MOS和變壓器不在同一個(gè)板上的朋友要注意了!這個(gè)小的不對(duì)稱效果媲美變壓器的不對(duì)稱,重載燒單邊MOS和3525．
解決變壓器漏感大和初級(jí)不對(duì)稱的終極繞制方法:
1,骨架內(nèi)層先平饒1-2層次極
2,將初級(jí)2組多芯線并列同向平繞X圈,取一組的頭和另組的尾對(duì)接成為中間抽頭．(保證初級(jí)同長(zhǎng)度)
3,接續(xù)內(nèi)層次級(jí)繼續(xù)繞次級(jí)．
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@11455355
場(chǎng)管發(fā)熱主要有2種形式: 1,兩邊熱． 2,單邊熱．兩邊熱原因: 1,場(chǎng)管大于3對(duì),沒有加圖騰柱造成MOS驅(qū)動(dòng)不足(結(jié)電容瀉放不快),使MOS工作在線性放大狀態(tài)．雖然MOS與三極管不同是電壓驅(qū)動(dòng)元件,但場(chǎng)管越多結(jié)電容越大,因?yàn)镸OS對(duì)電壓太敏感,這個(gè)小小的電容儲(chǔ)存的一點(diǎn)點(diǎn)電壓都足以使得MOS上升和下降沿波形不良．在MOS數(shù)量配置上要注意,盡量選結(jié)電容小壓降小的產(chǎn)品,管多必須圖騰驅(qū)動(dòng)． 2,變壓器耦合不良,漏感大會(huì)產(chǎn)生很大的尖峰電壓,這個(gè)電壓回授到MOS和3525導(dǎo)致器件發(fā)熱甚至擊穿,進(jìn)而爆管,濾波電容發(fā)熱或爆炸也是此原因．單邊熱原因: 1,變壓器繞制不合格,初級(jí)線圈長(zhǎng)度相差過大,差值越大產(chǎn)生的尖峰電壓越大結(jié)果導(dǎo)致一邊熱,重載燒單邊MOS和3525,濾波電容發(fā)熱或爆炸也是此原因． 2,MOS到變壓器初級(jí)的引線不對(duì)稱,特別是MOS和變壓器不在同一個(gè)板上的朋友要注意了!這個(gè)小的不對(duì)稱效果媲美變壓器的不對(duì)稱,重載燒單邊MOS和3525．解決變壓器漏感大和初級(jí)不對(duì)稱的終極繞制方法:1,骨架內(nèi)層先平饒1-2層次極2,將初級(jí)2組多芯線并列同向平繞X圈,取一組的頭和另組的尾對(duì)接成為中間抽頭．(保證初級(jí)同長(zhǎng)度)3,接續(xù)內(nèi)層次級(jí)繼續(xù)繞次級(jí)．
夠全面!夠熱情!因得分!
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