國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊及單管在充電樁電源模塊中的應(yīng)用.pdf

目前主流車企均在布局高壓快充車型，預(yù)計(jì)2026年800伏以上高壓車型銷量將過半，但我國適配高壓快充的高壓充電樁數(shù)量不足。為此，主流車企和充電運(yùn)營商正加快研發(fā)推出大功率快充樁，亟需更耐高壓、耐高溫、更小型化的新型功率器件，以滿足充電設(shè)備對(duì)效率和安全的更高要求。

作為第三代半導(dǎo)體材料，碳化硅具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率等優(yōu)異特性。與傳統(tǒng)硅材料比較，碳化硅器件能有效滿足充電樁設(shè)備耐高壓、耐高溫、更小型化新型器件的需求，幫助實(shí)現(xiàn)新能源汽車快速充電的目標(biāo)。此外，碳化硅還能提高單位功率密度，減小模塊體積并簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)，對(duì)降低充電樁成本起到重要作用。