INN3990CQ（IC200）的次級側(cè)為同步整流MOSFET（SR FET）提供輸出電壓檢測、輸出電流檢測和柵極驅(qū)動(dòng)。SR FETs Q100和Q101對變壓器T200次級繞組的電壓進(jìn)行整流，然后由輸出電容C102至C104進(jìn)行濾波。由電阻R100至R102和電容C100構(gòu)成的RC型緩沖器可抑制SR FET漏源節(jié)點(diǎn)中的高頻振鈴。

IC200內(nèi)部的次級側(cè)控制器控制SR FET的開關(guān)。其定時(shí)基于通過電阻R106從FWD引腳檢測到的負(fù)邊沿電壓轉(zhuǎn)換。電容C110和電阻R106構(gòu)成低通濾波器，可降低SR關(guān)斷時(shí)FWD引腳看到的電壓尖峰，并確保不會(huì)超過150V的最大額定值。

在連續(xù)導(dǎo)通模式下，初級側(cè)功率MOSFET在次級側(cè)控制器向初級請求新開關(guān)周期之前關(guān)閉。在不連續(xù)導(dǎo)通模式下，當(dāng)SR FET兩端的電壓降至VSR(TH)7以下時(shí)，SR FET關(guān)閉。

次級側(cè)對初級側(cè)功率MOSFET的控制消除了兩個(gè)開關(guān)交叉導(dǎo)通的可能性，并確保了可靠的同步整流操作。

IC200的次級側(cè)由次級繞組正向電壓（通過R106和FWD引腳）或輸出電壓（通過VOUT引腳）供電。在這兩種情況下，能量都通過內(nèi)部調(diào)節(jié)器用于給去耦電容C111充電。

二極管D101、D102和電阻R108作為次級側(cè)輸出過壓保護(hù)（次級OVP）。在輸出過壓事件期間，電流將通過這些元件注入到IC200的BPS引腳，并觸發(fā)IC進(jìn)入自動(dòng)重啟（AR）模式。

INN3990CQ具有1.265V的內(nèi)部參考電壓。電阻R113和R114為InnoSwitch3-AQ設(shè)計(jì)構(gòu)成基本的分壓反饋網(wǎng)絡(luò)。對于此設(shè)計(jì)，由R113和R114設(shè)定的輸出電壓值比額定輸出電壓高10 - 15%，這是實(shí)現(xiàn)精確電壓調(diào)節(jié)電路的要求。

電容C107用于從影響電源操作的高頻噪聲中進(jìn)行去耦。電容C108和電阻R112構(gòu)成前饋網(wǎng)絡(luò)，以加快反饋響應(yīng)速度并降低輸出紋波。

通過監(jiān)測并聯(lián)電阻R109至R111兩端的電壓降來檢測輸出電流。所得電流測量值使用R106和C109進(jìn)行濾波，并在IS和次級接地引腳之間進(jìn)行監(jiān)測。約35mV的內(nèi)部電流檢測閾值用于減少損耗。一旦達(dá)到該閾值，IC200將控制脈沖數(shù)量以維持固定的輸出電流。當(dāng)輸出電壓降至調(diào)節(jié)值的90%以下時(shí)，IC進(jìn)入自動(dòng)重啟（AR）操作，并在負(fù)載電流降低到CC限制以下時(shí)恢復(fù)。二極管D100限制R109至R111兩端的電壓降，以在過載或短路情況下保護(hù)IS引腳