輸入保險絲F1提供安全保護。壓敏電阻RV1作為電壓鉗位器件，用于抑制電網(wǎng)瞬態(tài)電壓浪涌時初級側的電壓尖峰。橋式整流器BR1對交流輸入電壓進行整流，以實現(xiàn)高功率因數(shù)和低總諧波失真(THD)。
電容器C4、C5、C6與差模扼流圈L2共同構成π型濾波器。該濾波器與C1協(xié)同抑制差模噪聲。共模扼流圈L1則用于抑制共模噪聲。電阻R1-2和芯片U1在交流電源斷開時為電容C1和C4提供放電回路。
功率因數(shù)校正(PFC)轉換級主要由升壓電感T1、集成功率MOSFET及控制器PFS7625H（芯片U2）、升壓二極管D2構成。該PFC升壓轉換器在維持正弦輸入電流的同時，為后級隔離式反激轉換器提供穩(wěn)定的400V直流輸出電壓。采用Q-speed快恢復二極管LQA03TC600作為升壓二極管D2，在開關速度與EMI性能之間取得平衡，實現(xiàn)高性價比的PFC升壓拓撲方案。
啟動階段，NTC熱敏電阻RT1與二極管D1為bulk電容C17的浪涌電流提供初始通路。該路徑在啟動時繞過升壓電感T1和功率開關U2，避免T1與C17產(chǎn)生諧振。熱敏電阻RT1的布局設計可最大限度降低其功率損耗。
在二極管D5附近布置小容量陶瓷電容C13，為高頻電流提供低阻抗返回RTN的路徑。此舉有效改善EMI性能，并抑制U2關斷時的漏極電壓過沖。REFERENCE(REF)引腳上的電容C9兼具雙重功能：既作為芯片內(nèi)部基準的去耦電容，又通過容值選擇設定輸出功率模式——1μF對應全功率模式（額定功率100%），0.1μF對應效率模式（額定功率80%）。本設計采用全功率模式以實現(xiàn)最佳性能。
