前言：本人是剛本科畢業(yè)的電源小白，懇請大佬指點。

設計一個開環(huán)LLC對稱半橋電源，額定功率600W。帶載500W時發(fā)現(xiàn)半橋MOS發(fā)熱嚴重，用示波器測量了半橋中點波形，如下圖所示

電路參數(shù)：輸出：     額定電壓：12V，額定電流：50A。

Lr：4μH

Lm：300μH

Cr：400nF

PFC輸出電壓：385V

控制芯片：L6599，死區(qū)時間不可調(diào)。

在很多帖子看過類似的波形，但他們的似乎是由于輕載勵磁電流太大導致在死區(qū)時間內(nèi)把電容電荷抽干后諧振電流反向充電，但是我的波形是在輕載時死區(qū)時間內(nèi)電壓緩慢下降到0然后實現(xiàn)ZVS，在重載時就出現(xiàn)了死區(qū)時間后半段電流反向，導致MOS硬開關。在整個功率區(qū)間這個電壓的變化好像和別人的情況剛好相反。請問大佬這個問題要怎么解決。

300W時的半橋中點電壓波形

不帶載時半橋中點電壓波形（下降沿）

150W半橋中點電壓波形（下降沿）

250W半橋中點電壓波形（下降沿）

300W半橋中點電壓波形（下降沿）

450W半橋中點電壓波形（下降沿）