緊急SOS!關(guān)于一個(gè)充電器問題.小弟有難...
有個(gè)問題向高手請(qǐng)教,自做了一個(gè)LiH充電器,電池容量比價(jià)大,達(dá)8000MAH,實(shí)驗(yàn)中充電電流設(shè)定在1.3A,發(fā)現(xiàn)Q2(已裝散熱片).及D4,(圖中畫紅色圓圈的元件)發(fā)熱嚴(yán)重,發(fā)燙,測其溫度為70-80,溫度太高,不穩(wěn)定,其它元件溫度正常.請(qǐng)問高手,是什么原因造成的這兩個(gè)元件溫度超高?該從哪里下手解決?
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@marsom
1、IC的頻率多少?2、實(shí)際充電電流是多少?3、可否在D4后加個(gè)電解電容看看?4、D4可否換大一點(diǎn)的規(guī)格?5、輸入電壓可否降點(diǎn)?
非常感謝MARSOM的回復(fù)!!,
1 IC頻率與管子有關(guān)嗎?
2 電流大概是1.3A
3 在D4后加電容是什么機(jī)理?
4 D4容量為3A,夠大嗎?
5 輸入電壓因該取多大?
另外電源輸入的是用380V.1.5KW工頻變壓器,因電壓不穩(wěn),有時(shí)候線路電壓為460V,IC的芯片供電由78L05,線路不穩(wěn)460V時(shí)78L05受的了嗎?
1 IC頻率與管子有關(guān)嗎?
2 電流大概是1.3A
3 在D4后加電容是什么機(jī)理?
4 D4容量為3A,夠大嗎?
5 輸入電壓因該取多大?
另外電源輸入的是用380V.1.5KW工頻變壓器,因電壓不穩(wěn),有時(shí)候線路電壓為460V,IC的芯片供電由78L05,線路不穩(wěn)460V時(shí)78L05受的了嗎?
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@sunw2004
非常感謝MARSOM的回復(fù)!!,1IC頻率與管子有關(guān)嗎?2電流大概是1.3A3在D4后加電容是什么機(jī)理?4D4容量為3A,夠大嗎?5輸入電壓因該取多大?另外電源輸入的是用380V.1.5KW工頻變壓器,因電壓不穩(wěn),有時(shí)候線路電壓為460V,IC的芯片供電由78L05,線路不穩(wěn)460V時(shí)78L05受的了嗎?
1、IC工作頻率當(dāng)然與管子發(fā)熱有關(guān)系!
2、我看你的充電流是1.3A的話,D4你得用5A的規(guī)格.
3、輸入電壓你可以取5.5V-6V即可!
2、我看你的充電流是1.3A的話,D4你得用5A的規(guī)格.
3、輸入電壓你可以取5.5V-6V即可!
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@sunw2004
IC的頻率是8K換MOSEFET依舊發(fā)熱發(fā)燙,兩個(gè)二級(jí)管換為肖特基依舊發(fā)熱發(fā)燙,怎么辦?
呵,這么久了,你還是沒有搞定呀?
這個(gè)電路并不復(fù)雜呀.換肖特基管肯定會(huì)使溫升降低挺多的.
MOSFET發(fā)燙估計(jì)是驅(qū)動(dòng)能力不足,在通斷變化時(shí),上升與下降沿不夠陡,損耗較大.而肖特基管的熱估計(jì)是MOSFET傳給它的,并非它本身產(chǎn)生.
8K的頻率太低了,電感容易磁飽和后發(fā)熱.
建議加強(qiáng)MOSFET的驅(qū)動(dòng),提高PWM頻率.
本質(zhì)上來說,所有的熱量都是由低效率時(shí)板上的功耗產(chǎn)生的,只要提高電路的轉(zhuǎn)換效率,熱量就會(huì)降低.
祝你早日解決!
這個(gè)電路并不復(fù)雜呀.換肖特基管肯定會(huì)使溫升降低挺多的.
MOSFET發(fā)燙估計(jì)是驅(qū)動(dòng)能力不足,在通斷變化時(shí),上升與下降沿不夠陡,損耗較大.而肖特基管的熱估計(jì)是MOSFET傳給它的,并非它本身產(chǎn)生.
8K的頻率太低了,電感容易磁飽和后發(fā)熱.
建議加強(qiáng)MOSFET的驅(qū)動(dòng),提高PWM頻率.
本質(zhì)上來說,所有的熱量都是由低效率時(shí)板上的功耗產(chǎn)生的,只要提高電路的轉(zhuǎn)換效率,熱量就會(huì)降低.
祝你早日解決!
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@azhu
呵,這么久了,你還是沒有搞定呀?這個(gè)電路并不復(fù)雜呀.換肖特基管肯定會(huì)使溫升降低挺多的.MOSFET發(fā)燙估計(jì)是驅(qū)動(dòng)能力不足,在通斷變化時(shí),上升與下降沿不夠陡,損耗較大.而肖特基管的熱估計(jì)是MOSFET傳給它的,并非它本身產(chǎn)生.8K的頻率太低了,電感容易磁飽和后發(fā)熱.建議加強(qiáng)MOSFET的驅(qū)動(dòng),提高PWM頻率.本質(zhì)上來說,所有的熱量都是由低效率時(shí)板上的功耗產(chǎn)生的,只要提高電路的轉(zhuǎn)換效率,熱量就會(huì)降低.祝你早日解決!
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/30/1119540360.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
這個(gè)問題,按此電路后 VCC=7V時(shí),充電電流只有0.3A,將R6改為100K才達(dá)到1.4A的要求
此時(shí)Q2溫度高,67度,其他D3,D4溫度適中,充電過程中電感有很小的尖叫聲.并發(fā)燙,50度,用示波器看Q2的D極波形不好,
我覺得R6改的太大了吧!!有些夸張.只能改這里才能提高電流嗎?
PWM頻率可設(shè)定5K-200K,目前定為20Khz
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@sunw2004
電源降低后,確實(shí)不是那么燙手了,為什么呢?如果這樣的話,只能說明輸入電壓范圍太窄了這個(gè)電路也是開關(guān)電源一部分吧,但為什么不能寬電壓工作喲6V-12V在12V功率管已經(jīng)劇烈發(fā)熱了!!!
請(qǐng)將Q1換成4435,價(jià)格相同,內(nèi)阻更小,同時(shí)下面加了加速電路,對(duì)波形的上升和下降沿會(huì)有明顯改善,電感可以小到50uH,要用導(dǎo)磁率高的,約20圈就能到50UH的,后面的電容要加大點(diǎn),否則開關(guān)產(chǎn)生的尖峰壓可能會(huì)擊穿MOSFET,頻率不要于20K,以上更改應(yīng)該可以解決所有問題,你的INPUT是9V/2A,建議可將電流加大到2A甚至更大如有興趣可和我聯(lián)系,大家一同探討
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@csg0203
請(qǐng)將Q1換成4435,價(jià)格相同,內(nèi)阻更小,同時(shí)下面加了加速電路,對(duì)波形的上升和下降沿會(huì)有明顯改善,電感可以小到50uH,要用導(dǎo)磁率高的,約20圈就能到50UH的,后面的電容要加大點(diǎn),否則開關(guān)產(chǎn)生的尖峰壓可能會(huì)擊穿MOSFET,頻率不要于20K,以上更改應(yīng)該可以解決所有問題,你的INPUT是9V/2A,建議可將電流加大到2A甚至更大如有興趣可和我聯(lián)系,大家一同探討[圖片]
是個(gè)好方法,建議樓主采用.
樓主原來的驅(qū)動(dòng)上升沿太弱了,下降沿可以,用這個(gè)方法就可以了.
樓主原來的驅(qū)動(dòng)上升沿太弱了,下降沿可以,用這個(gè)方法就可以了.
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