用三極管和MOS管做放大管有什么區(qū)別?
我是初學(xué)者,望各位大俠賜教.感激不盡.
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他們有很多互補(bǔ)的地方:
雙極性晶體管在放大或者飽和狀態(tài)下必然存在基極電流,所以輸入電阻比較小;而且晶體管的導(dǎo)電機(jī)理主要是依靠基區(qū)非平衡少數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動,容易受溫度,射線等外界因素的影響;
而場效應(yīng)管輸入電流幾乎為零,輸入電阻極大,而且依靠多數(shù)載流子的飄移動形成電流,種類多,應(yīng)用靈活,選擇余地大,而且工藝簡單,集成度高.
低壓大電流、高頻率是MOSFET的優(yōu)勢;
高壓是IGBT,BIPOLAR TRANSISTOR的優(yōu)勢;
雙極性晶體管在放大或者飽和狀態(tài)下必然存在基極電流,所以輸入電阻比較小;而且晶體管的導(dǎo)電機(jī)理主要是依靠基區(qū)非平衡少數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動,容易受溫度,射線等外界因素的影響;
而場效應(yīng)管輸入電流幾乎為零,輸入電阻極大,而且依靠多數(shù)載流子的飄移動形成電流,種類多,應(yīng)用靈活,選擇余地大,而且工藝簡單,集成度高.
低壓大電流、高頻率是MOSFET的優(yōu)勢;
高壓是IGBT,BIPOLAR TRANSISTOR的優(yōu)勢;
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@b.r.g.j.wallace航天電源
他們有很多互補(bǔ)的地方:雙極性晶體管在放大或者飽和狀態(tài)下必然存在基極電流,所以輸入電阻比較小;而且晶體管的導(dǎo)電機(jī)理主要是依靠基區(qū)非平衡少數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動,容易受溫度,射線等外界因素的影響;而場效應(yīng)管輸入電流幾乎為零,輸入電阻極大,而且依靠多數(shù)載流子的飄移動形成電流,種類多,應(yīng)用靈活,選擇余地大,而且工藝簡單,集成度高.低壓大電流、高頻率是MOSFET的優(yōu)勢;高壓是IGBT,BIPOLARTRANSISTOR的優(yōu)勢;
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