變壓器有氣隙嗎?如果沒有,1%確實(shí)大了,如果有,恭喜你.

反激電源.肯定有氣隙啊.但為什么軟件所設(shè)計(jì)的參數(shù)中.漏感那么小?而且我的Vor確實(shí)太高.我是采用不完全能量傳輸?shù)?我的變壓器不管怎么繞都達(dá)不到軟件的要求.測漏感時(shí)我是將所有的次級(jí)繞組短路.然后所測的初級(jí)電感量就是漏感.不知道你有何高見.請多多指教.

反激的漏感做到3%已經(jīng)非常優(yōu)秀了,不要太求全了.

多謝您的指點(diǎn).但是我現(xiàn)在連10%都很難做到啊.你可不可以告訴我怎么可以將漏感降到最低啊.謝謝!

采用三明治繞法,即初、次級(jí)錯(cuò)開繞制,增加耦合度,并盡量減少層數(shù).我做過,一般在5-10%之間.輸出匝數(shù)太少時(shí),漏感一般會(huì)超過10%.

首先謝謝你回復(fù).但是我還是不懂您所說的初.次級(jí)錯(cuò)開繞制.是只初次級(jí)在不同的層錯(cuò)開呢?還是在同一層錯(cuò)開呢?(即在同一層一半繞初級(jí)另一半繞次級(jí))我現(xiàn)在是先繞一層初級(jí)再饒一層次級(jí).然后再繞初級(jí).初級(jí)和次級(jí)都不在同一層上.而且我現(xiàn)在的層數(shù)較多.

三明治繞法即夾層繞法,你的繞法是對(duì)的.至于分段繞制主要是為了解決高壓絕緣問題.
層數(shù)太多的化會(huì)增加鄰近效應(yīng),交流損耗增大.
其實(shí)影響高頻變壓器效率和效果的因素很多,往往各個(gè)因素互相牽制,三明治繞法增加了偶合,降低了漏感,但增大了分布電容,可加屏蔽層解決,但是磁芯利用率降低.我試過,6層以上往往鄰近效應(yīng)和分布電容效應(yīng)超過了集膚效應(yīng),即使再細(xì)的線損耗也很大,得不償失.最好5層以下.小功率變壓器損耗小,不太受限制.
10%的漏感在低壓輸出時(shí)(次級(jí)匝數(shù)太少,耦合不佳)也是可以接受的,不過空載勵(lì)磁電流會(huì)增大,降低效率,這也是為什么低壓大電流變壓器效率低的主要原因.

謝謝你的指點(diǎn)!我現(xiàn)在的情況是這樣的:我要做一個(gè)180W的開關(guān)電源.而且用的是反激.驅(qū)動(dòng)芯片為TOP250Y電路都是PI公司的典型應(yīng)用電路.設(shè)計(jì)軟件也是用的他們公司的軟件.但后來做變壓器時(shí)怎么也達(dá)不到軟件的要求.主要就是漏感大.做好電路后.上電測試滿負(fù)荷時(shí).其他參數(shù)都正常,但就是Vor(即mos管漏極上的RCD電路二極管負(fù)端電壓)的電壓偏高,對(duì)地測試有近500V電壓.不知道現(xiàn)在的電源是否工作正常?還望多多指點(diǎn).

如果輸入是220V交流,500V的DS電壓還不算太高,這和你的輸出電壓和匝比有關(guān).反激電源的反射電壓高既有害又有利.反射電壓的高低不是漏感造成的,漏感大會(huì)增加勵(lì)磁電流,效率下降,MOS發(fā)熱;而關(guān)斷電壓尖峰才是致命的,正是MOS關(guān)斷產(chǎn)生的反壓尖峰造成了MOS的擊穿.
為降低尖峰威脅,RCD取值應(yīng)根據(jù)實(shí)驗(yàn)來進(jìn)行,D必須用超快恢復(fù)二極管,FR系列肯定不行,HER系列勉強(qiáng),最好用UF系列或BYV系列二極管.

我現(xiàn)在用的是BYV26C做RCD的快恢復(fù)二極管.至于您所說的MOS關(guān)斷尖峰電壓我用20MHz的示波器還看不到尖峰電壓.不知道是示波器的問題還是沒有尖峰電壓.反正現(xiàn)在有近500V的近視于三角波的電壓.我是說的三角波尖峰.我的變壓器初級(jí)是46匝.次級(jí)是7匝.220V交流輸入.24V直流輸出.電感量是700uH左右.磁芯是EC42/21/15的鐵氧體.不知道這個(gè)設(shè)計(jì)是否合理?還請您多指教!

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/30/1118124231.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">