在正常工作時,MOSFET導通,漏極電流VD處于低電平,A點電位通過二極管回流至VD點,因為漏極處于低電位,所以A點也處于低電位狀態(tài),而C點電平高低和輸入相同,所以異或門XOR的輸出電平高低與輸入相同,不對電路產生影響.當MOSFET過流時,漏極電壓VD迅速上升,VD承受反壓截止,由R1、C2的充電作用,A點電位開始升高,直到使異或門XOR輸出低電平(因為此時C點也為高電平),使得B點變?yōu)榈碗娖?從而使MOSFET承受一5V的反壓而可靠關斷,并處于截止狀態(tài),限制了過電流.
不知道上面分析的對不對,但我有一點不理解:在正常工作時,MOSFET導通,為什么VD處于低電平?不是mosfet的S極不是還和穩(wěn)壓管連著嗎,并沒有和地連著啊
