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IGBT為什么燒了?請各位大俠幫幫忙!!!

交流三相380V輸入,經(jīng)過全波整流得到直流電壓(550VDC),經(jīng)過BUCK電路得到310VDC,電流3A,控制芯片為TL494,磁環(huán)為PQ50,這種方法可行嗎?請各位大狹賜教,不勝感激!!!!!!!!!!!!! 為什么當輸入的直流電壓為250VDC,通過改變采樣電阻,使輸出200VDC/1.5A時可以正常工作,但當輸入的直流電壓達到330VDC時,IGBT突然燒掉,IGBT的G,C,E之間全通,請問各位大俠幫忙分析一下!!!!!!!!!!!!!急盼!!!!!!
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2005-07-05 20:09
電壓升高會使電感的峰值電流上升,所以首先要確認電感沒有飽和的問題.
電壓升高會導致IGBT開關(guān)損耗大幅度上升,如果沒有任何措施,炸管不可避免.如果工作在CCM狀態(tài),續(xù)流二極管在反相恢復時間內(nèi)幾乎為短路狀態(tài),不僅自身的損耗大,由于它和IGBT串聯(lián)后接供電電源,會使IGBT的開通損耗隨電壓升高大幅度上升.
兩點建議:
1.電源的電流容量不大,完全沒有必要用IGBT,用MOS管做要好做得多,IGBT的開關(guān)損耗遠比MOS管大.
2.續(xù)流二極管要用優(yōu)質(zhì)超快二極管.
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jack7612
LV.5
3
2005-07-06 13:34
@世界真奇妙
電壓升高會使電感的峰值電流上升,所以首先要確認電感沒有飽和的問題.電壓升高會導致IGBT開關(guān)損耗大幅度上升,如果沒有任何措施,炸管不可避免.如果工作在CCM狀態(tài),續(xù)流二極管在反相恢復時間內(nèi)幾乎為短路狀態(tài),不僅自身的損耗大,由于它和IGBT串聯(lián)后接供電電源,會使IGBT的開通損耗隨電壓升高大幅度上升.兩點建議:1.電源的電流容量不大,完全沒有必要用IGBT,用MOS管做要好做得多,IGBT的開關(guān)損耗遠比MOS管大.2.續(xù)流二極管要用優(yōu)質(zhì)超快二極管..
謝謝您了!!!!!!現(xiàn)在的情況是當輸入的直流電壓達到400VDC時,通過改變采樣電阻使輸出電壓為200VDC,輸出電流2A,工作一會IGBT就會直通而損壞,IGBT的g,c,e之間全部通了,散熱片溫度并不高,用示波器看IGBT的e級與地線的電壓情況如下:電壓的上升時間為200ns,下降時間為1us,(200ns應(yīng)該就是IGBT的上升時間,1us就是開關(guān)管的關(guān)斷時間,這樣理解對嗎?)開關(guān)頻率為55K,續(xù)流二極管超快恢復二極管,電感L=4mH,請您給予指點?
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duxuezhen
LV.4
4
2005-07-06 14:10
能把你的輸出波形傳上來嗎?
我有問題想請教你,.謝謝
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xkw1
LV.9
5
2005-07-06 14:31
@duxuezhen
能把你的輸出波形傳上來嗎?我有問題想請教你,.謝謝
PQ50的環(huán)換成非晶的電感環(huán),開關(guān)頻率降到35K以下,IGBT換成高速的就可以了!建議用IRG4PH40UD試一下.
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jack7612
LV.5
6
2005-07-06 15:31
@xkw1
PQ50的環(huán)換成非晶的電感環(huán),開關(guān)頻率降到35K以下,IGBT換成高速的就可以了!建議用IRG4PH40UD試一下.
您的意思是把PQ50換成非晶電感環(huán),非晶電感環(huán)是什么材料?可以解釋一下嗎?小弟不太懂,是鐵粉芯嗎?我現(xiàn)在把頻率降到了30K,IGBT一直都用的是IRG4PF50WD,
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jack7612
LV.5
7
2005-07-06 15:33
@duxuezhen
能把你的輸出波形傳上來嗎?我有問題想請教你,.謝謝
我的示波器的波形沒法下載,和書上講的波形差不多!!!
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xkw1
LV.9
8
2005-07-07 10:10
@jack7612
您的意思是把PQ50換成非晶電感環(huán),非晶電感環(huán)是什么材料?可以解釋一下嗎?小弟不太懂,是鐵粉芯嗎?我現(xiàn)在把頻率降到了30K,IGBT一直都用的是IRG4PF50WD,
高頻退耦和保證電感不飽和是做成的關(guān)鍵.
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jack7612
LV.5
9
2005-07-07 10:50
@xkw1
高頻退耦和保證電感不飽和是做成的關(guān)鍵.
大俠,能具體點嗎?我把我的要求告訴你,麻煩你幫忙設(shè)計一下電感(電感量和磁材料還有形狀)和怎樣高頻退耦:交流380V輸入,通過全波整流母線達到550VDC,采用BUCK電路,開關(guān)管為IRG4PF50WD,開館頻率30K,輸出310VDC/3A,
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xkw1
LV.9
10
2005-07-07 10:54
@jack7612
大俠,能具體點嗎?我把我的要求告訴你,麻煩你幫忙設(shè)計一下電感(電感量和磁材料還有形狀)和怎樣高頻退耦:交流380V輸入,通過全波整流母線達到550VDC,采用BUCK電路,開關(guān)管為IRG4PF50WD,開館頻率30K,輸出310VDC/3A,
電感設(shè)計可以讓北京安泰幫你,免費的!
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jack7612
LV.5
11
2005-07-07 11:13
@xkw1
電感設(shè)計可以讓北京安泰幫你,免費的!
聯(lián)系方式你有嗎?
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yimu
LV.3
12
2005-07-07 17:35
@jack7612
我的示波器的波形沒法下載,和書上講的波形差不多!!!
啊 我做的是半橋拓撲的 20Khz 帶變壓器電壓升到200V就燒管了 電流不大(<0.5A) 同時燒兩個,感覺像是直通了,G C E三端短路,沒有找到原因. 我用IR2213做驅(qū)動,按照下圖做的驅(qū)動,但發(fā)現(xiàn)上橋臂驅(qū)動并沒有負偏壓(直接量測量GE),下臂驅(qū)動很好不知道那位能解釋一下!500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖,點擊可放大。\n按住CTRL,滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/31/1120728931.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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2005-07-07 20:27
再強調(diào)一次,首先要確認電感沒有飽和的問題,先糾正一點,PQ50不是磁環(huán),這個電感必須有氣隙,是不能用鐵氧體磁環(huán)做的.把你繞制的匝數(shù)和氣隙大小帖上來.
你用的IGBT是什么型號?帖上來,其開關(guān)速度是可以從技術(shù)資料上查到的,示波器上的波形上升和下降時間不能完全說明問題.
降低IGBT開關(guān)損耗最簡單的措施是在其C,E間并RC吸收電路.沒有RC吸收電路,在30K以上工作頻率時,往往管子不熱就會損壞.
降低你的工作頻率到30K以下.
根據(jù)你第3帖提供的數(shù)據(jù),電路工作在CCM狀態(tài),效率很低,IGBT和續(xù)流二極管發(fā)熱都大,可靠性差.要讓電路工作在DCM(電流不連續(xù))狀態(tài).
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yimu
LV.3
14
2005-07-07 20:45
@世界真奇妙
再強調(diào)一次,首先要確認電感沒有飽和的問題,先糾正一點,PQ50不是磁環(huán),這個電感必須有氣隙,是不能用鐵氧體磁環(huán)做的.把你繞制的匝數(shù)和氣隙大小帖上來.你用的IGBT是什么型號?帖上來,其開關(guān)速度是可以從技術(shù)資料上查到的,示波器上的波形上升和下降時間不能完全說明問題.降低IGBT開關(guān)損耗最簡單的措施是在其C,E間并RC吸收電路.沒有RC吸收電路,在30K以上工作頻率時,往往管子不熱就會損壞.降低你的工作頻率到30K以下.根據(jù)你第3帖提供的數(shù)據(jù),電路工作在CCM狀態(tài),效率很低,IGBT和續(xù)流二極管發(fā)熱都大,可靠性差.要讓電路工作在DCM(電流不連續(xù))狀態(tài)..
"在30K以上工作頻率時,往往管子不熱就會損壞."
為什么,此時損壞管子的表現(xiàn)是怎樣的,三端短路嗎?
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2005-07-07 21:02
@yimu
"在30K以上工作頻率時,往往管子不熱就會損壞."為什么,此時損壞管子的表現(xiàn)是怎樣的,三端短路嗎?
開關(guān)瞬時功耗很大,熱量來不及導出.
如果電流不大,一般表現(xiàn)為短路.電流大,能量大,表現(xiàn)為開路,甚至可炸開管子.
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yimu
LV.3
16
2005-07-07 21:18
@世界真奇妙
開關(guān)瞬時功耗很大,熱量來不及導出.如果電流不大,一般表現(xiàn)為短路.電流大,能量大,表現(xiàn)為開路,甚至可炸開管子.
我正在做半橋拓撲的隔離DCDC 20Khz 也出現(xiàn)了這種情況,直流電壓200V ,電流<0.5A,就燒管了 兩個燒了,現(xiàn)象:GCE 短路,IGBT選用了IRGP30120KD-E 是30A 1200V的管子 詳情請看該貼,謝謝!http://bbs.dianyuan.com/topic/39807
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2005-07-07 22:51
@yimu
我正在做半橋拓撲的隔離DCDC20Khz也出現(xiàn)了這種情況,直流電壓200V,電流
我將在你發(fā)的帖中答復
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jack7612
LV.5
18
2005-07-08 09:12
@世界真奇妙
再強調(diào)一次,首先要確認電感沒有飽和的問題,先糾正一點,PQ50不是磁環(huán),這個電感必須有氣隙,是不能用鐵氧體磁環(huán)做的.把你繞制的匝數(shù)和氣隙大小帖上來.你用的IGBT是什么型號?帖上來,其開關(guān)速度是可以從技術(shù)資料上查到的,示波器上的波形上升和下降時間不能完全說明問題.降低IGBT開關(guān)損耗最簡單的措施是在其C,E間并RC吸收電路.沒有RC吸收電路,在30K以上工作頻率時,往往管子不熱就會損壞.降低你的工作頻率到30K以下.根據(jù)你第3帖提供的數(shù)據(jù),電路工作在CCM狀態(tài),效率很低,IGBT和續(xù)流二極管發(fā)熱都大,可靠性差.要讓電路工作在DCM(電流不連續(xù))狀態(tài)..
大俠,您好,PQ50的匝數(shù)為160T,有2.5mm的氣息,L=3.3mH,IGBT為IRG4PF50WD,這個RC的數(shù)值怎么確定,頻率為30K.1120785131.pdf
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jack7612
LV.5
19
2005-07-08 10:44
@世界真奇妙
再強調(diào)一次,首先要確認電感沒有飽和的問題,先糾正一點,PQ50不是磁環(huán),這個電感必須有氣隙,是不能用鐵氧體磁環(huán)做的.把你繞制的匝數(shù)和氣隙大小帖上來.你用的IGBT是什么型號?帖上來,其開關(guān)速度是可以從技術(shù)資料上查到的,示波器上的波形上升和下降時間不能完全說明問題.降低IGBT開關(guān)損耗最簡單的措施是在其C,E間并RC吸收電路.沒有RC吸收電路,在30K以上工作頻率時,往往管子不熱就會損壞.降低你的工作頻率到30K以下.根據(jù)你第3帖提供的數(shù)據(jù),電路工作在CCM狀態(tài),效率很低,IGBT和續(xù)流二極管發(fā)熱都大,可靠性差.要讓電路工作在DCM(電流不連續(xù))狀態(tài)..
大俠,小弟著這邊等著您的指點
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jack7612
LV.5
20
2005-07-08 13:22
@xkw1
PQ50的環(huán)換成非晶的電感環(huán),開關(guān)頻率降到35K以下,IGBT換成高速的就可以了!建議用IRG4PH40UD試一下.
大俠,我用PQ50繞的電感,為什么實際測的的電感量10mH,但是根據(jù)采樣電流和開通時間算出來的電感只有2mH,請問這是怎么回事?急盼!!!!!!!
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2005-07-08 21:59
@jack7612
大俠,小弟著這邊等著您的指點
請按如下方案一試:
供電直流電壓540VDC,經(jīng)過BUCK電路輸出310VDC,電流3A.
電感:氣隙不變,拆掉86匝,保留74匝,L=700微亨
TL494單端工作方式.
頻率:20KHz,周期50微秒,最大占空比47%,最大脈寬23.5微秒
IGBT的C,E吸收電路R=30-51歐,C=2n2-3n3,實驗決定.
IGBT的驅(qū)動最好用圖騰柱式輸出的光耦,如TLP250,隔離驅(qū)動.
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jack7612
LV.5
22
2005-07-09 10:48
@世界真奇妙
請按如下方案一試:供電直流電壓540VDC,經(jīng)過BUCK電路輸出310VDC,電流3A.電感:氣隙不變,拆掉86匝,保留74匝,L=700微亨TL494單端工作方式.頻率:20KHz,周期50微秒,最大占空比47%,最大脈寬23.5微秒IGBT的C,E吸收電路R=30-51歐,C=2n2-3n3,實驗決定.IGBT的驅(qū)動最好用圖騰柱式輸出的光耦,如TLP250,隔離驅(qū)動..
真正的高手,出現(xiàn)燒IGBT是我的電感飽和了,非常謝謝!!!!
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jack7612
LV.5
23
2005-07-09 10:48
@世界真奇妙
再強調(diào)一次,首先要確認電感沒有飽和的問題,先糾正一點,PQ50不是磁環(huán),這個電感必須有氣隙,是不能用鐵氧體磁環(huán)做的.把你繞制的匝數(shù)和氣隙大小帖上來.你用的IGBT是什么型號?帖上來,其開關(guān)速度是可以從技術(shù)資料上查到的,示波器上的波形上升和下降時間不能完全說明問題.降低IGBT開關(guān)損耗最簡單的措施是在其C,E間并RC吸收電路.沒有RC吸收電路,在30K以上工作頻率時,往往管子不熱就會損壞.降低你的工作頻率到30K以下.根據(jù)你第3帖提供的數(shù)據(jù),電路工作在CCM狀態(tài),效率很低,IGBT和續(xù)流二極管發(fā)熱都大,可靠性差.要讓電路工作在DCM(電流不連續(xù))狀態(tài)..
真正的高手,出現(xiàn)燒IGBT是我的電感飽和了,非常謝謝!!!!
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jack7612
LV.5
24
2005-07-09 10:49
@xkw1
高頻退耦和保證電感不飽和是做成的關(guān)鍵.
真正的高手,出現(xiàn)燒IGBT是我的電感飽和了,非常謝謝!!!!
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jack7612
LV.5
25
2005-07-19 14:03
@世界真奇妙
請按如下方案一試:供電直流電壓540VDC,經(jīng)過BUCK電路輸出310VDC,電流3A.電感:氣隙不變,拆掉86匝,保留74匝,L=700微亨TL494單端工作方式.頻率:20KHz,周期50微秒,最大占空比47%,最大脈寬23.5微秒IGBT的C,E吸收電路R=30-51歐,C=2n2-3n3,實驗決定.IGBT的驅(qū)動最好用圖騰柱式輸出的光耦,如TLP250,隔離驅(qū)動..
大俠,我現(xiàn)在又遇到一個問題,麻煩你指點一二,我做的這個310VDC/3A的電源是用來驅(qū)動電動機的,現(xiàn)在的問題是當電機不轉(zhuǎn)時,輸出電壓為310VDC,但是當電機在加速的瞬間輸出電壓為270VDC,加速結(jié)束后以恒定轉(zhuǎn)速運行時電壓為300VDC,當電機制動時,電機處于發(fā)電狀態(tài),此時的輸出電壓為370VDC,請問大俠,這個問題該怎樣解決?謝謝您了!!!!!!
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落木源
LV.8
26
2005-07-19 15:16
@jack7612
大俠,我現(xiàn)在又遇到一個問題,麻煩你指點一二,我做的這個310VDC/3A的電源是用來驅(qū)動電動機的,現(xiàn)在的問題是當電機不轉(zhuǎn)時,輸出電壓為310VDC,但是當電機在加速的瞬間輸出電壓為270VDC,加速結(jié)束后以恒定轉(zhuǎn)速運行時電壓為300VDC,當電機制動時,電機處于發(fā)電狀態(tài),此時的輸出電壓為370VDC,請問大俠,這個問題該怎樣解決?謝謝您了!!!!!!
雙向流的電源是比較復雜的.最簡單的法子是加大濾波電容.
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jack7612
LV.5
27
2005-07-19 15:37
@落木源
雙向流的電源是比較復雜的.最簡單的法子是加大濾波電容.
請問什么為雙向流的電源?
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落木源
LV.8
28
2005-07-19 16:24
@jack7612
請問什么為雙向流的電源?
能量雙向.
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jack7612
LV.5
29
2005-07-19 17:50
@落木源
能量雙向.
哦,明白了,謝謝您!!!
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jack7612
LV.5
30
2005-07-20 10:46
@世界真奇妙
請按如下方案一試:供電直流電壓540VDC,經(jīng)過BUCK電路輸出310VDC,電流3A.電感:氣隙不變,拆掉86匝,保留74匝,L=700微亨TL494單端工作方式.頻率:20KHz,周期50微秒,最大占空比47%,最大脈寬23.5微秒IGBT的C,E吸收電路R=30-51歐,C=2n2-3n3,實驗決定.IGBT的驅(qū)動最好用圖騰柱式輸出的光耦,如TLP250,隔離驅(qū)動..
大俠,我的系統(tǒng)在突然加載時電壓掉的很厲害,空載時輸出336VDC,突然電動機加速電壓掉到300VDC,加速完成后恒轉(zhuǎn)速運行電壓為326VDC,現(xiàn)在不存在雙向流的問題,請問怎么解決?
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jack7612
LV.5
31
2005-07-20 10:47
@落木源
能量雙向.
大俠,我的系統(tǒng)在突然加載時電壓掉的很厲害,空載時輸出336VDC,突然電動機加速電壓掉到300VDC,加速完成后恒轉(zhuǎn)速運行電壓為326VDC,現(xiàn)在不存在雙向流的問題,請問怎么解決?
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