大功率IGBT
有人用過(guò)300A/1200V/30kHz的IGBT嗎,那個(gè)公司有產(chǎn)品呀
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@karren
哦,硬開(kāi)關(guān)頻率在50kH的300A/1200V的IGBT型號(hào)是什么,我怎么沒(méi)找到,那個(gè)公司生產(chǎn)的,如果你有,我買(mǎi),價(jià)格大概多少
哈哈....有肯定是有了,不過(guò)價(jià)格貴點(diǎn).有興趣的話你先看看資料,然后再考慮價(jià)格的問(wèn)題吧!你可以看看我附帶的PDF文檔,看看可以不?重點(diǎn)注意關(guān)斷和恢復(fù)時(shí)間,以及開(kāi)關(guān)損耗.因?yàn)楦杏X(jué)上你對(duì)高頻特性要求更高些,所以推薦你兩款開(kāi)關(guān)損耗小的.希望你滿意!(考慮到一般IGBT模塊的高頻降容幅度,你可以選擇高頻性能好、容量小點(diǎn)的,這樣能取得比較好的成本節(jié)約)先看看這三款:美國(guó)APT公司 APTGF300A120、德國(guó)SEMIKRON公司的SKM300GB125D、SKM400GB125D1121349304.pdf1121349466.pdf1121349566.pdf
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@理察森初義雄
哈哈....有肯定是有了,不過(guò)價(jià)格貴點(diǎn).有興趣的話你先看看資料,然后再考慮價(jià)格的問(wèn)題吧!你可以看看我附帶的PDF文檔,看看可以不?重點(diǎn)注意關(guān)斷和恢復(fù)時(shí)間,以及開(kāi)關(guān)損耗.因?yàn)楦杏X(jué)上你對(duì)高頻特性要求更高些,所以推薦你兩款開(kāi)關(guān)損耗小的.希望你滿意!(考慮到一般IGBT模塊的高頻降容幅度,你可以選擇高頻性能好、容量小點(diǎn)的,這樣能取得比較好的成本節(jié)約)先看看這三款:美國(guó)APT公司APTGF300A120、德國(guó)SEMIKRON公司的SKM300GB125D、SKM400GB125D1121349304.pdf1121349466.pdf1121349566.pdf
到時(shí)候找你了,現(xiàn)在能給個(gè)報(bào)價(jià)么?
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@sunsusie
到時(shí)候找你了,現(xiàn)在能給個(gè)報(bào)價(jià)么?
1,晶體管模塊 (QM型)5A~1000A/400V1400V2,MOSFET模塊 (FM型)15A~100A/250V~500V3,MOSFET ( FS型 )0.1A~100A/30V~900V4,IGBT模塊 (CM型)10A~1000A/600V~1400V5,閘流體模塊 (TM型)20A~400A/400V~1600V6,二極管模塊 (RM型)20A~500A/400V~2000V7,電磁爐模塊 (CT型)CT60AM~18F(110V)
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