電壓,脈寬,頻率,電流各是多少?

電壓5~12V,脈寬窄點好.頻率約幾十K,脈沖的峰值電流能達到0.5A最好了.

我有用NE555做了個脈沖發(fā)生器,頻率約60K,脈寬5%,但其脈沖上升時間>100nS,
后來又在后級加了74HC14,雖然脈沖上升時間降低至約30nS, 但74HC14的輸出驅(qū)動太差,加了互補的三極管以加強其驅(qū)動能力,卻連這三極管都驅(qū)動不了,連輸出波形都畸變了,脈沖上升時間又上升至約100nS

用一片IXDN404或DS0026或好多MOSFET的低端驅(qū)動片子都可以搞定,只要負(fù)載容性不大的話.

謝了.IXD404對我而言是很陌生的片子.我短時間內(nèi)也沒法弄到.
若要用MOS的驅(qū)動IC,我還不如選用常用的.
至于DS0026,我看了一下其datasheet,雖輸出電流大,但輸出脈沖上升時間還不如74HC14.
不過還是謝謝.

其他高手們還沒有建議啊----

請注意你的負(fù)載,VCC=15V,DS0026在負(fù)載容性小于200PF的時候,上升沿可在8ns左右,如果兩路并聯(lián),則容性可增至400PF.而你的74hc14在負(fù)載電容15PF,VCC=5V時,上升沿在12ns左右.不在相同條件下比較是沒有意義的,隨便找個ACT型的如果負(fù)載電阻和電容不重的情況下,都是高速上升和下降沿.

哦,知道了.謝謝了.

我做過電壓為4KV,頻率為10KHZ,負(fù)載為100PF,上升沿為5ns的脈沖發(fā)生器,鑒于是商業(yè)機密,不能把圖公布.

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你做的東西就用一個比較悍一些的高速柵驅(qū)動IC,MAXIM、TI、IR的都行.
至于4KV的那個東西是完全不同的概念,用雪崩晶體管一類東西的.

OK,我先自己試一試,有具體問題再像你請教,OK?